[发明专利]半导体存储器、系统和半导体存储器的操作方法

说明书

技术领域

本实施例涉及一种具有低功耗模式的半导体存储器和安装有该半导体存储器的系统。

背景技术

提出了一种方法，在半导体存储器，例如，DRAM中，如果行相关和列相关电路块不运行，通过该方法停止对这些电路块提供电源电压，从而减少流经非运行电路块的泄漏电流(例如，见日本专利申请特开No.2008-27547和No.2010-135047)。还提出了另一种方法，在DRAM中，通过该方法基于模式寄存器中设置的列地址选通(CAS)等待时间而识别工作频率，以根据该识别工作频率使用电压生成单元改变生成内部电源电压的能力，从而减少耗散功率(例如，见日本专利申请特开No.2009-181638)。还提出了另一种的方法，在伪SRAM中，从停止刷新操作的深度待机模式恢复为进行刷新操作的待机模式时，通过该方法增加生成内部电源电压的电压生成单元的工作频率，从而将内部电压快速设置为预期值(例如，见日本专利申请特开No.2008-117525)。

例如，在形成分别与电路块对应的多个电压生成单元的情况下，所述每个电压生成单元的电源电压生成能力设计为能与对应电路块的最大耗散功率匹配。但是，所述多个电路块并非始终在最大耗散功率下运行。如果所述电压生成单元的电源电压生成能力过大，所述半导体存储器的耗散功率就会增加。

发明内容

本实施例的一个目的在于将电压生成单元的电源电压生成能力最小化，同时防止具有用于每个电路块的电压生成单元的半导体存储器中的电源电压产生波动，从而减少半导体存储器的耗散功率。

根据本实施例的第一方面，半导体存储器具有布置在矩阵中的存储单元；第一选择单元，响应于访问存储单元的访问请求而选择与设于第一方向的存储单元线分别连接的任何第一信号线；第二选择单元，在第一选择单元开始运行之后选择与设于第二方向的存储单元线分别连接的任何第二信号线，所述第二方向与第一方向相交；第一电压生成单元，生成将提供给第一选择单元的第一电源电压；第二电压生成单元，在启动信号处于激活状态时生成将提供给第二选择单元的第二电源电压；开关，在短路信号处于激活状态时将被提供了第一电源电压的第一电源线和被提供了第二电源电压的第二电源线互相短路；以及，电源电压控制单元，响应于访问请求而激活启动信号，在自启动信号激活起经过预定时间之后激活短路信号，在基于访问请求的访问操作完成之后停用短路信号，并响应于短路信号的停用而停用启动信号。

第一电压生成单元的第一电源电压生成能力和第二电压生成单元的第二电源电压生成能力被最小化，同时防止第一和第二电源电压生成电压产生波动，从而减少半导体存储器的耗散功率。

附图说明

图1图示出一个实施例中的半导体存储器的示例；

图2图示出另一个实施例中的半导体存储器MEM的示例；

图3图示出图2所示的行控制单元34的示例；

图4图示出图2所示的电源控制单元24、基准电压生成单元26、行电压生成单元28、列电压生成单元30和开关32的示例；

图5图示出图4所示的电源控制电路PWCNT的示例；

图6图示出图4所示的定时器TMR的示例；

图7图示出图2所示的命令控制单元16和输入数据控制单元42的示例；

图8图示出图2所示的输出数据控制单元40和输出数据缓冲器44的示例；

图9图示出图2所示的列控制单元36的示例；

图10图示出图2所示的半导体存储器MEM的操作的示例；

图11图示出另一个实施例中的电源控制单元24中的定时器TMR的示例；

图12图示出另一个实施例中的半导体存储器MEM的示例；

图13图示出图12所示的行控制单元34A的示例；

图14图示出又一实施例中的半导体存储器MEM的示例；

图15图示出图14所示的行控制单元34B的示例；

图16图示出图14所示的电源控制单元24B中的电源控制电路PWCNT的示例；

图17图示出图14所示的半导体存储器MEM的操作的示例；

图18图示出安装有上述实施例的半导体存储器MEM的系统SYS的示例。

具体实施方式