[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示器

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括源极和漏极、半导体有源层、栅极绝缘层和栅极，其特征在于，该薄膜晶体管还包括：位于源极与漏极之间的遮光板，所述遮光板将源极与漏极阻断，所述遮光板位于半导体有源层的入射光侧，阻挡入射光对半导体有源层的照射。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述遮光板的材料为金属钛的氧化物或金属铝的氧化物。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极和所述漏极为双层结构或多层结构，所述源极包括第一源极层和第二源极层；所述漏极包括第一漏极层和第二漏极层；其中，第一源极层和第一漏极层位于衬底基板上，第二源极层位于第一源极层上并覆盖第一源极层，第二漏极层位于第一漏极层上并覆盖第一漏极层。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二源极层和/或第二漏极层为锯齿状保护层。

5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一源极层的材料为钛Ti或铝Al金属；所述第一漏极层的材料为钛Ti或铝Al金属。

6.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二源极层的材料为钼Mo或铬Cr金属；所述第二漏极层的材料为钼Mo或铬Cr金属。

7.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括权利要求1-6任一权项所述的薄膜晶体管。

8.一种显示器，其特征在于，所述显示器包括权利要求7所述的阵列基板。

9.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，该方法包括：

制作源极、漏极和遮光板，其中，所述遮光板位于所述源极与所述漏极之间，并将源极与漏极阻断；

制作半导体有源层，所述遮光板位于半导体有源层的入射光侧，阻挡入射光对半导体有源层的照射；

在源极、漏极和半导体有源层上方制作栅极绝缘层和栅极。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作源极、漏极和遮光板的方法包括：

在衬底基板上沉积一层金属层，将该金属层的两端分别制作成源极层与漏极层，对金属层中间部分的区域进行氧化处理，制作得到遮光板。

11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作源极、漏极和遮光板包括制作第二源极层和第二漏极层，具体包括：

采用灰阶或半阶曝光技术曝光使得第二源极层和第二漏极层上方覆盖的光刻胶为锯齿状光刻胶，之后采用干法刻蚀或湿法刻蚀的方法制作第二源极层和第二漏极层。