[发明专利]具有内嵌半导体以及内建定位件的连线基板及其制造方法

权利要求书

1.一种具有内嵌元件以及内建定位件的连线基板的制备方法，其特征在于，包括：

形成一定位件于一介电层上；

使用该定位件作为一半导体元件的一配置导件，以设置该半导体元件于该介电层上，该半导体元件包括具有一接触垫于其上的一主动面，以及一非主动面，其中该主动面面朝一第一垂直方向，该非主动面面朝与该第一垂直方向相反的一第二垂直方向，且该定位件靠近该半导体元件的外围边缘，且于垂直该第一垂直方向以及该第二垂直方向的侧面方向上侧向对准该半导体元件的外围边缘，并于该半导体元件的外围边缘外侧向延伸；

将一加强层贴附于该介电层上，包括对准该半导体元件以及该定位件于该加强层的一通孔内；

形成一第一增层电路，该增层电路于该第一垂直方向覆盖该定位件、该半导体元件、以及该加强层，且该第一增层电路包括一第一导电盲孔，该第一导电盲孔直接接触该半导体元件的该接触垫，以提供该半导体元件以及该第一增层电路之间的电性连接；

形成一第二增层电路，该第二增层电路于该第二垂直方向覆盖该定位件、该半导体元件、以及该加强层；以及

提供一被覆穿孔，该被覆穿孔于该第一垂直方向以及该第二垂直方向延伸穿过该加强层，并提供该第一增层电路以及该第二增层电路之间的电性连接。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，该半导体元件以及该第一增层电路之间的电性连接不含焊料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成该定位件于该介电层上的步骤包括：

提供一层压基板，该层压基板包括一金属层以及该介电层；然后

移除该金属层的一选定部分以形成该定位件。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成该定位件于该介电层上的步骤包括：

提供一层压基板，该层压基板包括一金属层以及该介电层；然后

移除该金属层的一选定部分以形成一凹陷部分；然后

沉积一塑料材料于该凹陷部分；然后

移除该金属层的一剩余部分。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，该半导体元件设置于该介电层上，其该主动面面朝该介电层，且该定位件自该介电层朝该第二垂直方向延伸。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，使用一黏着剂将该半导体元件贴附于该介电层上，该黏着剂接触该半导体元件以及该介电层，且介于该半导体元件以及该介电层之间。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，该黏着剂接触该定位件，并于该第一垂直方向与该定位件共平面，且于该第二垂直方向低于该定位件。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，形成该第一增层电路以及该第二增层电路的步骤包括：

提供一第一绝缘层，该第一绝缘层包括该介电层，且于该第一垂直方向覆盖该定位件、该半导体元件、以及该加强层；

提供一第二绝缘层，该第二绝缘层于该第二垂直方向覆盖该定位件、该半导体元件、以及该加强层；

形成一第一盲孔，该第一盲孔延伸穿过该第一绝缘层以及该黏着剂，且对准该半导体元件的该接触垫；

形成一第一导线，该第一导线自该第一绝缘层朝该第一垂直方向延伸，且于该第一绝缘层上侧向延伸，并于该第二垂直方向延伸穿过该第一盲孔以形成与该半导体元件的该接触垫直接接触的该第一导电盲孔；以及

形成一第二导线，该第二导线自该第二绝缘层朝该第二垂直方向延伸，且于该第二绝缘层上侧向延伸。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，形成该第一增层电路的步骤包括：

形成一额外第一盲孔，该额外第一盲孔延伸穿过该第一绝缘层，且对准该加强层；然后

形成该第一导线，该第一导线于该第二垂直方向延伸穿过该额外第一盲孔，以形成与该加强层直接接触的一额外第一导电盲孔。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，形成该第二增层电路的步骤包括：

形成第二盲孔，该些第二盲孔延伸穿过该第二绝缘层，且对准于该半导体元件的该非主动面以及该加强层；然后

形成该些第二导线，该第二导线于该第一垂直方向延伸穿过该第二盲孔，以形成与该半导体元件的该非主动面以及该加强层直接接触的第二导电盲孔。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，该半导体元件设置于该介电层上，该非主动面面朝该介电层，且该定位件自该介电层朝该第一垂直方向延伸。