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[发明专利]一种高压功率器件终端区结构-CN201610490358.6有效
发明人：李泽宏;李爽;陈文梅;陈哲;曹晓峰;李家驹;罗蕾;任敏 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-06-27 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明主要是具有位于硅片体内的SIPOS区4和位于硅片表面的SIPOS区5以及连接SIPOS区4、SIPOS区5的SIPOS柱12，器件处于反向阻断状态下时，位于硅片表面的SIPOS区5将电场线从深P区环与N型漂移区的边界缓慢向终端外部扩展，均匀表面电场，减小表面电场峰值；同时，SIPOS柱12辅助扩展位于硅片体内的耗尽线，减小纵向电场斜率，使得纵向电场强度变化趋于平缓；SIPOS区4对体内电场进行调制，提高位于SIPOS区4处的电场强度，因此，在相同的芯片面积下，提高击穿电压。
一种高压功率器件终端结构

[发明专利]一种具有半绝缘多晶硅层的纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管-CN201710157716.6有效
发明人：段宝兴;曹震;师通通;吕建梅;袁嵩;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-03-16 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有半绝缘多晶硅(SIPOS)层的纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOS)，该器件主要的特征是在器件漂移区的侧壁形成SIPOS填充层，SIPOS填充层两端分别连接器件的栅漏两端。一方面，由于SIPOS层具有均匀的电阻率，在器件关断时，SIPOS上具有均匀的电场。根据电位移连续方程可知，器件漂移区上的电场受到SIPOS上均匀电场的调制变得更加均匀。并且SIPOS层使得VDMOS器件漂移区的耗尽增强，从而器件漂移区的掺杂浓度提高，使得器件在导通时具有较低的导通电阻。另一方面，在器件开态时，由于SIPOS层与器件漂移区表面具有电势差，使得器件漂移区存在多数载流子积累，从而使得器件的导通电阻进一步降低。
一种具有绝缘多晶纵向扩散金属氧化物半导体场效应

[实用新型]Si基SIPOS钝化的GaN HEMT器件-CN202221854719.8有效
发明人：叶士杰;檀称进;代书雨;傅信强;王毅 -专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型器件依次为Si衬底、AlGaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、P型GaN层和栅极；AlGaN势垒层上形成的源极和漏极，源极和栅极之间形成的SIPOS钝化层、漏极和栅极之间形成的SIPOS在传统GaNHEMT器件的源栅漏之间利用SIPOS进行钝化保护，利用SIPOS膜的特性，能够缓和由于刻蚀产生的AlGaN势垒层表面缺陷对器件阈值漂移，和电流崩塌效应。同时，SIPOS还能产生空间电荷区屏蔽外加电场，平整器件横向电场，提高器件横向耐压。
si sipos 钝化 gan hemt 器件

[发明专利]半导体功率器件的终端结构及其制造方法-CN201510845704.3在审
发明人：高文玉;孙娜;陈智勇 -专利权人：宁波达新半导体有限公司;上海达新半导体有限公司
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体功率器件的终端结构，包括多个P型场限环；介质隔离条将P型场限环之间的N型半导体材料表面完全覆盖；SIPOS层覆盖在各P型场限环的表面上并延伸到介质隔离条表面上；在SIPOS层表面覆盖有介质保护层SIPOS层和P型场限环直接接触，SIPOS层和N型半导体材料间隔有所述介质隔离条，本发明通过介质隔离条来减少SIPOS层和底部半导体材料接触的面积从而减少漏电，通过SIPOS层和P型场限环直接接触来提高耐压一致性
半导体功率器件终端结构及其制造方法

[发明专利]一种具有半绝缘多晶硅层的纵向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管-CN201710157394.5有效
发明人：段宝兴;曹震;师通通;袁嵩;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-03-16 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有半绝缘多晶硅(SIPOS)层的纵向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管(SJ‑VDMOS)，该器件主要的特征是在器件超结漂移区的侧壁形成SIPOS层，SIPOS层两端分别连接器件的栅电极和漏电极首先SIPOS层与超结漂移区形成金属‑绝缘体‑半导体(MIS)电容结构，在器件关断时，由于MIS电容两端具有电势差，该电容辅助耗尽超结漂移区，可以有效地增加N型漂移区的掺杂浓度，从而可以使得器件的导通电阻降低；其次SIPOS层上具有均匀的电阻率，在器件关断时通过电场调制效应使得器件超结漂移区上的电场分布均匀；再次在器件开态时，由于SIPOS层与器件超结漂移区的表面存在电势差，从而在超结漂移区上形成多数载流子积累层
一种具有绝缘多晶纵向超结双扩散金属氧化物半导体场效应

