[发明专利]一种阴极制备前处理装置及清洁方法有效
申请号: | 201210563611.8 | 申请日: | 2012-12-21 |
公开(公告)号: | CN103094021A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 赛小锋;韦永林;刘永安;盛立志;刘哲;赵宝升 | 申请(专利权)人: | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
主分类号: | H01J9/12 | 分类号: | H01J9/12;H01J37/32 |
代理公司: | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人: | 王少文 |
地址: | 710119 陕西省西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阴极 制备 处理 装置 清洁 方法 | ||
1.一种阴极制备前处理装置,包括支撑筒、连接法兰、清洁装置,所述支撑筒下端与连接法兰绝缘连接,所述支撑筒上端设置有支撑筒盖,所述支撑筒盖上方设置有放置阴极窗的开口,
其特征在于:
所述清洁装置包括上圆环形电极、下圆环形电极、穿过连接法兰的两个电极引线、高压直流电源,所述上圆环形电极为阴极,所述下圆环形电极为阳极,所述上圆环形电极与阴极制备表面平行且与阴极制备表面同高或高于阴极制备表面,所述下圆环形电极与上圆环形电极平行且位于上圆环形电极下方;
所述两个电极引线的上端分别与上圆环形电极和下圆环形电极连接,下端与高压直流电源连接;
所述支撑筒上设置有气孔,所述气孔在支撑筒上的位置低于上圆环形电极高于下圆环形电极。
2.根据权利要求1所述的一种阴极制备前处理装置,其特征在于:与上圆环形电极连接的电极引线同时与支撑筒或支撑筒盖连接。
3.根据权利要求1或2所述的一种阴极制备前处理装置,其特征在于:还包括陶瓷绝缘环,所述陶瓷绝缘环设置在支撑筒与连接法兰之间。
4.根据权利要求3所述的一种阴极制备前处理装置,其特征在于:所述上圆环形电极和下圆环形电极由直径1毫米的细丝形成。
5.根据权利要求4所述的一种阴极制备前处理装置,其特征在于:所述高压直流电源的电压在0~2000伏范围内调节,直流电流在0~20毫安范围内调节;上圆环形电极和下圆环形电极之间的间距在5~20mm之间调节;下圆环形电极与阴极支撑筒的距离大于20mm;上圆环形电极和下圆环形电极的直径在20~50mm的范围内调节。
6.一种阴极制备前的清洁方法,其特征在于:具体步骤如下:
1】将阴极窗固定在圆筒形支撑筒的上端,使其待清洁表面朝里;
2】将两个水平放置、间隔一定距离、由细丝成型的圆环形电极放入支撑筒内,上圆环形电极接高压直流电源阴极,下圆环形电极接高压直流电源阳极,其中上圆环形电极平面和阴极窗制备阴极的表面平行,位置可以同一水平面或略高;
3】将阴极窗和支撑筒放置在真空环境中;
4】向支撑筒内通入惰性气体,使支撑筒内惰性气体的压力达到动态平衡并满足辉光放电的条件;
5】在上圆环形电极和下圆环形电极之间加直流高压,时间5分钟,完成清洁。
7.根据权利要求6所述的阴极制备前的清洁方法,其特征在于:所述惰性气体为氮气或氩气。
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- 一种涉及光电阴极产品领域,尤指一种应用于光电阴极制作时的影像增强器,用于影像增强器中碱金属发生器结构改进的光电阴极制作中控制对比度的装置。本实用新型改进了内部碱金属蒸发器的结构,通过设有两组碱金属蒸发器装在一个容器内,其中一组为铯蒸发器,另一组为钾蒸发器,组成了控制对比度的装置。主要解决如何改进内部碱金属蒸发器的结构等有关技术问题。本实用新型的有益效果是:通过设有两组碱金属蒸发器装在一个容器内,其中一组为铯蒸发器,另一组为钾蒸发器,使得成品影像增强器的对比度得以可控,在提高对比度的同时,缩小了对比度的离散范围,具有高真空、结构合理及产品质量可靠等优点。
- 多功能光电阴极工艺制作系统-201420093586.6
- 章振昂;吴明康;王新军;张丹 - 上海泰雷兹电子管有限公司
- 2014-03-03 - 2014-07-23 - H01J9/12
