[发明专利]发光二极管封装结构和制造方法无效
| 申请号： | 201210006247.5 | 申请日： | 2012-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN102522482A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 唐怀 | 申请（专利权）人： | 深圳市光峰光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管封装结构，其特征在于，包括：
发光二极管芯片；
支架，所述支架包括第一焊接面和第二焊接面；
用于将所述发光二极管芯片固定于所述支架的第一焊接面上的第一焊接材料，该第一焊接材料在焊接完成后所能承受的环境温度上限为第一温度；
导热基板，所述导热基板包括第三焊接面；
用于将所述支架的第二焊接面固定于所述导热基板的第三焊接面上的第二焊接材料，该第二焊接材料在焊接过程中的最高温度为第二温度；
所述第一温度高于所述第二温度，并且第一温度与第二温度的温度差高于10摄氏度。
2.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述第一焊接材料为金锡合金。
3.根据权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述金锡合金中金的质量百分比为80％，锡的质量百分比为20％。
4.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述第二焊接材料为如下成分的焊膏中的任意一种：SnAgCu，SnAg，SnPb，SnBi，SnBiCu。
5.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述第二焊接材料为无铅焊膏。
6.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述支架的材料为铜、铝、氧化铝陶瓷、氮化铝陶瓷中的一种。
7.一种发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：使用第一焊接材料将发光二极管芯片固定于支架的第一焊接面上；步骤一完成后，所述第一焊接材料所能承受的环境温度上限为第一温度；
步骤二：使用第二焊接材料将支架的第二焊接面固定于导热基板的第三焊接面上；
在步骤二的焊接过程中的最高温度比第一温度低10摄氏度以上。
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