[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

形成氧化硅膜；

在所述氧化硅膜上形成非晶氧化物半导体层；

在所述非晶氧化物半导体层上形成氧化铝膜；以及

在形成所述氧化铝膜之后，对所述非晶氧化物半导体层进行加热处理，

其中，所述非晶氧化物半导体层包括含有与结晶状态的氧化物半导体的化学计量组成比相比过剩的氧的区域。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中进行所述加热处理来使所述非晶氧化物半导体层的一部分晶化，并且形成氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包含具有与它的表面大致垂直的c轴的结晶。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述氧化硅膜包括含有与结晶状态的氧化硅的化学计量组成比相比过剩的氧的区域。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包括如下步骤：

在所述非晶氧化物半导体层与所述氧化铝膜之间形成氧化物绝缘膜。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中以不暴露于大气的方式连续形成所述氧化硅膜及所述非晶氧化物半导体层。

6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述非晶氧化物半导体层包含三元金属氧化物。

7.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

形成氧化硅膜；

在所述氧化硅膜上形成非晶氧化物半导体层；

对所述非晶氧化物半导体层进行第一加热处理；

在进行所述第一加热处理之后，在所述非晶氧化物半导体层上形成氧化铝膜；以及

在形成所述氧化铝膜之后，对所述非晶氧化物半导体层进行第二加热处理，

其中，所述非晶氧化物半导体层包括含有与结晶状态的氧化物半导体的化学计量组成比相比过剩的氧的区域。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中进行所述第二加热处理来使所述非晶氧化物半导体层的一部分晶化，并且形成氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包含具有与它的表面大致垂直的c轴的结晶。

9.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中以比所述第一加热处理的温度高的温度进行所述第二加热处理。

10.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中进行所述第一加热处理来去除包含在所述非晶氧化物半导体层中的氢或水分。

11.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中所述氧化硅膜包括含有与结晶状态的氧化硅的化学计量组成比相比过剩的氧的区域。

12.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，还包括如下步骤：

在所述非晶氧化物半导体层与所述氧化铝膜之间形成氧化物绝缘膜。

13.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中以不暴露于大气的方式连续形成所述氧化硅膜及所述非晶氧化物半导体层。

14.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中所述非晶氧化物半导体层包含三元金属氧化物。

15.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

形成氧化硅膜；

在所述氧化硅膜上形成非晶氧化物半导体层；

形成接触于所述非晶氧化物半导体层的源电极层及漏电极层；

在所述非晶氧化物半导体层上形成氧化铝膜；以及

在形成所述氧化铝膜之后，对所述非晶氧化物半导体层进行加热处理，来形成包括沟道形成区的氧化物半导体层，

其中，所述非晶氧化物半导体层包括含有与结晶状态的氧化物半导体的化学计量组成比相比过剩的氧的区域。

16.根据权利要求15所述的半导体装置的制造方法，其中进行所述加热处理来使所述非晶氧化物半导体层的一部分晶化，并且形成氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包含具有与它的表面大致垂直的c轴的结晶。

17.根据权利要求15所述的半导体装置的制造方法，其中所述氧化硅膜包括含有与结晶状态的氧化硅的化学计量组成比相比过剩的氧的区域。