[发明专利]有机发光二极管像素电路及其驱动电路与应用

说明书

技术领域

本发明涉及一种平面显示技术，尤其涉及一种有机发光二极管像素电路及其驱动电路与应用。

背景技术

由于多媒体领域的急速进步，半导体元件及显示装置的技术也随之具有飞跃性的进步。就显示器而言，由于主动式矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED)显示器具有无视角限制、低制造成本、高应答速度(约为液晶的百倍以上)、省电、自发光、可使用于可携式机器的直流驱动、工作温度范围大以及重量轻且可随硬件设备小型化及薄型化等等优点以符合多媒体时代显示器的特性要求。因此，主动式矩阵有机发光二极管显示器具有极大的发展潜力，可望成为下一世代的新颖平面显示器，藉以取代液晶显示器(liquid crystal display，LCD)。

目前主动式矩阵有机发光二极管显示面板主要有两种制作方式，其一是利用低温多晶硅(LTPS)的薄膜晶体管(TFT)制程技术来制作，而另一则是利用非晶硅(a-Si)的薄膜晶体管(TFT)制程技术来制作。其中，由于低温多晶硅的薄膜晶体管制程技术需要比较多道的光罩制程而导致成本上升。因此，目前低温多晶硅的薄膜晶体管制程技术主要应用在中小尺寸的面板上，而非晶硅的薄膜晶体管制程技术则主要应用在大尺寸的面板上。

一般来说，采以低温多晶硅的薄膜晶体管制程技术所制作出来的主动式矩阵有机发光二极管显示面板，其像素电路中的薄膜晶体管的型态可以为P型或N型，但由于P型薄膜晶体管传导正电压有较好的驱动能力，故而现今多以选择P型薄膜晶体管来实施。然而，选择P型薄膜晶体管来实现有机发光二极管像素电路的条件下，流经有机发光二极管的电流不仅会随着电源电压(Vdd)受到电流电阻电压降(IR Drop)的影响而改变，而且还会随着用以驱动有机发光二极管的薄膜晶体管的临限电压漂移(Vth shift)而有所不同。如此一来，将会连带影响到有机发光二极管显示器的亮度均匀性。

发明内容

有鉴于此，本发明的一示范性实施例提供一种有机发光二极管像素电路，其包括：有机发光二极管、第一至第五晶体管，以及第一与第二电容。其中，有机发光二极管用以于一发光阶段，反应于一驱动电流而发光。第一晶体管用以于一数据写入阶段，反应于一第一扫描信号而传递一数据电压。第一电容耦接于第一晶体管与接地电位之间，用以于所述数据写入阶段，存储所述数据电压。第二晶体管耦接至一电源电压，用以于所述发光阶段，产生不受所述电源电压与第二晶体管的临界电压影响的所述驱动电流。

第三晶体管串接于第二晶体管与有机发光二极管之间，用以于所述发光阶段，反应于一发光信号而传递所述驱动电流至有机发光二极管。第二电容耦接于第一晶体管与第二晶体管之间，用以于一电压存储阶段，反应于一第二扫描信号而存储关联于第二晶体管的临限电压的一充电电压，且所述充电电压将于所述数据写入阶段，反应于所述数据电压的存储而改变。第四晶体管耦接第三晶体管与第二电容，用以于一初始化阶段，反应于一第二扫描信号而协同第三晶体管以初始化第二电容的第一端电压。第五晶体管耦接于第二电容与接地电位之间，用以于所述初始化阶段，反应于所述第二扫描信号而初始化第二电容的第二端电压。

于本发明一示范性实施例中，有机发光二极管像素电路先后进入所述初始化阶段、所述电压存储阶段、所述数据写入阶段，以及所述发光阶段。

于本发明一示范性实施例中，第一至第五晶体管皆为P型晶体管。

本发明的另一示范性实施例提供一种具有前述所提的有机发光二极管像素电路的有机发光二极管显示面板。

于本发明一示范性实施例中，所提的有机发光二极管显示面板是利用低温多晶硅的薄膜晶体管制程技术来制作。

本发明的再一示范性实施例提供一种具有前述所提的有机发光二极管显示面板的有机发光二极管显示器。

本发明的又一示范性实施例提供一种架构在所提的有机发光二极管像素电路下，不包括有机发光二极管，而由第一至第五晶体管以及第一与第二电容所组成的有机发光二极管的驱动电路。

本发明的又一示范性实施例提供一种有机发光二极管驱动电路，其包括：驱动单元、数据存储单元，以及电压存储单元。其中，驱动单元耦接于一电源电压与一有机发光二极管之间，且包含驱动晶体管，用以于一发光阶段控制流经有机发光二极管的一驱动电流。数据接收单元包含耦接至接地电位的第一电容，用以于一数据写入阶段，接收并传递一数据电压至第一电容。