[发明专利]晶圆级封装方法及其封装结构无效
申请号: | 201110363823.7 | 申请日: | 2011-11-16 |
公开(公告)号: | CN103117231A | 公开(公告)日: | 2013-05-22 |
发明(设计)人: | 李晓燕;段志伟;陈慧 | 申请(专利权)人: | 美新半导体(无锡)有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31 |
代理公司: | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人: | 王爱伟 |
地址: | 214000 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆级 封装 方法 及其 结构 | ||
1.一种晶圆级封装方法,其特征在于:其包括以下步骤:
提供包含芯片单元的晶圆;
在晶圆正面进行凸块工艺处理;
在晶圆正面的相邻芯片单元的相邻凸块之间开设第一槽,第一槽的宽度小于相邻芯片单元的相邻凸块的间距,第一槽的深度小于芯片单元的厚度;往第一槽内填充包覆材料,填充后,第一槽内的包覆材料与芯片单元的表面平齐;
在晶圆背面开设第二槽,第二槽的深度等于晶圆厚度减去第一槽中包覆材料的厚度,第二槽的宽度是第一槽宽度的一半,且第二槽的中心与第一槽的中心在同一条垂直于晶圆表面的直线上;往第二槽内填充包覆材料,填充后,包覆材料的高度高于晶圆背表面;和
单一化切割,以晶圆正面的第一槽或晶圆背面的第二槽的中心为切割中心进行切割。
2.如权利要求1所述的晶圆级封装方法,其特征在于:所述晶圆级封装方法在凸块工艺处理之后,晶圆正面开槽之前,还进一步包括对晶圆正面进行二次钝化处理。
3.如权利要求1或2所述的晶圆级封装方法,其特征在于:所述晶圆级封装方法在往第一槽内填充包覆材料的步骤之后,晶圆背面开槽之前,还进一步包括打磨晶圆背面。
4.如权利要求3所述的晶圆级封装方法,其特征在于:所述打磨晶圆背面的步骤之前,往第一槽内填充包覆材料的步骤之后,还包括在晶圆正面贴膜。
5.如权利要求1所述的晶圆级封装方法,其特征在于:所述开设第一槽和第二槽的步骤中,可以采用传统的机械晶圆切割、激光切割或者刻蚀。
6.如权利要求1所述的晶圆级封装方法,其特征在于:所述往第一槽和第二槽内填充包覆材料的步骤中,包覆材料为黏性弹性材料,可以选择热环氧树脂、阻焊剂、光刻胶、高分子固体材料、硅橡胶、弹性PU、多孔PU、炳烯酸橡胶、蓝胶或UV胶中的一种或几种。
7.如权利要求1所述的晶圆级封装方法,其特征在于:所述往第一槽和第二槽内填充包覆材料的步骤中,填充方式可以是注塑、涂布、或丝网印刷。
8.如权利要求1所述的晶圆级封装方法,其特征在于:所述往第二槽内填充包覆材料的步骤中,当填充方式是采用传统的注塑方法时,还包括垫平晶圆正面的凸块的方法。
9.一种权利要求1所述的晶圆级封装方法得到的晶圆级封装结构,其特征在于:其包括芯片单元,位于芯片单元正面之上的凸块,以及包覆该芯片单元侧面和背面的包覆层。
10.如权利要求9所述的晶圆级封装结构,其特征在于:所述晶圆级封装结构,还包括设置在芯片单元正面之上的二次钝化层,所述二次钝化层包覆在所述凸块之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造