[发明专利]有机发光二极管像素电路及其驱动电路与应用无效
申请号: | 201110379600.X | 申请日: | 2011-11-24 |
公开(公告)号: | CN103137062A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 王文俊;韩西容;廖文堆;黄志鸿;王宗裕 | 申请(专利权)人: | 联胜(中国)科技有限公司;胜华科技股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 523808 广东省东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 像素 电路 及其 驱动 应用 | ||
1.一种有机发光二极管像素电路,其特征在于,包括:
一有机发光二极管,用以于一发光阶段,反应于一驱动电流而发光;
一第一晶体管,用以于一数据写入阶段,反应于一第一扫描信号而传递一数据电压;
一第一电容,耦接于该第一晶体管与一接地电位之间,用以于该数据写入阶段,存储该数据电压;
一第二晶体管,耦接至一电源电压,用以于该发光阶段,产生不受该电源电压与该第二晶体管的一临界电压影响的该驱动电流;
一第三晶体管,串接于该第二晶体管与该有机发光二极管之间,用以于该发光阶段,反应于一发光信号而传递该驱动电流至该有机发光二极管;
一第二电容,耦接于该第一晶体管与该第二晶体管之间,用以于一电压存储阶段,反应于一第二扫描信号而存储关联于该第二晶体管的该临限电压的一充电电压,且该充电电压将于该数据写入阶段,反应于该数据电压的存储而改变;
一第四晶体管,耦接该第三晶体管与该第二电容,用以于一初始化阶段,反应于一第二扫描信号而协同该第三晶体管以初始化该第二电容的一第一端电压;以及
一第五晶体管,耦接于该第二电容与该接地电位之间,用以于该初始化阶段,反应于该第二扫描信号而初始化该第二电容的一第二端电压。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管像素电路,其中该有机发光二极管像素电路先后进入该初始化阶段、该电压存储阶段、该数据写入阶段,以及该发光阶段。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管像素电路,其中该数据电压为一负电压。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管像素电路,其中:
该第一晶体管的栅极用以接收该第一扫描信号,而该第一晶体管的源极则用以接收该数据电压;
该第一电容的第一端耦接该第一晶体管的漏极,而该第一电容的第二端则耦接至该接地电位;
该第二电容的第一端耦接该第一晶体管的漏极与该第一电容的第一端;
该第二晶体管的栅极耦接该第二电容的第二端,而该第二晶体管的源极则耦接至该电源电压;
该第三晶体管的栅极用以接收该发光信号,而该第三晶体管的源极则耦接该第二晶体管的漏极;
该有机发光二极管的阳极耦接该第三晶体管的漏极,而该有机发光二极管的阴极则耦接至该接地电位;
该第四晶体管的栅极用以接收该第二扫描信号,该第四晶体管的源极耦接该第二晶体管的漏极与该第三晶体管的源极,而该第四晶体管的漏极则耦接该第二晶体管的栅极与该第二电容的第二端;以及
该第五晶体管的栅极用以接收该第二扫描信号,该第五晶体管的源极耦接该第一晶体管的漏极以及该第一与该第二电容的第一端,而该第五晶体管的漏极则耦接至该接地电位。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管像素电路,其中该第一至该第五晶体管皆为P型晶体管。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管像素电路,其中:
于该初始化阶段,仅该第二扫描信号与该发光信号致能;
于该电压存储阶段,仅该第二扫描信号致能;
于该数据写入阶段,仅该第一扫描信号致能;以及
于该发光阶段,仅该发光信号致能。
7.一种具有如权利要求1所述的有机发光二极管像素电路的有机发光二极管显示面板。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示面板,其中该有机发光二极管显示面板是利用低温多晶硅的薄膜晶体管制程技术来制作。
9.一种具有如权利要求8所述的有机发光二极管显示面板的有机发光二极管显示器。
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