[发明专利]一种GaN基半导体发光二极管的制造方法有效
| 申请号： | 201210351639.5 | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN102832304A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 虞浩辉;周宇杭 | 申请（专利权）人： | 江苏威纳德照明科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 黄明哲 |
| 地址： | 213342 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan 半导体 发光二极管 制造 方法 | ||
1.一种GaN基半导体发光二极管，包括依次层叠的衬底、n型接触层、有源层和p型接触层；其特征在于，
衬底为GaN，n型接触层为n型AlGaN层，p型接触层为p型GaN层；有源层为AlGaN多量子阱。
2.如权利要求1所述的GaN基半导体发光二极管，其特征在于，有源层为2-5个周期的AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱，其中，阱的厚度为1-3nm，Al组分x＝0-0.5；垒的厚度为5-10nm，Al组分y＝0.2-0.7。
3.如权利要求1或2所述的GaN基半导体发光二极管，其特征在于，在有源层和p型接触层之间还包括p型电子阻挡层和p型过渡层。
4.如权利要求3所述的GaN基半导体发光二极管，其特征在于，p型电子阻挡层为p型AlGaN层，p型过渡层为p型AlGaN过渡层。
5.一种GaN基半导体发光二极管的制造方法，包括形成GaN衬底，以及在GaN衬底上沉积n型接触层、有源层、p型电子阻挡层、p型过渡层和p型接触层；其特征在于，
形成GaN衬底的方法包括如下步骤：
（1）在常温常压下，将GaN晶片放入高温高压装置中，在高温高压装置中加入传压介质，该传压介质为NaCL和液氮；
（2）对GaN晶片加热的同时加压，加热至温度为820～880℃，加压至压力为4.1~4.6GPa，保持10～15分钟；
（3）停止加热，使GaN晶片冷却至常温；同时缓慢卸压，使GaN晶片恢复至常压；卸压速度为0.5～0.8GPa/分钟；
（4）在高温高压装置中退火20～30分钟后，取出GaN晶片。
6.如权利要求5所述的GaN基半导体发光二极管的制造方法，其特征在于，步骤（2）中加热速率为100℃/分钟，加压速率为0.2～0.3GPa/分钟。
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