[发明专利]封装工艺流程中的系统

说明书

技术领域

本发明涉及半导体集成电路(IC)和用于封装IC的方法。

背景技术

随着半导体工业不断减小封装尺寸，制造厂期望除了水平电路密度以外提高垂直密度。3D封装件通过在单个封装件上堆叠独立芯片节约空间。该封装(称为系统级封装(SiP))使用在封装件的芯片之间通信的片外信令(例如，经由封装基板的导电路径)。多个芯片没有集成在单个电路中。此外，封装件中的多个芯片就像多个芯片安装在标准电路板上的独立封装件中一样进行通信。例如，上芯片和下芯片都可以引线接合至封装基板。

发明内容

为了解决现有技术中存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种方法包括：(a)将具有多个集成电路(IC)管芯的基板连接至封装基板，使得所述封装基板延伸超出所述基板的至少两条边，而使其上具有接触件的所述封装基板的第一边部和第二边部暴露，所述第一边部和所述第二边部在所述封装基板的第一角部处汇合；(b)将至少第一上部管芯封装件置于所述基板上方，使得所述第一上部管芯封装件的第一边部和第二边部延伸超出所述基板的至少两条边，以及(c)将所述第一上部管芯封装件的所述第一边部和所述第二边部的焊盘连接至所述封装基板的所述第一边部和所述第二边部的接触件。

在上述方法中，其中，所述封装基板延伸超出与所述所述基板的所述至少两条边相对的所述基板的第三边和第四边，使其上具有接触件的所述封装基板的第三边部和第四边部暴露，所述方法进一步包括：将第二上部管芯封装件置于所述基板上方，使得所述第二上部管芯封装件的第三边部和第四边部延伸超出所述基板的所述第三边和所述第四边，以及将所述第二上部管芯封装件的所述第三边部和所述第四边部上方的焊盘连接至所述封装基板的所述第三边部和所述第四边部的接触件。

在上述方法中，其中，所述封装基板延伸超出与所述所述基板的所述至少两条边相对的所述基板的第三边和第四边，使其上具有接触件的所述封装基板的第三边部和第四边部暴露，所述方法进一步包括：将第二上部管芯封装件置于所述基板上方，使得所述第二上部管芯封装件的第三边部和第四边部延伸超出所述基板的所述第三边和所述第四边，以及将所述第二上部管芯封装件的所述第三边部和所述第四边部上方的焊盘连接至所述封装基板的所述第三边部和所述第四边部的接触件，并且上述方法进一步包括：将第三上部管芯封装件置于所述基板上方，使得所述第三上部管芯封装件的第五边部和第六边部延伸超出所述基板的所述第二边和所述第三边，将第四上部管芯封装件置于所述基板上方，使得所述第四上部管芯封装件的第七边部和第八边部延伸超出所述基板的所述第一边和所述第四边，将所述第三上部管芯封装件的所述第五边部和所述第六边部上方的焊盘连接至所述封装基板的所述第二边部和所述第三边部的接触件；以及将所述第四上部管芯封装件的所述第七边部和所述第八边部上方的焊盘连接至所述封装基板的所述第一边部和所述第四边部的接触件。

在上述方法中，其中所述第一上部管芯封装件具有位于其所述第一边部和所述第二边部的所述焊盘上方的焊料，所述方法进一步包括：在所述步骤(c)之前，将焊膏沉积在所述封装基板的所述第一边部和所述第二边部的所述接触件上方。

在上述方法中，进一步包括：将焊料置于所述封装基板的所述第一边部和所述第二边部的所述接触件上方；以及在所述步骤(c)之前，将焊膏沉积在所述焊料上。

在上述方法中，进一步包括：将焊料置于所述封装基板的所述第一边部和所述第二边部的所述接触件上方；以及在所述步骤(c)之前，将焊膏沉积在所述焊料上，其中，在所述步骤(a)之后，将所述焊料置于所述封装基板的所述第一边部和所述第二边部的所述接触件上方。

在上述方法中，进一步包括：将焊料置于所述封装基板的所述第一边部和所述第二边部的所述接触件上方；以及在所述步骤(c)之前，将焊膏沉积在所述焊料上，其中，在所述步骤(a)之前，将所述焊料置于所述封装基板的所述第一边部和所述第二边部的所述接触件上方。

在上述方法中，进一步包括：将模制的底部填充材料施加在所述焊料周围和所述第一上部管芯封装件上方。

在上述方法中，进一步包括：将模制的底部填充材料施加在所述焊料周围和所述第一上部管芯封装件上方，其中，在步骤(a)和步骤(b)之间，将底部填充材料沉积在所述基板和所述封装基板之间。

在上述方法中，进一步包括：将模制的底部填充材料施加在所述焊料周围和所述第一上部管芯封装件上方，其中，施加模制的底部填充材料的步骤包括将所述模制的底部填充材料沉积在所述基板和所述封装基板之间。