“x7r”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1485884个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种高可靠性X7R用陶瓷粉料的制备方法-CN202210506942.1有效
发明人：杨国超;张志华;李孔俊;刘坤;曾勇 -专利权人：湖南艾迪奥电子科技有限公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明公开了靠性X7R用陶瓷粉料的制备方法，包括以下步骤：步骤一，玻璃粉制备；步骤二，稳定剂制备；步骤三，配方粉制备：按照稳定剂、钛酸钡的质量比1:33.88配制X7R用陶瓷配方粉，再按照固液比1:1的质量比加入相应量的无水乙醇，进行砂磨，待粒度满足要求后，送MLCC生产线按照X7R工艺进行试生产，烧成温度为1200℃，得到本发明的X7R用陶瓷粉料。本发明X7R陶瓷介质材料的制备方法，该方法以固相法钛酸钡为原料，添加少量的玻璃粉和掺杂剂，介质瓷料制备工艺简单，得到的电容器具有容温系数波动小、介电常数高（3300‑3800）等特点，可应用于MLCC领域
一种可靠性 x7r 陶瓷制备方法

[发明专利]一种X7R特性MLCC介质材料及其制备方法-CN201911074857.7有效
发明人：王孝国;刘艳丽;沈才;张尹;宋永生;李明 -专利权人：广东风华高新科技股份有限公司
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种X7R特性MLCC介质材料，所述介质材料由以下成分组成：固相法钛酸钡100摩尔份、SiO2 2.1‑2.9摩尔份、含镁化合物5.5‑7.0摩尔份该介质材料的介电常数为2200‑3800，符合X7R特性，可应用于厚度为2～10um的BME‑MLCC介质层的制备。本发明还公开了所述X7R特性MLCC介质材料的制备方法。
一种 x7r 特性 mlcc 介质材料及其制备方法

[发明专利]一种温度特性为X7R的瓷介电容器材料-CN201010588853.3无效
发明人：颜欢 -专利权人：颜欢
申请日： 2010-12-15 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：一种温度特性为X7R的瓷介电容器材料，主要原料：SrTiO3、MgTiO3、CaZrO3、MnCO3、Bi2O3等，主要特征：温度特性为X7R(即-55℃-+125℃)容量变化率为±15％、介电常数为1800
一种温度特性 x7r 电容器材料

[发明专利]一种X7R型陶瓷电容器介质材料及其制备方法-CN201910669855.6有效
发明人：胡长征;吴山;郭哲;孙朝中;方亮 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种X7R型陶瓷电容器介质材料及其制备方法。将碳酸钡、碳酸锶、三氧化二钐、三氧化二铁和五氧化二铌先球磨，细化原料，根据名义化学式按化学计量比配料，经预烧、二次球磨等工序，利用固相反应过程，最终制得X7R型陶瓷电容器介质材料Ba本发明方法可获得优良的温度稳定性介电陶瓷材料，满足EIA X7R标准；本发明方法简单，节能减排，成本适中，适合批量生产。
一种 x7r 陶瓷电容器介质材料及其制备方法

[发明专利]一种中温烧结X7R型陶瓷电容器介质材料及其制备方法-CN202210484023.9在审
发明人：胡长征;郑筱;靳祖恒;郭晓莹;方亮 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种中温烧结X7R型陶瓷电容器介质材料及其制备方法。将碳酸钡、碳酸锶、碳酸钠、三氧化二镧、三氧化二铁和五氧化二铌先球磨，细化原料，根据名义化学式按化学计量比配料，经预烧、二次球磨等工序，利用固相反应过程，最终制得X7R型陶瓷电容器介质材料SrX7R标准；本发明方法简单，节能减排，成本适中，适合批量生产。
一种烧结 x7r 陶瓷电容器介质材料及其制备方法

[发明专利]一种低电容电压系数的X7R瓷粉及其制备方法和应用-CN202210157662.4在审
发明人：王根水;李智强;闫世光;董显林 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明涉及一种低电容电压系数的X7R瓷粉及其制备方法和应用。所述低电压系数的X7R瓷粉，由纳米钛酸钡为主晶相，以及包覆在纳米钛酸钡表面的复合改性氧化物组成；所述复合改性氧化物的组成为Dy2O3
一种电容电压系数 x7r 及其制备方法应用

[发明专利]一种高击穿强度的X7R电容器陶瓷材料及其制备方法-CN201710296883.9有效
发明人：郝华;程旷男;赖昕;刘韩星;曹明贺;尧中华 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种高击穿强度的X7R电容器陶瓷材料及其制备方法。所述X7R电容器陶瓷材料组成为0.3BiAlO3‑0.7BaTiO3+xmol％MnO2+ywt％BAS，x取值为0.2～1.0，y取值为2～6，MnO2的加入量为0.3BiAlO3‑0.7BaTiO本发明制备的高击穿强度的X7R电容器陶瓷材料具有击穿强度高、常温介电常数较高、温度稳定性好的特点。
一种击穿强度 x7r 电容器陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种多层陶瓷电容器用介质材料及其制备方法-CN202210032510.1在审
发明人：朱恒;张伟;王新迎;艾辽东;王军;王海超 -专利权人：山东国瓷功能材料股份有限公司
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明提供的介质材料具有高偏压稳定性，且符合X7R标准，是一种具有高偏压稳定性的X7R型介质材料；利用该介质材料制得的多层陶瓷电容器，适合在还原气氛中烧结，烧结温度在1180‑1280℃之间，并且，该多层陶瓷电容器具有2000以上的介电常数，温度特性符合美国EIA标准的X7R特性，同时，其高压负荷的电容变化率小于30％，显示具有非常优异的抗直流偏压特性。
一种多层陶瓷电容器用介质材料及其制备方法

