[发明专利]一种小功率激光二极管及耦合方法

说明书

技术领域

本发明涉及光器件领域，尤其是一种激光二极管。

背景技术

传统激光二极管的发光功率较大，耦合效率也较高，耦合得到的光发射次模块的光功率也较大。当需要制作发光功率小的光发射次模块时，采用将光耦合调离最佳耦合状态的方式，使耦合效率降低，最终获得较小的发光功率的光发射次模块。此方法由于是采用耦合离焦的方式，使得最终的产品光发射次模块的光功率不够稳定，产品的高低温特性和长期稳定性都有恶化的情况。

为了提高产品的稳定性，需要提供一种新的技术方案以解决上述问题。

发明内容

本发明的目的是针对现有技术存在的不足，提供一种小功率激光二极管。

为实现上述目的，本发明小功率激光二极管可采用如下技术方案：

一种小功率激光二极管，包括管座、与管座相固定的热沉、连接于热沉上的激光二极管芯片、管帽，所述激光二极管芯片位于管座及管帽之间，激光二极管芯片的正向光发光面朝向管座，激光二极管芯片的背向光发光面朝向管帽。

与背景技术相比，由于激光二极管芯片的背向光发光面发出的背向光，比正向光发光面发出的正向光小，则此方法可以得到小功率的激光二极管芯片。

上述小功率激光二极管的耦合方法为：

提供与小功率激光二极管进行耦合作业的陶瓷插芯，小功率激光二极管发射出激光，在陶瓷插芯的端面处被耦合进陶瓷插芯内的光纤内；由于激光二极管芯片的背向光发光面发出的背向光，比正向光发光面发出的正向光小，则此方法可以得到小功率的激光二极管；而采用该小功率的激光二极管和陶瓷插芯进行耦合，当耦合达到最佳状态的时候，仍然可以得到发光功率较小的小功率光发射次模块。

附图说明

图1是本发明小功率激光二极管与陶瓷插芯耦合时的示意图。

图2是本发明小功率激光二极管的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。

请参阅图1及图2所示，本发明公开一种小功率激光二极管1，包括管座11、与管座11相固定的热沉12、连接于热沉12上的激光二极管芯片13、管帽14。所述激光二极管芯片13位于管座11及管帽14之间，激光二极管芯片13的正向光发光面301朝向管座11，激光二极管芯片13的背向光发光面302朝向管帽14。所述管帽14位于小功率光发射次模块1发射出激光的一端。其中，由于激光二极管芯片13的背向光发光面302发出的背向光，比正向光发光面301发出的正向光小，则此方法可以得到小功率的激光二极管芯片13，从而得到小功率激光二极管1。

该小功率激光二极管的耦合方法为：提供与小功率光激光二极管1进行耦合作业的陶瓷插芯2并将小功率光激光二极管1及陶瓷插芯2放置于同一光路上。小功率激光二极管1中的激光二极管芯片13发射出激光，在陶瓷插芯2的端面处被耦合进陶瓷插芯2内的光纤（未图示）内。如前所述，由于激光二极管芯片13的背向光发光面302发出的背向光，比正向光发光面301发出的正向光小，则此方法可以得到小功率的激光二极管芯片13。而采用该小功率的激光二极管1和陶瓷插芯2进行耦合，当耦合达到最佳状态的时候，可以得到发光功率较小的小功率光发射次模块。

由于此方案，在耦合最佳状态下，得到发光功率小的光发射次模块，产品的高低温特性、长期稳定性等产品性能比传统的小光功率光发射次模块更好。