[发明专利]一种AlGaN光电阴极原子级清洁表面的获得方法在审
| 申请号： | 201711005738.7 | 申请日： | 2017-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN107731642A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 付小倩;杨明珠;李阳;李志明;马骏;艾贻博 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | H01J9/12 | 分类号： | H01J9/12;H01J1/34 |
| 代理公司： | 济南誉丰专利代理事务所(普通合伙企业)37240 | 代理人： | 李茜 |
| 地址： | 250022 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种AlGaN光电阴极原子级清洁表面的获得方法，包括如下步骤(1)表面化学清洗；(2)热碱清洗；(3)刻蚀清洗；(4)Ar+溅射将经过刻蚀清洗的AlGaN光电阴极进行Ar+溅射，溅射的时间为0.5‑1.5分钟；(5)高温热清洗将经过Ar+溅射的AlGaN光电阴极在700‑720℃下进行清洗，清洗时间不少于30分钟，即获得AlGaN光电阴极原子级清洁表面。本发明通过将多种AlGaN光电阴极表面清洁操作有机组合，有效提高了AlGaN光电阴极表面的清洁效果，从而获得原子级清洁表面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 algan 光电 阴极 原子 清洁 表面 获得 方法 | ||
【主权项】：
一种AlGaN光电阴极原子级清洁表面的获得方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)表面化学清洗：依次采用丙酮、四氯化碳、无水乙醇和去离子水进行超声清洗；(2)热碱清洗：将经过表面化学清洗的AlGaN光电阴极采用沸腾的碱溶液进行清洗，清洗时间不少于1分钟；(3)刻蚀清洗：将经过热碱清洗的AlGaN光电阴极采用浓硫酸、H2O2和去离子水的混合溶液进行刻蚀清洗，清洗时间不少于10分钟；(4)Ar+溅射：将经过刻蚀清洗的AlGaN光电阴极进行Ar+溅射，溅射的时间为0.5‑1分钟；(5)高温热清洗：将经过Ar+溅射的AlGaN光电阴极在700‑720℃下进行清洗，清洗时间不少于30分钟，即获得AlGaN光电阴极原子级清洁表面。
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- 2014-03-03 - 2014-07-23 - H01J9/12
- 一种涉及光电阴极产品领域，尤指一种应用于光电阴极制作系统，并对不同阴极的制作结构改进的多功能光电阴极工艺制作系统。本实用新型通过两种不同方式的管道接口，既能对玻璃材质管道进行连接的影像增强器，又能对金属材质管道进行连接的影像增强器，并在影像增强器内建立适合其工作的高真空状态的光电阴极生成环境。主要解决如何改进既能对玻璃材质管道进行连接，又能对金属材质管道进行连接接口的结构等有关技术问题。本实用新型的有益效果是：该系统通过两种不同方式的管道接口的结构，实现了能同时针对不同品种、规格以及应用连接的多功能光电阴极工艺制作系统，具有使用方便、结构合理及产品质量可靠等优点。
- 一种合金型二次电子发射材料激活装置-201320468739.6
- 王彬;熊良银;李明群;葛鹏;刘实 - 中国科学院金属研究所
- 2013-08-01 - 2014-03-12 - H01J9/12
- 了满足合金型二次电子发射材料不同激活工艺条件下的工艺参数要求，本实用新型提供了一种合金型二次电子发射材料激活装置，能够在不同激活工艺参数条件下激活处理合金型二次电子发射材料，其特征在于：所述装置包括真空系统、氧化性气体源和反应室；其中，真空系统和氧化性气体源均与反应室相连，氧化性气体源包括气体反应制备室、贮气瓶、气压表和气体质量流量计，气体反应制备室与贮气瓶连通，并通过气体质量流量计与反应室相连，气体反应制备室可以制取高纯度的氧化性气体，并贮存在气瓶中，气压表用于监测气体反应制备室与贮气瓶内的气压，确保安全可靠。
- 硅微通道板真空填蜡结构释放方法-201310092179.3
- 梁永照;柴进;杨继凯;王国政;端木庆铎 - 长春理工大学
- 2013-03-21 - 2013-06-19 - H01J9/12
- 硅微通道板真空填蜡结构释放方法属于硅微细加工技术领域。现有技术工艺步骤较多，背部减薄消耗大量药品，且容易带来二次污染，石蜡填充效果差，盲孔率高，硅微通道板质量及成品率低。本发明在填蜡后抛光硅片背部，然后清洗并去蜡，其特征在于，所述填蜡工序是将经电化学腐蚀并清洗后的硅片与凝固状态的石蜡一同放入容器内，再将放置有所述硅片和石蜡的容器放入真空加热炉，抽真空后加热至所述石蜡熔化，熔化后的石蜡布满硅片正面，再将炉腔恢复常压，之后降温至室温。本发明填蜡充分，最后硅片的盲孔率仅为3.82×10-4%，硅微通道板质量及成品率大幅提高。另外，本发明不含硅片背部减薄工序，这也避免了药品的大量消耗和带来的二次污染。
- 一种阴极制备前处理装置-201220716633.9
- 赛小锋;韦永林;刘永安;盛立志;刘哲;赵宝升 - 中国科学院西安光学精密机械研究所
- 2012-12-21 - 2013-06-19 - H01J9/12
- 本实用新型一种阴极制备前处理装置，清洁装置包括支撑筒、连接法兰、清洁装置，支撑筒下端与连接法兰绝缘连接，支撑筒上端设置有支撑筒盖，支撑筒盖上方设置有放置阴极窗的开口，清洁装置包括上圆环形电极、下圆环形电极、穿过连接法兰的两个电极引线、高压直流电源，上圆环形电极为阴极，下圆环形电极为阳极，上圆环形电极与阴极制备表面平行且与阴极制备表面同高或高于阴极制备表面，下圆环形电极与上圆环形电极平行且位于上圆环形电极下方。本实用新型采用两个圆环形电极产生辉光放电的装置对阴极窗表面进行清洁的装置或方法，克服了其它装置或方法的缺点，可以实现阴极表面的原子级清洁和保证表面的完整性。
- 一种阴极制备前处理装置及清洁方法-201210563611.8
- 赛小锋;韦永林;刘永安;盛立志;刘哲;赵宝升 - 中国科学院西安光学精密机械研究所
- 2012-12-21 - 2013-05-08 - H01J9/12
- 本发明一种阴极制备前处理装置及清洁方法，清洁装置包括支撑筒、连接法兰、清洁装置，支撑筒下端与连接法兰绝缘连接，支撑筒上端设置有支撑筒盖，支撑筒盖上方设置有放置阴极窗的开口，清洁装置包括上圆环形电极、下圆环形电极、穿过连接法兰的两个电极引线、高压直流电源，上圆环形电极为阴极，下圆环形电极为阳极，上圆环形电极与阴极制备表面平行且与阴极制备表面同高或高于阴极制备表面，下圆环形电极与上圆环形电极平行且位于上圆环形电极下方。本发明采用两个圆环形电极产生辉光放电的装置对阴极窗表面进行清洁的装置或方法，克服了其它装置或方法的缺点，可以实现阴极表面的原子级清洁和保证表面的完整性。
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