[发明专利]功率模块封装

说明书

技术领域

本发明涉及一种功率模块封装。

背景技术

随着用于制造功率半导体器件的材料、设计以及工序的迅猛发展，在高电流、高电压下进行驱动的功率模块封装（Power module package）也在迅速发展。

过去，功率模块封装利用金属材质的电线（wire）将半导体芯片和引线框进行电连接。

另一方面，美国注册专利第6432750号公开了根据现有技术的功率模块封装。

发明内容

本发明的一个方面是，提供无需电线（wire）地将半导体芯片和起到外部连接端子作用的引线框进行电连接的功率模块封装。

此外，本发明的另一个方面是，提供结构简化的同时电性能以及热性能提高的功率模块封装。

根据本发明的功率模块封装包括：基板，该基板具有一面和另一面；电路层，该电路层包括形成在所述基板的一面上的第1图案、形成在所述基板的另一面上的第2图案以及将所述第1图案和第2图案电连接的通孔；第1半导体芯片和第2半导体芯片，所述第1半导体芯片和所述第2半导体芯片分别具有第1面和第2面，并分别以所述第1面相接于所述第1图案上的方式安装在所述基板上；引线框，该引线框包括第1引线和第2引线，所述第1引线具有一侧以及另一侧，所述第1引线的一侧与所述第1半导体芯片的第2面和所述第2半导体芯片的第2面相接，所述第1引线的另一侧向外部凸出，所述第2引线具有一侧以及另一侧，所述第2引线的一侧与所述第2图案相接，所述第2引线的另一侧向外部凸出。

其中，所述第1半导体芯片包括形成在所述第1面上的第1－1电极以及形成在所述第2面上的彼此分隔的第1－2电极和第1－3电极，所述第2半导体芯片包括形成在所述第1面上的第2－1电极以及形成在所述第2面上的第2－2电极，所述第1引线包括第1－1引线和第1－2引线，所述第1－1引线具有一侧以及另一侧，所述第1－1引线的一侧与所述第1半导体芯片的所述第1－2电极和所述第2半导体芯片的第2－2电极相接，所述第1－1引线的另一侧向外部凸出，所述第1－2引线具有一侧以及另一侧，所述第1－2引线的一侧与所述第1半导体芯片的所述第1－3电极相接，所述第1－2引线的另一侧向外部凸出。

此外，所述第1引线的一侧是向第1方向形成台阶的形状，所述第2引线的一侧是向与所述第1方向方向相反的第2方向形成台阶的形状，所述第1－1引线的一侧和所述第1－2引线的一侧可以以互不相同的高度形成台阶。

此外，可以在所述第1引线和第2引线上分别形成有与所述基板连接的连接部，在所述基板上形成有与所述连接部对应的连接槽。

其中，所述连接部也可以形成在所述第1引线一侧的端部和第2引线的一侧的端部。

此外，所述第1半导体芯片可以是绝缘栅双极型晶体管（Insulated GateBipolar Transistor：IGBT），所述第2半导体芯片可以是二极管（diode）。

此外，所述功率模块封装还可以包括成型构件，该成型构件以包裹所述基板、所述电路层、所述第1半导体芯片、所述第2半导体芯片以及所述引线框的一部分的方式形成。

此外，根据本发明的功率模块封装包括：基板，该基板具有一面和另一面；电路层，该电路层包括形成在所述基板的一面上的第1图案、形成在所述基板的另一面上的第2图案以及将所述第1图案和所述第2图案电连接的通孔；第1半导体芯片和第2半导体芯片，所述第1半导体芯片和所述第2半导体芯片分别具有第1面和第2面，并分别以所述第1面相接于所述第1图案上的方式安装在所述基板上；以及引线框，该引线框包括第1引线和第2引线，所述第1引线具有一侧以及另一侧，所述第1引线的一侧与所述第1半导体芯片的第2面和所述第2半导体芯片的第2面相接，所述第1引线的另一侧向外部凸出，所述第2引线具有一侧以及另一侧，所述第2引线的一侧与所述第2图案相接，所述第2引线的另一侧向外部凸出，在所述第1引线和所述第2引线上分别形成有与所述基板连接的连接部，在所述基板上形成有与所述连接部对应的连接槽。