[发明专利]一种掺杂改性的温度特性为X7R的瓷介电容器材料-CN201010588828.5无效
发明人：颜欢 -专利权人：颜欢
申请日： 2010-12-15 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：一种掺杂改性的温度特性为X7R的瓷介电容器材料。主要原料：SrTiO3、MgTiO3\CaZrO3、MnCO3、Bi2O3等；主要掺杂原料：La2O3、SnO2、Al2O3等；主要特征：温度特性为X7R(即-55℃-+125℃)容量变化率为±15％、
一种掺杂改性温度特性 x7r 电容器材料

[外观设计]手电筒(X7R)-CN201730363494.4有效
发明人：范江 -专利权人：深圳市傲雷移动照明设备有限公司
申请日： 2017-08-10 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： 26-02 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称手电筒（X7R）。2．本外观设计产品的用途本外观设计产品用于照明，附带充电功能。3．本外观设计产品的设计要点产品的整体形状及图案。
手电筒 x7r

[发明专利]X7R绝缘组合物-CN200480013296.5有效
发明人：铉·帕克;丹尼尔·E·麦考利;迈克·S·H·朱 -专利权人：费罗公司
申请日： 2004-03-19 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：满足X7R需要的多层陶瓷芯片电容器，其适合还原氛围的烧结条件，因此可以使用非贵金属如镍、铜及其合金，以根据本发明制作内外电极。
x7r 绝缘组合

[发明专利]一种X7R陶瓷电容器介质材料及其制备方法-CN201810110293.7有效
发明人：钟永全;黄景林 -专利权人：厦门三行电子有限公司
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明涉及一种X7R陶瓷电容器介质材料及其制备方法，其包括主成分BaSrxCa1‑xTi2O6，其中0.35≤x≤0.85和改性掺杂剂，所述的改性掺杂剂是纳米级或亚纳米级ZnO、SiO2、AlX7R陶瓷电容器介质材料烧成温度1050～1150℃，介电常数800～1200,介质损耗≦0.5％，抗电强度≧9KVAc/mm，温度特性变化率(‑55～125℃)<±15％,适用于制作高可靠性X7R陶瓷电容器。
一种 x7r 陶瓷电容器介质材料及其制备方法

[发明专利]一种正温度系数X7R陶瓷介质材料及其制备方法-CN201811360673.2有效
发明人：郭雅晶;张永强;李江丹 -专利权人：太原师范学院
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明属陶瓷介质材料技术领域，为解决目前X7R陶瓷介质材料的电容温度系数在‑55℃～125℃范围内有正有负，不断变化的问题，提供一种正温度系数X7R陶瓷介质材料及其制备方法，由重量百分比为10‑30%的符合X7R标准，具备介电常数高、介电损耗低、正温度系数的特征。
一种温度系数 x7r 陶瓷介质材料及其制备方法

[发明专利]一种用于中高压X7R特性多层陶瓷电容器的介质材料-CN201611170717.6有效
发明人：陈世纯;张兵;司留启;张莹 -专利权人：山东国瓷功能材料股份有限公司
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明提供一种用于中高压X7R特性多层陶瓷电容器的介质材料，所述介质材料由以下成分组成：100摩尔(Ba
介质材料氧化物多层陶瓷电容器中高压高绝缘电阻温度稳定性抗还原性烧结低成本固相法介质层耐压配方优化生产

[发明专利]一种薄介质X7R特性MLCC用电介质材料及其制备方法-CN202210701721.X在审
发明人：陈世纯;杨爱民;张巧云;张莹;徐龙庆 -专利权人：山东国瓷功能材料股份有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明涉及电介质材料技术领域，具体涉及一种薄介质X7R特性MLCC用电介质材料及其制备方法。电介质材料由主成分BaTiO3、辅助成分和烧结助剂组成；其中，辅助成分包括：R3和R5；R3为选自W、Mo、V、Nb中至少一种元素的氧化物；R5为选自Yb、Sm、Gd、Tb中至少一种元素的氧化物；以主成分BaTiO3为100摩尔计，R3为0.01‑0.05摩尔；R5为0.5‑1.0摩尔；烧结助剂为1.0‑1.5摩尔。本发明的电介质材料，适于制作介质为4μm以上、工作电压为25V及以上的MLCC产品，且温度特性符合EIA标准的X7R特性，适合在工业生产中推广应用。
一种介质 x7r 特性 mlcc 用电材料及其制备方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条