[发明专利]半导体被处理基板的真空处理系统及半导体被处理基板的真空处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及在半导体处理装置的真空处理室和真空搬运室之间具备半导体被处理基板(以下包含半导体晶片及基板状的试样等，简称为“晶片”)的搬运机构的真空处理系统的构成、及使用该系统的真空处理方法。特别是涉及将多个真空处理室经由多个真空搬运室内的搬运机构串联配置的真空处理系统的构成及真空处理方法。 

背景技术

在上述那样的装置，特别是在减压的装置内对处理对象进行处理的装置中，在寻求处理的微细化、高精度化的同时，寻求作为处理对象的被处理基板的处理效率的提高。因此，近年来开发一个装置具备多个真空处理室的多腔装置，使清洁室的单位设置面积的生产效率提高。 

具备这样的多个真空处理室或腔并进行处理的装置，各自的真空处理室或腔能够减压地调节内部的气体或其压力，与具备用于搬运被处理基板的机器人臂等的真空处理室(搬运腔)进行连接。 

在这样的构成时，真空处理装置整体的大小由真空搬运室及真空处理室的大小、数量及配置决定。真空搬运室的构成由相邻的真空搬运室或真空处理室的连接数量、内部的搬运机器人的回转半径、晶片尺寸等决定。另外，真空处理室由晶片尺寸、排气效率、为处理晶片而所需的设备的配置决定。另外，真空搬运室及真空处理室的配置也由生产所需的处理室的数量及维护性来决定。 

在上述基础上，专利文献1中记载有，在真空下的半导体处理系统中，关于对加工中的制品进行处理的方法及系统，为了将线形处理系统横断而用于从臂向臂处理材料的方法及系统。该专利文献1中， 提供一种真空处理系统，其课题在于对于如下半导体制造装置存在需要性：能够避免线形工具的问题，并且能够克服成束工具固有的限制，在小的设置面积移动晶片。 

专利文献1：(日本)特表2007-511104号公报 

但是，上述现有技术中，搬运晶片时的方法及系统构成是重点，对如下方面考虑不足。 

即，在构成真空处理系统的各单元的数量和配置中，作为主要的单元的对处理对象的晶片进行处理的处理室及用于进行真空搬运的真空搬运室和真空处理室的配置关系未进行生产性的效率最佳的配置关系的考虑，结果是单位设置面积的生产性不能最佳化。 

未充分考虑到这种单位设置面积的生产性的现有技术中，构成真空处理系统的装置的单位设置面积的晶片的处理能力受到损害。 

发明内容

因此，本发明的目的在于，提供单位设置面积的生产性高的半导体被处理基板的真空处理系统及半导体被处理基板的真空处理方法。 

为解决所述课题，本发明提供一种半导体被处理基板的真空处理系统，其特征在于，具备：大气搬运室，其前面侧配置多个盒台，搬运设置于所述多个盒台内的一个上的盒内所收纳的晶片；锁定室，其配置于该大气搬运室的后方，在内部收纳从该大气搬运室搬运的所述晶片；第一真空搬运室，其与该锁定室的后方连结，从该锁定室搬运所述晶片；搬运中间室，其与所述第一真空搬运室的后方连结；第二真空搬运室，其与该搬运中间室的后方连结，从该搬运中间室搬运所述晶片；与所述第一真空搬运室的后方连结、处理从所述第一真空搬运室搬运的所述晶片的至少一个真空处理室；与所述第二真空搬运室的后方连结、处理从所述第二真空搬运室搬运的所述晶片的两个以上的真空处理室，与所述第一真空搬运室连结的真空处理室的数量比与所述第二真空搬运室连结的真空处理室的数量少。 

另外，本发明的半导体被处理基板的真空处理系统，其特征在于，作为与所述第一真空搬运室连结且处理从所述第一真空搬运室搬运来 的所述晶片的第一真空处理室、和与所述第二真空搬运室连结且处理从所述第二真空搬运室搬运来的所述晶片的第二及第三真空处理室，将与所述第一真空搬运室连结的真空处理室的数量设为1个，将与所述第二真空搬运室连结的真空处理室的数量设为2个。 

另外，本发明的半导体被处理基板的真空处理系统，其特征在于，在所述第一及第二真空搬运室的各自内部配置搬运机器人，该搬运机器人包括具有多个臂的搬运机器人。