[发明专利]非冷却光半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及能够通过简单的结构正确地控制电场吸收型光调制器的偏置电压从而将光调制信号的平均强度保持为固定的非冷却光半导体装置。

背景技术

电场吸收型光调制器吸收的光量即使在施加的电压是固定的情况下也根据温度而变化。因此，在不进行维持在固定温度的冷却的非冷却光半导体装置中，需要根据温度来调整对电场吸收型光调制器赋予的偏置电压。

在现有的非冷却光半导体装置中，通过检查等预先决定相对于某个温度对电场吸收型光调制器赋予的偏置电压。而且，一边以温度传感器对温度进行监视，一边以成为与该温度对应的偏置电压的方式通过微控制器（microcontroller）等进行控制（例如，参照专利文献1）。

此外，也提出了一种检测在电场吸收型光调制器吸收激光时产生的光吸收电流的峰值，对施加到电场吸收型光调制器的偏置电压进行反馈的光半导体装置（例如，参照专利文献2）。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-279406号公报；

专利文献2：日本特开平10-117170号公报。

发明要解决的问题

在专利文献1的装置中，需要预先进行电场吸收型光调制器的温度检查。在装入有其的光发送接收器中也需要微控制器的写入。此外，存在以温度传感器监视的温度和电场吸收型光调制器的温度之差等导致不能正确地求取要对电场吸收型光调制器赋予的偏置电压的情况。

在专利文献2的装置中，欲对高电平的电压和光吸收电流的峰值进行比较来将光吸收电流保持为固定。因此，需要检测驱动电路的调制电压的峰值，结构变得复杂。此外，峰值检测容易产生误差。

发明内容

本发明正是为了解决上述那样的课题而完成的，其目的在于，获得一种能够通过简单的结构正确地控制电场吸收型光调制器的偏置电压从而将光调制信号的平均强度保持为固定的非冷却光半导体装置。

本发明的非冷却光半导体装置，其特征在于，具备：半导体激光器，输出激光；电场吸收型光调制器，吸收所述激光的光量根据施加的电压而变化；监视光电二极管，对所述半导体激光器的背面光进行监视；APC（Auto Power Control，自动功率控制）电路，将所述监视光电二极管的光接收电流对供给到所述半导体激光器的偏置电流进行反馈；以及偏置电路，将所述电场吸收型光调制器吸收所述激光时所产生的光吸收电流的平均值对施加到所述电场吸收型光调制器的偏置电压进行反馈。

本发明能够通过简单的结构正确地控制电场吸收型光调制器的偏置电压从而将光调制信号的平均强度保持为固定。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式1的非冷却光半导体装置的图。

图2是表示电场吸收型光调制器的负偏置电压和光输出的关系的一个例子的图。

图3是表示电场吸收型光调制器的负偏置电压和光吸收电流的关系的一个例子的图。

图4是表示本发明的实施方式2的非冷却光半导体装置的图。

图5是表示本发明的实施方式3的非冷却光半导体装置的图。

图6是表示本发明的实施方式4的非冷却光半导体装置的图。

具体实施方式

针对本发明的实施方式的非冷却光半导体装置参照附图进行说明。对相同的或对应的结构要素赋予相同的符号，存在省略反复说明的情况。

实施方式1

图1是表示本发明的实施方式1的非冷却光半导体装置的图。半导体激光器1输出激光。电场吸收型光调制器2吸收激光进行调制，输出光调制信号。驱动电路3对电场吸收型光调制器2施加调制电压。电场吸收型光调制器2吸收激光的光量，根据施加到电场吸收型光调制器2的电压而变化。在电场吸收型光调制器2吸收激光时产生光吸收电流。

监视光电二极管4对半导体激光器1的背面光（backlight）进行监视。APC（Auto Power Control，自动功率控制）电路5将监视光电二极管4的光接收电流向对半导体激光器1供给的偏置电流进行反馈。即，APC电路5以将监视光电二极管4的光接收电流保持为固定的方式来控制偏置电流。因此，从半导体激光器1输入到电场吸收型光调制器2的激光的功率如果在某种温度进行设定的话，则即使之后有温度变动也保持为固定。

偏置电路6对电场吸收型光调制器2施加偏置电压。这时，偏置电路6对电场吸收型光调制器2的光吸收电流进行平滑化并检测其平均值，对施加到电场吸收型光调制器2的偏置电压进行反馈。因此，偏置电路6以将光吸收电流的平均值保持为固定的方式控制偏置电压。