[发明专利]高电压接面场效晶体管结构无效

申请号：	201210587232.2	申请日：	2012-12-28
公开（公告）号：	CN103904078A	公开（公告）日：	2014-07-02
发明（设计）人：	许维勋;杜硕伦;连士进;吴锡垣	申请（专利权）人：	旺宏电子股份有限公司
主分类号：	H01L27/098	分类号：	H01L27/098;H01L29/417;H01L21/8232;H01L21/28
代理公司：	中科专利商标代理有限责任公司 11021	代理人：	任岩
地址：	中国台***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	电压接面场效晶体管结构
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【说明书】：

技术领域

本发明大体上系关于高电压JFET(接面场效晶体管)结构，且更特定的说，是关于嵌入于CMOS电路中的可调谐JFET结构。

背景技术

对于切换模式电源供应器(下文中称作SMPS)或切换器而言，其为并有切换调节器以有效地转换电功率且通常用以有效地提供经调节的输出电压的电子电源供应器。起动电路通常包括于SMPS中，且用以在转换器开始操作时关闭电力。起动电路之要求为在低泄漏的情况下保持电力关断。

与藉由利用电阻器或空乏型MOS作为电力控制之传统方式相比较，采用高电压JFET(接面场效晶体管)来提供高夹止电压及低泄漏。在操作期间，因为对JFET之PN接面加反向偏压，所以源极与汲极之间的通道经挤压以由于增加之空乏区而断开。因此，无载流子可在JFET中流动。

按照惯例，外部JFET用于起动电路。遗憾地，在竞争性芯片大小竞赛变得对芯片设计者愈来愈重要时，保留特定区域以将外部JFET建置于有限作用区上将为奢侈的。对外部JFET之另一挑战为随着CMOS技术的应用增加，建构外部JFET之程序可能不同于CMOS。因此，需要用于分配之额外程序以将JFET建置于CMOS电路中，对于制造者而言，此通常可增加成本及时间。

因此，不需要引入不同制程的情况下提供用于CMOS装置起动电路之嵌入式JFET。亦需要能够提供夹止电压可调谐JFET以便增加CMOS装置之应用。

发明内容

本发明之目标为提供一种可调谐JFET结构，所述JFET结构可用于一CMOS装置之一起动电路中。所述JFET结构具有一第一调谐旋钮以调整所述JFET结构之夹止电压。所述JFET结构亦具有一第二调谐旋钮以调整所述夹止电压。其中第二调谐旋钮位于第一调谐旋钮下方接近基板处。

根据本发明之一实施例包括一种JFET结构。所述JFET结构包括具有一第一端子之一第一JFET及与所述第一JFET相邻之一第二JFET。两个JFET共享所述第一端子，且所述第一端子在每一JFET的闸极区之间。

另一实施例为一种具有复数个夹止信道之JFET结构。所述结构包括具有一第一导电型之一基板及具有一第一端子之一第一JFET。所述结构进一步包括在所述基板中/上之一第二JFET，其中所述第一JFET具有一第一端子且与所述第二JFET共享，且所述第一端子在所述第一JFET与所述第二JFET之间。此外，所述JFET具有具一第二导电型之一内埋层，所述内埋层在所述基板中且在所述第一JFET及所述第二JFET之下。

另一实施例为一种制造一JFET结构之方法。所述方法包括提供具有一第一导电型之一基板。所述方法亦包括在所述基板中形成一第一JFET及一第二JFET，其中所述第一JFET与所述第二JFET共享一第一端子，且所述第一端子在每一JFET之闸极区之间。此外，所述方法包括在所述第一JFET及所述第二JFET之下形成具有第二导电型之一内埋层。

附图说明

图1说明JFET结构之有效电路。

图2描绘JFET结构之半导体结构。

图3描绘根据施加反向偏压于一实施例之JFET结构之半导体结构。

图4描绘根据一实施例之JFET结构之半导体结构。

图5描绘根据一实施例之JFET结构之半导体结构。

图6描绘根据一实施例之JFET结构之半导体结构。

图7描绘施加反向偏压于一实施例之JFET结构之半导体结构。

图8A至图8B描绘两个不同实施例之I-V曲线比较。

图9描绘根据一实施例之JFET结构之半导体结构。

图10描绘根据一实施例之JFET结构之半导体结构。

图11为说明一实施例之第二隔离区的崩溃电压与宽度之间的关系之图式。