[发明专利]一种半导体封装在塑封前的表面纳米膜处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体芯片领域，尤其涉及半导体芯片封装技术领域。

背景技术

通常的半导体封装流程为：芯片圆片切割；芯片键合在引线框架或者基板上；导线键合，使芯片和外部电路连接导通；环氧树脂包覆芯片，芯片座，导线及导线连接的引线框架的内部引脚或基板上的焊垫；分割成单颗及外部引脚成型。

环氧树脂包封的主要作用是给其内部的芯片，导线及导线连接提供机械支撑，散热，电气绝缘，抵抗潮气或酸碱引起的腐蚀。环氧包封体是一个多种材料交叉的综合体，存在环氧和多种材料的结合界面，如果界面的结合强度不够，在恶劣情况下就会分层，产品的可靠性下降。

特别是20世纪80年代以来，随着表面贴装技术的广泛应用，一种比较严重的失效模式就是封装体在客户端进行表面贴装SMT时，芯片封装体从界面处开裂，界面处的导线键合受到分离应力作用容易开路而导致产品失效，界面处的芯片建立了与外界的潮气通路，其失效机理就是由于有些工序中温度比较高，界面所吸收的潮气在高温下体积迅速膨胀，产生的应力高于界面的结合力导致的开裂。为此JEDEC固态技术协会公布了针对SMD器件的潮气敏感度标准，对此给了明确的潮气敏感度定义、实验方法、等级划分。

自从20世纪80年代以来，如何提高潮气敏感度的工作就没有停止过。以住友电木(Sumitomo Bakelite)，日东电工(Nitto Denko)为代表的环氧树脂供应商通过配方调整，但是配方的调整要顾及到成型，冲线，脱模性，而脱模性和粘结性相矛盾，因而产生的效果有限，他们通常以满足JSTD020D的MSL3的标准为目标。并把耐潮气等级作为产品的核心竞争力之一，例如标称MSL2的环氧树脂比MSL3的价格要高50％以上，标称MSL2在实际使用过程中，由于封装体的差别，有一些经过实际测量后并不能达到MSL2。

以ASM为代表的引线框架供应商进行的框架材料表面粗化处理的研究，由于粗化作用于框架表面，其主要的有效部分是作用在框架和环氧树脂的界面，对于芯片及导线不起作用，通常框架为了适应导线键合的要求，对引脚焊垫做了镀银或镀镍处理，粗化的效果在镀层的表面往往达不到如同基材的效果，而此处的界面分层通常对产品的寿命起到置关重要的作用，另外就是处理过的框架成本增加较普通的框架增长对整个封装成本的影响很大。

等离子处理也是一种较为常见的处理方法，通过等离子气体冲击塑封前的产品获得清洁，活化的表面，通常对清洁表面的浅层污染物或氧化较为有效，但是产生能增加粘结效果的活性基团功能比较弱，而且由于空气中存在一些油气等污染物，其效果会随处理后放置的时间衰减，通常不能超过12小时。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种半导体封装在塑封前的表面纳米膜处理方法，其能够一定程度上提高芯片封装中多个关键界面的结合强度，防止工艺过程中分层、开裂；降低潮气等级数；延长产品使用寿命；解决处理后的保存时间问题。

为解决上述技术问题，本发明提供了如下技术方案：一种半导体封装在塑封前的表面纳米膜处理方法，其中包括以下步骤，步骤a：对待处理材料表面均匀施用少量助粘剂溶液，使之附着在需要加强的表面；步骤b：助粘剂溶液中的溶剂常温挥发风干，或者通过烘烤的方式烘干，挥发后的助粘剂活性成分涂层厚度控制在纳米级厚度，助粘剂活性成分涂层和待处理材料需加强的表面形成化学键合；步骤c：进行后道塑封工序，已经与待处理材料表面形成化学键合的纳米级厚度的助粘剂活性成分另一侧的官能团与塑封过程中使用的环氧树脂形成化学键合。

作为本发明所述的半导体封装在塑封前的表面纳米膜处理方法的一种优选方案，其中：所述步骤a中，对待处理的的材料表面施用了助粘剂溶液，溶剂为有机溶剂，溶质为助粘活性物。

作为本发明所述的半导体封装在塑封前的表面纳米膜处理方法的一种优选方案，其中：所述步骤a中，助粘剂溶液通过微喷涂设备以非接触方式喷涂在待处理材料需要加强的表面上。

作为本发明所述的半导体封装在塑封前的表面纳米膜处理方法的一种优选方案，其中：所述步骤a中，进行助粘处理时使用的助粘剂活性成分是钛酸酯偶联剂或硅烷偶联剂。

作为本发明所述的半导体封装在塑封前的表面纳米膜处理方法的一种优选方案，其中：所述步骤b中，微喷涂形成的液体涂层可以采用常温挥发的方式，挥发的时间为5分钟到72小时，或采用加热烘烤的方式以加快纳米级涂层的形成，烘烤的温度为60度到150度，烘烤的时间为5到60分钟。