[发明专利]发光二极管封装结构的制造方法无效
申请号: | 201210064643.3 | 申请日: | 2012-03-13 |
公开(公告)号: | CN103311381A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 陈隆欣;曾文良 | 申请(专利权)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/50 |
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地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 结构 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管封装结构的制造方法,包括以下步骤:
提供基板和载板,所述基板上形成有电路层,若干发光二极管芯片设置在基板上并与电路层电连接,所述载板包括贯穿的气孔,基板置于所述载板上;
提供模具和荧光胶,将载板固定于所述模具之内,再在模具内基板上方注入荧光胶,所述荧光胶覆盖发光二极管芯片;
对所述载板的气孔抽真空,使荧光胶产生流动均匀贴覆在所述发光二极管芯片上;
移除所述模具并固化荧光胶;
在所述基板上形成覆盖荧光胶层的封装体;
去除载板并切割所述封装体和基板得到多个发光二极管封装结构。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:将所述载板固定于模具之前还包括将隔层设置于基板的电路层上并环绕发光二极管芯片的步骤。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:所述隔层具有若干个贯穿隔层上下表面的通孔,通孔的尺寸大于发光二极管芯片的尺寸,发光二极管芯片分别收容在所述通孔中。
4.如权利要求2所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:在形成封装体之前还包括移除所述隔层的步骤。
5.如权利要求4所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:在注入荧光胶的时候荧光胶还覆盖所述隔层,在移除隔层的同时将覆盖住所述隔层的部分荧光胶移除。
6.如权利要求5所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:移除所述隔层之前还包括预先对荧光胶层进行切割的步骤,荧光胶层的切割是对准所述隔层的通孔边缘进行的。
7.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:所述载板的尺寸大于基板的尺寸。
8.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:所述模具包括上模具和下模具,所述载板是固定于下模具内并被上模具所遮盖。
9.如权利要求8所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:在上模具上形成有贯穿所述上模具上下表面的开孔。
10.如权利要求9所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:在所述上模具开孔上方设置有加压装置,在对所述载板的气孔抽真空的同时或之后,还包括通过加压装置对所述荧光胶施加压力的步骤。
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