[实用新型]等离子体气相沉积装置用背板及等离子体气相沉积装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及化学气相沉积领域，尤其涉及一种等离子体气相沉积装置用背板及等离子体气相沉积装置。

背景技术

液晶面板是一种采用液晶为材料的显示器，液晶是介于固态和液态间的有机化合物，将其加热会变成透明液态，冷却后会变成结晶的混浊固态。在电场作用下，液晶分子会发生排列上的变化，从而影响通过其的光线变化，这种光线的变化通过偏光片的作用可以表现为明暗的变化，从而达到显示图像的目的。

用来控制电场的TFT(Thin-Film Transistor：薄膜场效应晶体管)开关的性能是整个液晶面板最关键的技术参数之一，改善沉积薄膜的均匀性是提高TFT性能最主要的手段，也一直是液晶面板厂家所追求的目标。

目前在制作TFT开关沉积薄膜时大多采用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)技术，即等离子增强化学气相沉积技术，等离子增强化学气相沉积技术是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应。

图1为现有技术中等离子增强化学气相沉积技术使用的等离子体气相沉积装置的结构示意图，其结构包括反应腔室8、所述反应腔室8中由上至下依次设有背板1、扩散器5和基座6，所述背板1连接有射频电源(图中未示出)，所述基座6接地。

现有技术的等离子体气相沉积装置工作过程如下：

首先将玻璃基板7放置在反应腔室8内的基座6上，然后反应气体从背板1上的进气孔2进入背板1与扩散器5之间的空间中，接着通过扩散器5扩散至反应腔室8内部，并在背板1与基座6之间提供的射频功率的作用下通过化学反应生成等离子体，反应气体在等离子体态反应，生成固体和新的气体的反应，在玻璃基板7表面生成薄膜。

但是，由于现有等离子体气相沉积装置中使用的背板上只设有一个气孔，因此反应气体进入反应腔内部后无法保证其均匀扩散，这样会导致越接近进气孔的位置气体流出量越多，越远离进气孔的位置气体流出量越少，从而直接影响到在基板上成膜的均匀性。

实用新型内容

本实用新型的实施例提供一种等离子体气相沉积装置用背板及相应的等离子体气相沉积装置，使气体可以均匀进入反应区域，从而改善沉积薄膜厚度的均匀性，提高TFT特性和产品的良率。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

一种等离子体气相沉积装置用背板，所述背板的一个表面设有进气孔，所述背板的另一相对表面设有多个出气孔，所述背板内部设有空腔，所述进气孔和多个所述出气孔均与所述空腔连通。

本实用新型与现有技术相比具有如下优点和效果：本实用新型背板内部设有空腔，背板表面设有多个与空腔连通的出气孔，使反应气体通过进气孔进入空腔后再通过多个出气孔喷洒到背板下部的扩散器，达到了气体均匀进入反应区域的目的。从而改善了沉积薄膜厚度的均匀性，提高了TFT特性和产品的良率。

多个所述出气孔布置于所述另一相对表面的整个区域，所述空腔覆盖到所有所述出气孔上。由此，使气体在背板的整个下表面最大程度的扩散。

所述出气孔均匀分布于所述另一相对表面。由此，使气体扩散更加均匀。

所述出气孔的截面形状为圆形或多边形。由此，提高了产品的多样性，保证产品能够适应各种不同的工作环境。

所述背板可以选择不同的加工方式制作，例如：可以选择由分体制作后组装成型。由此，使得所述空腔的加工工艺更加简单，降低加工成本。

所述背板也可以选择采用一体成型的加工方式制作。由此，可以省去组装背板的麻烦，而且不需要考虑组装结构产生的密封问题。

本实用新型还提供了一种等离子体气相沉积装置，包括背板，所述背板为上述任一项技术方案中所述的背板。

本实用新型提供的等离子体气相沉积装置使用的背板内部设有空腔，背板的表面设有多个与空腔连通的出气孔，使反应气体通过进气孔进入空腔后再通过多个出气孔喷洒到背板下部的扩散器，使得反应气体在到达扩散器之前已经预先进行了扩散，达到了使反应气体能够更加均匀地进入反应区域的目的。从而改善了沉积薄膜厚度的均匀性，提高了TFT特性和产品的良率。

附图说明