[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示器

说明书

技术领域

本发明涉及显示器技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示器。

背景技术

图1为现有技术中底栅型薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）的结构示意图，该薄膜晶体管包括：形成于衬底基板10上的栅极60、栅极绝缘层70、源极20、漏极30、半导体有源层40和保护层90。包含薄膜晶体管的阵列基板还包括钝化层50和像素电极80。底栅型的薄膜晶体管栅极60可以阻挡背光源的光照，避免半导体有源层40受背光源的光照而导致薄膜晶体管产生漏电流。该结构的薄膜晶体管为了避免外界环境中水及氧气等对半导体有源层40的影响，在半导体有源层40的上方设置了一层保护层90，保护层90可以避免金属氧化物半导体有源层40受外界水及氧气的影响，而该结构中的保护层90多为非金属，会导致薄膜晶体管产生漏电流。图2为现有技术的顶栅型薄膜晶体管的结构示意图，该薄膜晶体管包括：形成于衬底基板100上的漏极200、源极300、有源层400、栅极绝缘层500、栅极600。包含薄膜晶体管的阵列基板（Array）还包含钝化层700和像素电极800。在图2所示的顶栅型薄膜晶体管中，栅极600可以阻挡外界光照对半导体有源层400的影响，漏极200与源极300之间断开，背光源的光可以穿过透明的衬底基板100照射到半导体有源层400，而半导体有源层400与漏极200相接触，同时半导体有源层400与源极300相接触，半导体有源层400受到光照后会将漏极200和源极300导通，从而导致薄膜晶体管产生漏电流。

综上所述，现有技术中的顶栅型的薄膜晶体管容易受到背光源影响而产生漏电流。

发明内容

本发明实施例提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示器，本发明实施例提供的薄膜晶体管可以避免半导体有源层受到光照影响而导致薄膜晶体管产生漏电流的问题。

本发明实施例提供的一种薄膜晶体管，包括源极和漏极、半导体有源层、栅极绝缘层和栅极，该薄膜晶体管还包括：位于源极与漏极之间的遮光板，所述遮光板将源极与漏极阻断，并且该遮光板位于半导体有源层入射光侧，用于阻挡入射光对半导体有源层的照射。

本发明实施例提供的一种阵列基板，包括所述的薄膜晶体管。

本发明实施例提供的一种显示器，包括所述的阵列基板。

本发明实施例提供的一种薄膜晶体管制作方法，该方法包括：制作源极、漏极和遮光板，其中，所述遮光板位于所述源极与所述漏极之间，并将源极与漏极阻断；制作半导体有源层，所述遮光板位于半导体有源层的入射光侧，阻挡入射光对半导体有源层的照射；在源极、漏极和半导体有源层上方制作栅极绝缘层和栅极。

综上所述，本发明实施例的薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示器，所述薄膜晶体管包括源极和漏极、半导体有源层、栅极绝缘层和栅极，该薄膜晶体管还包括：位于源极与漏极之间的遮光板，所述遮光板将源极与漏极阻断，并且该遮光板位于半导体有源层入射光侧，用于阻挡入射光对半导体有源层的照射，从而可以避免半导体有源层受到光照影响而导致薄膜晶体管产生漏电流的问题，有效的实现了高稳定的薄膜晶体管特性。

附图说明

图1为现有技术中底栅型薄膜晶体管的结构示意图；

图2为现有技术中顶栅型薄膜晶体管的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的一种薄膜晶体管的结构示意图；

图4-图12分别为本发明实施例提供的一种薄膜晶体管在制作过程中的不同阶段的结构示意图。

具体实施方式

本发明实施例提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示器，用以避免半导体有源层受到光照影响而导致薄膜晶体管产生漏电流的问题。

本发明实施例提供的一种薄膜晶体管，包括源极和漏极、半导体有源层、栅极绝缘层和栅极，该薄膜晶体管还包括：位于源极与漏极之间的遮光板，所述遮光板将源极与漏极阻断，该遮光板位于半导体有源层入射光侧，阻挡入射光对半导体有源层的照射。