[发明专利]均匀沉积氮化硅以形成侧墙的方法

权利要求书

1.一种均匀沉积氮化硅以形成侧墙的方法，该方法根据硅片表面图形线宽和所需氮化硅薄膜的厚度要求，分次沉积氮化硅形成氮化硅薄膜，包括如下步骤：

1)在硅片表面的栅极结构上方及其两侧沉积氮化硅形成氮化硅薄膜；

2)以惰性气体离子或氧离子轰击该氮化硅薄膜，以均匀化该氮化硅薄膜；

3)重复步骤1)和步骤2)，直到氮化硅薄膜厚度达到所需的要求，刻蚀形成侧墙。

2.如权利要求1所述的均匀沉积氮化硅以形成侧墙的方法，其特征在于，所述步骤2)中的惰性气体离子为氩离子。

3.如权利要求1所述的均匀沉积氮化硅以形成侧墙的方法，其特征在于，所述步骤1)中的氮化硅薄膜采用化学气相沉积的方法沉积。

4.如权利要求3所述的均匀沉积氮化硅以形成侧墙的方法，其特征在于，所述氮化硅薄膜沉积时的温度小于600摄氏度。

5.如权利要求1所述的均匀沉积氮化硅以形成侧墙的方法，其特征在于，首次沉积氮化硅形成的氮化硅薄膜厚度为所需氮化硅薄膜厚度的二分之一到三分之二之间。

6.如权利要求1所述的均匀沉积氮化硅以形成侧墙的方法，其特征在于，在所述步骤1)之前还包括步骤：在所述栅极结构上方及其两侧先沉积一层二氧化硅薄膜。

7.如权利要求1至6中任一项所述的均匀沉积氮化硅以形成侧墙的方法，其特征在于，所述栅极结构为多晶栅。