[发明专利]非易失性半导体存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种非易失性半导体存储装置，包括：

包含硅的衬底；

设置在所述衬底上的多个存储单元，其间具有间隔；以及

绝缘膜，所述绝缘膜设置在所述存储单元的侧壁上，

所述绝缘膜包括突出部，该突出部在设置在所述存储单元之间的空隙部分之上朝所述存储单元中的相邻的一个存储单元突出。

2.根据权利要求1所述的装置，其中

所述存储单元包括：

隧道绝缘膜，所述隧道绝缘膜设置在所述衬底上；

浮置栅极，所述浮置栅极设置在所述隧道绝缘膜上；

栅间绝缘膜，所述栅间绝缘膜设置在所述浮置栅极上；以及

控制栅极，所述控制栅极设置在所述栅间绝缘膜上，并且

所述突出部设置在所述浮置栅极的上表面之上。

3.根据权利要求1所述的装置，其中

所述存储单元包括：

隧道绝缘膜，所述隧道绝缘膜设置在所述衬底上；

浮置栅极，所述浮置栅极设置在所述隧道绝缘膜上；

栅间绝缘膜，所述栅间绝缘膜设置在所述浮置栅极上；以及

控制栅极，所述控制栅极设置在所述栅间绝缘膜上，并且

所述突出部设置在所述控制栅极的下表面之上。

4.根据权利要求1所述的装置，其中使通过设置所述突出部而设置在所述空隙部分之上的间隙的尺寸等于或小于所述存储单元之间的尺寸的一半。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述突出部设置在所述绝缘膜中，以便在所述存储单元之间相互面对。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述突出部设置在所述存储单元之间的至少一个所述绝缘膜中。

7.根据权利要求2所述的装置，其中设置在所述浮置栅极的侧壁上的所述绝缘膜的一部分的厚度尺寸是恒定的。

8.根据权利要求2所述的装置，其中所述空隙部分设置在所述存储单元之间至少面对所述浮置栅极的位置处。

9.根据权利要求1所述的装置，其中所述绝缘膜被设置为覆盖所述存储单元的所述侧壁以及所述存储单元之间的所述衬底的表面。

10.根据权利要求1所述的装置，其中所述绝缘膜包括氧化硅和氮氧化硅中的至少之一。

11.一种用于制造非易失性半导体存储装置的方法，包括：

在包含硅的衬底上形成其间具有间隔的多个存储单元；

在所述存储单元之间形成牺牲膜；

在所述存储单元的侧壁和所述牺牲膜的上表面上形成绝缘膜；

通过去除在所述牺牲膜的所述上表面上形成的所述绝缘膜的一部分来形成朝所述存储单元中的相邻的一个存储单元突出的突出部；以及

去除所述牺牲膜。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括：

在所述存储单元之上形成绝缘膜；

其中在所述存储单元上形成绝缘膜包括控制膜形成条件，以便减小覆盖。

13.根据权利要求11所述的方法，其中在包含硅的衬底上形成其间具有间隔的多个存储单元包括：

在所述包含硅的衬底上形成构成隧道绝缘膜的膜；

在所述构成所述隧道绝缘膜的膜上形成构成浮置栅极的膜；

在所述构成所述浮置栅极的膜上形成构成栅间绝缘膜的膜；

在所述构成所述栅间绝缘膜的膜上形成构成控制栅极的膜；

在所述构成所述控制栅极的膜上形成蚀刻掩模；以及

通过执行蚀刻工艺，在所述包含硅的衬底上形成其间具有所述间隔的所述多个存储单元。

14.根据权利要求11所述的方法，其中在所述存储单元之间形成牺牲膜包括：

通过使用蚀刻率比在所述牺牲膜的所述上表面上形成的所述绝缘膜的材料高的材料，形成所述牺牲膜。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述牺牲膜的材料包括氮化硅。

16.根据权利要求11所述的方法，其中通过去除在所述牺牲膜的所述上表面上形成的所述绝缘膜的一部分，形成朝所述存储单元中的相邻的一个存储单元突出的突出部包括：

去除位于所述牺牲膜的所述上表面的中央部分上的所述绝缘膜。