[发明专利]光学传感器及其制作方法

权利要求书

1.一种光学传感器，其特征在于，包括：

一富硅介电感光元件，该富硅介电感光元件包括：

一第一电极；

一第二电极；以及

一感光富硅介电层，设置于该第一电极与该第二电极之间，其中该感光富硅介电层中包含有多个硅纳米晶粒；以及

一信号读取元件，该信号读取元件与该富硅介电感光元件的该第一电极电性连接，用以读取该感光富硅介电层产生的一光电信号。

2.如权利要求1所述的光学传感器，其特征在于，该富硅介电感光元件包括设置于该信号读取元件的上方。

3.如权利要求1所述的光学传感器，其特征在于，该第一电极为一金属电极，且该第二电极为一透明电极。

4.如权利要求1所述的光学传感器，其特征在于，该感光富硅介电层的该硅纳米晶粒的直径介于0.5至200纳米之间。

5.如权利要求1所述的光学传感器，其特征在于，该信号读取元件包括一薄膜晶体管信号读取元件。

6.如权利要求1所述的光学传感器，其特征在于，该光学传感器包括一环境光传感器，设置于一显示装置的一非显示区内。

7.如权利要求6所述的光学传感器，其特征在于，该显示装置具有一框胶，且该环境光传感器设置于该框胶的外侧。

8.如权利要求6所述的光学传感器，其特征在于，该显示装置具有一框胶，且该环境光传感器设置于该框胶的内侧。

9.如权利要求1所述的光学传感器，其特征在于，该感光富硅介电层为一富硅氮化硅层，该富硅氮化硅层的分子式为SiNy，且y大于0.75且小于1.33。

10.如权利要求1所述的光学传感器，其特征在于，该感光富硅介电层为一富硅氮氧化硅层，该富硅氮氧化硅层的分子式为SiOxNy，且x介于0.1至2之间，y介于0.1至1.33之间。

11.如权利要求1所述的光学传感器，其特征在于，该感光富硅介电层的能隙介于1.2至4电子伏特之间。

12.如权利要求1所述的光学传感器，其特征在于，该感光富硅介电层的折射率介于1.5至3.8之间。

13.一种光学传感器的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板，并于该基板上形成一信号读取元件；

于该基板上形成一第一电极，电性连接该信号读取元件；

于该第一电极上形成一感光富硅介电层，其中该感光富硅介电层中包含有多个硅纳米晶粒；以及

于该感光富硅介电层上形成一第二电极。

14.如权利要求13所述的制作方法，其特征在于，该第一电极为一金属电极，且该第二电极为一透明电极。

15.如权利要求13所述的制作方法，其特征在于，该感光富硅介电层的该硅纳米晶粒的直径介于0.5至200纳米之间。

16.如权利要求13所述的制作方法，其特征在于，该信号读取元件包括一薄膜晶体管信号读取元件。

17.如权利要求13所述的制作方法，其特征在于，该光学传感器包括一环境光传感器，设置于一显示装置的一非显示区内。

18.如权利要求13所述的制作方法，其特征在于，该感光富硅介电层为一富硅氮化硅层，该富硅氮化硅层的分子式为SiNy，且y大于0.75且小于1.33。

19.如权利要求18所述的制作方法，其特征在于，形成该感光富硅氮化硅层的方法包括：

进行一电浆增加化学气相沉积工艺，于该基板上沉积该富硅氮化硅层。

20.如权利要求19所述的制作方法，其特征在于，该电浆增加化学气相沉积工艺是利用硅甲烷，以及一氮气来源气体反应形成该富硅氮化硅层，且硅甲烷与该氮气来源气体的比例介于15至1之间。

21.如权利要求20所述的制作方法，其特征在于，该氮气来源气体包括氨气或氮气其中至少之一。

22.如权利要求19所述的制作方法，其特征在于，该电浆增加化学气相沉积的反应温度介于250至400℃之间。