[发明专利]有机电子器件的封装方法

权利要求书

1.一种有机电子器件的封装方法，其特征在于，包括：

制作电子器件前，在衬底材料背面淀积多层复合薄膜；

电子器件制作完成后，在有机电子器件表面沉积多层复合薄膜。

2.如权利要求1所述的有机电子器件的封装方法，其特征在于，所述多层复合薄膜包括：

若干层有机层与无机层交替的堆叠层；

所述有机层由有机聚合物制备而成，用于增加柔性、可弯曲、防断裂；

所述无机层由无机物制备而成，用于隔离水、氧。

3.如权利要求2所述的有机电子器件的封装方法，其特征在于，所述有机聚合物包括：

聚对二甲苯、聚丙烯、聚丙烯酸脂或有机硅交连体聚合物SiO_xC_yH_z。

4.如权利要求3所述的有机电子器件的封装方法，其特征在于，所述无机物包括：

SiN_x、SiO_y、TiO₂、Ta₂O₃或铝。

5.如权利要求1所述的有机电子器件的封装方法，其特征在于：

所述在衬底材料背面和有机电子器件表面沉积多层复合薄膜是采用等离子增强化学气相沉积方法生长薄膜，保证低温成膜，尽量减少对电子器件和塑料衬底的热损伤，同时薄膜生长速率适中。

6.如权利要求5所述的有机电子器件的封装方法，其特征在于：

所述低温成膜的温度是120℃以下。