[发明专利]薄膜晶体管和有源矩阵有机发光二极管组件及制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

半导体层，所述半导体层包括源区、漏区、沟道区、与所述沟道区相邻的第一轻掺杂漏极区、与所述第一轻掺杂漏极区相邻的第二轻掺杂漏极区，

其中，所述第二轻掺杂漏极区的掺杂浓度低于所述第一轻掺杂漏极区的掺杂浓度。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中还包括：

衬底；

位于所述衬底上的缓冲层，所述半导体层位于所述缓冲层上；

覆盖所述半导体层的第一栅绝缘层；

位于所述第一栅绝缘层上的第二栅绝缘层底脚，所述第二栅绝缘层底脚的宽度小于所述第一栅绝缘层的宽度；

位于所述第二栅绝缘层底脚上的栅电极。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其中所述第一栅绝缘层为氧化硅层。

4.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其中所述第二栅绝缘层底脚包括氮化硅。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述半导体层包括低温多晶硅。

6.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其中所述栅电极由选自钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬和铜构成的组中的至少一种材料形成。

7.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其中所述第二栅绝缘层底脚的边缘具有一突出部，使得所述边缘的厚度大于所述第二栅绝缘层底脚的其余部分的厚度。

8.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述栅电极的宽度小于所述第二栅绝缘层底脚的宽度。

9.一种制造薄膜晶体管的方法，包括：

形成一结构，所述结构包括衬底、位于所述衬底上的半导体层、覆盖所述半导体层的第一栅绝缘层、位于所述第一栅绝缘层上的第二栅绝缘层底脚及位于所述第二栅绝缘层底脚上的栅电极，其中所述第二栅绝缘层底脚的边缘具有一突出部，使得第二栅绝缘层底脚的边缘的厚度大于其余部分的厚度；

使用所述栅电极和所述第二栅绝缘层作为掩模，注入杂质离子到所述半导体层中，从而形成源区、漏区、与所述源区/漏区相邻的第二轻掺杂漏极区和与所述第二轻掺杂漏极区相邻的第一轻掺杂漏极区，其中所述第二轻掺杂漏极区的掺杂浓度低于所述第一轻掺杂漏极区的掺杂浓度。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述第二栅绝缘层底脚通过如下步骤形成：

形成覆盖所述第一栅绝缘层的第一光致抗蚀剂层并构图，从而形成第一光致抗蚀剂图案，所述第一光致抗蚀剂图案包括暴露所述半导体层的中间部分的开口；

在所述第一光致抗蚀剂图案上形成第二栅绝缘层，所述第二栅绝缘层覆盖所述第一光致抗蚀剂图案的上表面和位于所述开口中的侧壁表面以及所述半导体层的暴露表面；

在所述第二栅绝缘层上沉积栅极金属层，所述栅极金属层未完全填充所述开口；

在所述栅金属层涂布并烘烤第二光致抗蚀剂层；

去除所述第二光致抗蚀剂层的一部分，从而在所述开口中留下第二光致抗蚀剂图案，所述第二光致抗蚀剂图案的顶表面低于所述栅极金属层的顶表面；

利用所述第二光致抗蚀剂图案做为掩模，通过湿法蚀刻选择性去除所述栅极金属层的一部分而形成栅极金属图案；

利用所述第二光致抗蚀剂图案和所述栅极金属图案做为掩模，通过湿法蚀刻选择性去除所述第二栅绝缘层的一部分而形成所述第二栅绝缘层底脚。

11.如权利要求10所述的方法，还包括：

在形成所述第二栅绝缘层底脚之后，利用所述第二光致抗蚀剂图案做为掩模，通过湿法蚀刻对所述栅极金属图案进行二次蚀刻而形成栅电极。

12.如权利要求9所述的方法，其中所述第一栅绝缘层为氧化硅层。

13.如权利要求9所述的方法，其中所述第二栅绝缘层包括氮化硅。

14.如权利要求9所述的方法，其中所述半导体层包括低温多晶硅。

15.如权利要求9所述的方法，其中所述栅电极由选自钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬和铜中的至少一种材料形成。

16.如权利要求10所述的方法，其中所述第二光致抗蚀剂层完全填充所述开口并覆盖所述栅极金属层的顶部。

17.如权利要求10所述的方法，其中所述栅极金属图案的暴露的上表面与位于所述第二光致抗蚀剂图案下面的栅极金属图案的上表面平齐。

18.一种有源矩阵有机发光二极管组件，包括如权利要求1-8中任一项所述的薄膜晶体管。