[发明专利]一种低温沉积柔性基材ITO膜镀膜装置及方法

权利要求书

1.一种低温沉积柔性基材ITO膜镀膜装置，其特征在于，包括可实现正转和反转的基材卷绕机构、离子源、非平衡中频磁控溅射机构以及容器体，基材卷绕机构、离子源和非平衡中频磁控溅射机构分别设于容器体内，离子源设于基材卷绕机构中放卷组件的外侧，非平衡中频磁控溅射机构设于基材卷绕机构中主辊的外侧；容器体外接高真空抽气机构，基材卷绕机构的输入端外接工件输送机构，基材卷绕机构的主辊一端外接冷热交换机构。

2.根据权利要求1所述一种低温沉积柔性基材ITO膜镀膜装置，其特征在于，所述基材卷绕机构包括依次连接的放卷组件、主辊和收卷组件，放卷组件和收卷组件对称设于主辊的两侧；按照柔性基材的输送方向，放卷组件包括依次连接的放卷辊、第一导辊、第一检测辊、第二导辊和第三导辊，收卷组件包括依次连接的第四导辊、第五导辊、第二检测辊、第六导辊和收卷辊，其中，第三导辊和第四导辊之间设置主辊，第一检测辊和第二检测辊分别外接伺服电机转速监控机构。

3.根据权利要求2所述一种低温沉积柔性基材ITO膜镀膜装置，其特征在于，所述容器体为横置的圆筒状结构，主辊设于容器体下部的空间内，放卷辊和收卷辊分别设于容器体上部的空间内，非平衡中频磁控溅射机构设于主辊下方，离子源设于放卷组件外侧的容器体内壁上。

4.根据权利要求1所述一种低温沉积柔性基材ITO膜镀膜装置，其特征在于，所述非平衡中频磁控溅射机构包括至少一对阴极组，每对阴极组独立配置一个中频交流电源；各阴极组分别包括两个溅射阴极；各溅射阴极分别包括靶材、阴极体和磁铁，靶材固定在阴极体上，阴极体设于主辊的外侧，在阴极体内设置多个并排分布的磁铁，各磁铁的两极端面分别与靶材和阴极体内的导磁块垂直连接；相邻两个磁铁之间的磁极极性相反。

5.根据权利要求4所述一种低温沉积柔性基材ITO膜镀膜装置，其特征在于，所述阴极组中的两个溅射阴极为孪生排列结构，两个阴极体中的磁铁并排分布，但相邻两个位于不同溅射阴极内的磁铁之间的磁极极性相反。

6.根据权利要求4所述一种低温沉积柔性基材ITO膜镀膜装置，其特征在于，所述非平衡中频磁控溅射机构包括多对阴极组时，相邻的两对阴极组之间，相邻两个溅射阴极的阴极体内的磁铁之间的磁极磁性相同。

7.根据权利要求1所述一种低温沉积柔性基材ITO膜镀膜装置，其特征在于，所述高真空抽气机构包括扩散泵机组和分子泵机组，扩散泵机组设于容器体的一端，分子泵机组设于容器体的底部；扩散泵机组包括扩散泵和第一前级泵，扩散泵一端与容器体连接，扩散泵另一端通过管道与第一前级泵连接，扩散泵与第一前级泵连接的管道上设有阀门；分子泵机组包括分子泵和第二前级泵，分子泵一端与容器体底部连接，分子泵另一端与第二前级泵连接；第一前级泵和第二前级泵均为机械真空泵。

8.根据权利要求1～7任一项所述装置实现一种低温沉积柔性基材ITO膜镀膜方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）工件输送机构将柔性基材送入容器体内的基材卷绕机构中；

（2）启动高真空抽气机构对容器体进行抽真空；

（3）当容器体内的真空度达到预定真空度后，启动基材卷绕机构，对柔性基材进行放卷和收卷的传送；

（5）柔性基材放卷后，先通过离子源对柔性基材进行离子表面处理；

（6）柔性基材传送至主辊处时，通过非平衡中频磁控溅射机构进行溅射，在柔性基材表面沉积ITO层。

9.根据权利要求8所述一种低温沉积柔性基材ITO膜镀膜方法，其特征在于，所述步骤（6）中，非平衡中频磁控溅射机构进行溅射后，若柔性基材表面的ITO层厚度未达到产品所要求的厚度，则基材卷绕机构反转，非平衡中频磁控溅射机构对柔性基材表面进行二次溅射。

10.根据权利要求8所述一种低温沉积柔性基材ITO膜镀膜方法，其特征在于，所述柔性基材为耐高温材料或不耐高温材料；

柔性基材的宽度为300～2500mm，柔性基材的卷绕直径为200～1000mm。