[实用新型]功率晶体吸热装置

说明书

技术领域

本实用新型为一种功率晶体吸热装置，特别是指一种，是设计由最少零件，结构更简单，能简化生产流程，降低制造工时成本的新一代功率晶体吸热装置。属于改良型功率晶体吸热装置的技术范畴。

背景技术

业界熟知的功率晶体，一般是指PC1W以上的产品，譬如最常使用在电源供应器控制电路的功率晶体，相较于小讯号晶体，功率晶体的最大集极电流、以及最大集极损耗较大，因此发热量较大，而会采用较大颗的封装，为了增加它的散热效率以确保电路稳定性，实际应用上也会将功率晶体固锁在金属散热鳍片、或其他类似的散热结构上。

后附图4，为一典型现有功率晶体30的成品外观示意图，图5为该功率晶体30尚未包覆外封装时的示意图，图6为该功率晶体30的组件分解图。在图4、图5、图6中所示的功率晶体30，经分解后，其整体组件是包括由E脚针31、B脚针32、C脚针33、引线片34、引线片36、陶瓷片37、金属座38、与芯片40，所组合构成如图6所示。其结构上的特征是，E脚针31是利用焊接在前端的引线片34，而连接至芯片40的表面，C脚针33也是利用焊接在前端的引线片36，而连接至芯片40的表面一角端，B脚针32前端承载面35的表面连接芯片40的底面，承载面35的底面经陶瓷片37而与金属座38焊接在一起，据此构成芯片40的E、B、C三极如图5，最后再包覆外封装41而构成功率晶体成品如图4。利用陶瓷片37与金属座38作为吸热装置，金属座38上的穿孔39也可供穿设螺钉用以固锁在金属散热鳍片上。

上述现有功率晶体30，最明显的缺点就是它的吸热、散热效能不佳。主要原因在于芯片40的上述吸热装置，是使用陶瓷片37介于B脚针32承载面35与金属座38之间，并且，三者之间的各该接触面，需使用焊锡作低温共烧加工连结在一起，而会因为芯片40与金属座38之间过多的异质材料，大幅降低了热传导的效果。

此外，因为上述现有功率晶体30的零件多，焊接点多，额外的引线片焊接工序也导致生产流程复杂化，相对增加了生产工时与成本。

实用新型内容

本实用新型所要解决的主要技术问题在于，克服现有技术存在的上述缺陷，而提供一种功率晶体吸热装置，其最少零件，结构更简单，能简化生产流程，降低制造工时成本。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种功率晶体吸热装置，由陶瓷基板、E脚针、B脚针、C脚针、与芯片，所组合构成。

所述的E脚针，与前端引线片是一体成形的结构，由引线片链接于芯片表面。

所述的B脚针，前端设承载面，用于连结芯片底面。

所述的C脚针，与前端引线片也是一体成形的结构，由引线片链接于芯片表面角端。

B脚针前端设承载面与陶瓷基板之间，是以高温烧结加工而使B脚针前端设承载面结合于陶瓷基板上形成一体。

最后再以外封装加工，构成功率晶体成品。

所述的陶瓷基板，是由陶瓷材料一体成形。

陶瓷基板上设一穿孔，可供穿设螺钉用以固锁在金属散热鳍片上。

据此一结构及设计，本实用新型的功率晶体吸热装置，因为芯片与陶瓷基板之间除了B脚针前端的承载面，并没由其他介质，芯片工作所产生的热，就可直接经由陶瓷基板吸收而快速散逸，大幅提升了吸热的效果。

E脚针与前端引线片一体成形、C脚针与前端引线片也是一体成形的结构，减少了两个零件与两个零件的焊接工序，使得功率晶体的结构更简单，简化了生产流程也降低了制造成本，达到本实用新型的前揭预定目的。

本实用新型的有益效果是，其最少零件，结构更简单，能简化生产流程，降低制造工时成本。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

图1为设有本实用新型吸热装置的功率晶体成品外观示意图。

图2为图1中功率晶体尚未包覆外封装时的示意图。

图3为图2中功率晶体吸热装置的组件分解图。

图4为一现有功率晶体的成品外观示意图。

图5为图4中现有功率晶体尚未包覆外封装时的示意图。

图6为图5中现有功率晶体的组件分解图。

图中标号说明：

10 功率晶体

11 E脚针

12 B脚针

13 C脚针

14 引线片

15 承载面

16 引线片

17 陶瓷基板

18 穿孔

19 外封装

20 芯片

30 功率晶体

31 E脚针