- 一种涉及光电阴极产品领域,尤指一种应用于光电阴极制作系统,并对不同阴极的制作结构改进的多功能光电阴极工艺制作系统。本实用新型通过两种不同方式的管道接口,既能对玻璃材质管道进行连接的影像增强器,又能对金属材质管道进行连接的影像增强器,并在影像增强器内建立适合其工作的高真空状态的光电阴极生成环境。主要解决如何改进既能对玻璃材质管道进行连接,又能对金属材质管道进行连接接口的结构等有关技术问题。本实用新型的有益效果是:该系统通过两种不同方式的管道接口的结构,实现了能同时针对不同品种、规格以及应用连接的多功能光电阴极工艺制作系统,具有使用方便、结构合理及产品质量可靠等优点。
- 一种合金型二次电子发射材料激活装置-201320468739.6
- 王彬;熊良银;李明群;葛鹏;刘实 - 中国科学院金属研究所
- 2013-08-01 - 2014-03-12 - H01J9/12
- 了满足合金型二次电子发射材料不同激活工艺条件下的工艺参数要求,本实用新型提供了一种合金型二次电子发射材料激活装置,能够在不同激活工艺参数条件下激活处理合金型二次电子发射材料,其特征在于:所述装置包括真空系统、氧化性气体源和反应室;其中,真空系统和氧化性气体源均与反应室相连,氧化性气体源包括气体反应制备室、贮气瓶、气压表和气体质量流量计,气体反应制备室与贮气瓶连通,并通过气体质量流量计与反应室相连,气体反应制备室可以制取高纯度的氧化性气体,并贮存在气瓶中,气压表用于监测气体反应制备室与贮气瓶内的气压,确保安全可靠。
- 硅微通道板真空填蜡结构释放方法-201310092179.3
- 梁永照;柴进;杨继凯;王国政;端木庆铎 - 长春理工大学
- 2013-03-21 - 2013-06-19 - H01J9/12
- 硅微通道板真空填蜡结构释放方法属于硅微细加工技术领域。现有技术工艺步骤较多,背部减薄消耗大量药品,且容易带来二次污染,石蜡填充效果差,盲孔率高,硅微通道板质量及成品率低。本发明在填蜡后抛光硅片背部,然后清洗并去蜡,其特征在于,所述填蜡工序是将经电化学腐蚀并清洗后的硅片与凝固状态的石蜡一同放入容器内,再将放置有所述硅片和石蜡的容器放入真空加热炉,抽真空后加热至所述石蜡熔化,熔化后的石蜡布满硅片正面,再将炉腔恢复常压,之后降温至室温。本发明填蜡充分,最后硅片的盲孔率仅为3.82×10-4%,硅微通道板质量及成品率大幅提高。另外,本发明不含硅片背部减薄工序,这也避免了药品的大量消耗和带来的二次污染。
- 一种阴极制备前处理装置-201220716633.9
- 赛小锋;韦永林;刘永安;盛立志;刘哲;赵宝升 - 中国科学院西安光学精密机械研究所
- 2012-12-21 - 2013-06-19 - H01J9/12
- 本实用新型一种阴极制备前处理装置,清洁装置包括支撑筒、连接法兰、清洁装置,支撑筒下端与连接法兰绝缘连接,支撑筒上端设置有支撑筒盖,支撑筒盖上方设置有放置阴极窗的开口,清洁装置包括上圆环形电极、下圆环形电极、穿过连接法兰的两个电极引线、高压直流电源,上圆环形电极为阴极,下圆环形电极为阳极,上圆环形电极与阴极制备表面平行且与阴极制备表面同高或高于阴极制备表面,下圆环形电极与上圆环形电极平行且位于上圆环形电极下方。本实用新型采用两个圆环形电极产生辉光放电的装置对阴极窗表面进行清洁的装置或方法,克服了其它装置或方法的缺点,可以实现阴极表面的原子级清洁和保证表面的完整性。
- 一种阴极制备前处理装置及清洁方法-201210563611.8
- 赛小锋;韦永林;刘永安;盛立志;刘哲;赵宝升 - 中国科学院西安光学精密机械研究所
- 2012-12-21 - 2013-05-08 - H01J9/12
- 本发明一种阴极制备前处理装置及清洁方法,清洁装置包括支撑筒、连接法兰、清洁装置,支撑筒下端与连接法兰绝缘连接,支撑筒上端设置有支撑筒盖,支撑筒盖上方设置有放置阴极窗的开口,清洁装置包括上圆环形电极、下圆环形电极、穿过连接法兰的两个电极引线、高压直流电源,上圆环形电极为阴极,下圆环形电极为阳极,上圆环形电极与阴极制备表面平行且与阴极制备表面同高或高于阴极制备表面,下圆环形电极与上圆环形电极平行且位于上圆环形电极下方。本发明采用两个圆环形电极产生辉光放电的装置对阴极窗表面进行清洁的装置或方法,克服了其它装置或方法的缺点,可以实现阴极表面的原子级清洁和保证表面的完整性。
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