[发明专利]浅沟槽隔离区形成方法、浅沟槽隔离区结构及膜层形成方法有效
| 申请号： | 200710040982.7 | 申请日： | 2007-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN101312146A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 刘明源;郭佳衢 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/31;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李文红 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 形成 方法 结构 | ||
1.一种浅沟槽隔离区形成方法，其特征在于，包括：
在半导体基底上形成浅沟槽；
确定隔离层参数，所述确定隔离层参数包含确定所述隔离层的目标应力值和厚度的操作；
确定与所述参数对应的隔离层分布，所述隔离层包含至少一层压应力膜层和至少一层拉应力膜层，所述压应力膜层和拉应力膜层间隔相接；确定隔离层分布的步骤包含确定所述隔离层分基准值的操作，所述隔离层分基准值为各所述压应力膜层的厚度与其具有的应力值的乘积和各拉应力膜层的厚度与其具有的应力值的乘积之和；所述压应力膜层和拉应力膜层分别具有的厚度及应力值可利用生产数据库获得；所述隔离层分基准值的绝对值和所述隔离层的厚度的比值与所述隔离层目标应力值的差值小于或等于20MPa；
根据所述隔离层分布沉积隔离层内压应力膜层和拉应力膜层，所述隔离层覆盖所述浅沟槽。
2.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离区形成方法，其特征在于：沉积隔离层内压应力膜层和拉应力膜层的方法均为PECVD、HDPCVD、APCVD、LPCVD或HARP SACVD中的一种。
3.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离区形成方法，其特征在于：所述隔离层内包含的压应力膜层和拉应力膜层的数目相同或不相同。
4.一种膜层形成方法，其特征在于，包括：
形成半导体基体；
确定膜层参数，确定膜层参数的步骤包含确定所述膜层的目标应力值和厚度的操作；
确定与所述参数对应的膜层分布，所述膜层包含至少一层压应力层和至少一层拉应力层，所述压应力层和拉应力层间隔相接；确定膜层分布的步骤包含确定所述膜层分基准值的操作，所述膜层分基准值为各所述压应力层的厚度与其具有的应力值的乘积和各拉应力层的厚度与其具有的应力值的乘积之和；所述压应力膜层和拉应力膜层分别具有的厚度及应力值可利用生产数据库获得；所述膜层分基准值的绝对值与所述膜层的厚度的比值与所述膜层目标应力值的差值小于或等于20MPa；
根据所述分布沉积膜层内压应力层和拉应力层，所述膜层覆盖所述半导体基体。
5.根据权利要求4所述的膜层形成方法，其特征在于：沉积膜层内压应力层和拉应力层的方法均为PECVD、HDPCVD、APCVD、LPCVD或HARPSACVD中的一种。
6.根据权利要求4所述的膜层形成方法，其特征在于：所述膜层内包含的压应力层和拉应力层的数目相同或不相同。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