[发明专利]硅台面半导体器件的PN结保护方法-CN201210296649.3有效
发明人：周明;穆连和;顾理建;王荣元 -专利权人：南通明芯微电子有限公司
申请日： 2012-08-21 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：硅台面半导体器件的PN结保护方法，涉及半导体器件的PN结保护工艺技术领域，在完成了扩散工序的硅片表面采用气相沉积法覆盖SIPOS薄膜，并采用掩膜的方法，去除多余的SIPOS薄膜，只在PN结表面保留SIPOS本发明采用半绝缘多晶硅（SIPOS）叠加玻璃钝化膜代替传统单一的玻璃钝化膜直接对台面半导体器件进行PN结表面保护的工艺方法，以提高钝化效果。
台面半导体器件 pn 保护方法

[发明专利]具有高发射极栅极电容的绝缘栅双极晶体管-CN201380021704.0有效
发明人： C.冯阿尔斯 -专利权人： ABB瑞士有限公司
申请日： 2013-04-25 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：第一SIPOS层(19)和覆盖第二绝缘层(21)覆在栅极多晶硅层(15)的至少部分之上。在中心区中，栅极多晶硅层(15)与上覆第一SIPOS层(19)电接触，而在周边区中，栅极多晶硅层(15)通过中间第三绝缘层(31)与上覆第一SIPOS层(19)电分离。由于第一SIPOS层(19)与栅极多晶硅层(15)电接触，两个层(19、15)处于相同电位，使得栅极‑发射极电容仅由中间第二薄绝缘层(21)来确定。在VLD区(13)的半导体衬底与第二SIPOS层(19’)电接触，第二SIPOS层(19’)由第二绝缘层(21)所覆盖。
具有发射极栅极电容绝缘双极晶体管

[发明专利]一种提升半导体芯片可靠性与良率的钝化保护方法-CN201610319266.1在审
发明人：李轶;丁波;裴紫伟;陈瀚;侯金松;杭海燕;徐伟涛;张文亮 -专利权人：上海微世半导体有限公司
申请日： 2016-05-13 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种提升半导体芯片可靠性与良率的钝化保护方法，其特征在于，包括如下步骤：钝化前清洗步骤，对完成沟槽化学腐蚀的晶圆片进行清洗；SIPOS薄膜制备步骤，通过LPCVD设备在所述晶圆片上制备SIPOS薄膜；电泳法玻璃钝化步骤，对前述SIPOS薄膜制备步骤后得到的晶圆片进行玻璃粉电泳，电泳完成后进行玻璃烧结；LTO薄膜制备步骤，通过LPCVD设备在所述电泳法玻璃钝化步骤后得到的晶圆片上制备LTO薄膜；引线孔钝化保护层去除步骤，去除所述LTO薄膜制备步骤后得到的晶圆片引线窗口上的LTO薄膜与SIPOS薄膜。
一种提升半导体芯片可靠性钝化保护方法

[发明专利]一种抗EMI的超结VDMOS器件及制备方法-CN202111341785.5在审
发明人：孙德福;李东华;李泽宏 -专利权人：济南市半导体元件实验所
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种抗EMI的超结VDMOS器件及其制备方法，该器件在超结的漂移区中具有由氧化层(SiO2)‑半绝缘多晶硅层(SIPOS)‑氧化层(SiOSIPOS层，SIPOS层下方与器件漏极金属相接，上方与器件源极金属相接。在器件关断状态下，复合介质层辅助耗尽超结漂移区，从而可大幅提高漂移区掺杂浓度，也可以缓解由于超结P柱与N柱之间失配导致的耐压降低现象；在器件开关过程中，由于SIPOS直接连接器件的源极与漏极，极大地提高了器件的输出电容
一种 emi vdmos 器件制备方法

[发明专利]一种低中压台面TVS产品的PN结钝化工艺-CN202011473058.X在审
发明人：崔丹丹;裘立强;王毅 -专利权人：扬州杰利半导体有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：在晶片表面沉积一层磷和硼，形成P+‑N‑N+结构；S2、选择性光刻；将晶片区域化成晶粒，并在晶粒表面将待蚀刻的区域暴露出来，其它区域用光阻剂保护；S3、沟槽蚀刻；对晶粒表面暴露出来的区域进行蚀刻；S4、SIPOS膜；S5、绝缘钝化；在SIPOS膜表面形成一层致密的SIO2膜；S6、电极面氧化膜去除；S7、金属化：在晶片表面镀一层电极金属，加工完毕。本发明在工作中，将SIPOS膜钝化与SiO2膜钝化结合，在SIPOS膜沉积后，利用LPCVD在其表面继续生长一层致密的SiO2膜，提升了产品能力。
一种压台 tvs 产品 pn 钝化工艺

[实用新型]稳定型瞬态抑制二极管-CN202320630972.3有效
发明人：崔丹丹;游佩武;裘立强;王毅 -专利权人：扬州杰利半导体有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：包括从下而上依次连接的N+层、N层、P+层；所述P+层上设有向下蚀刻至N层的椭圆结构的蚀刻槽；所述刻蚀槽上设有从下而上依次连接的SIPOS膜、SI3N4膜和SiO2膜，所述SIPOS膜、SI3N4膜和SiO2膜端部分别延伸至P+层的顶面，并与器件的边缘设有间距；所述P+层的顶面中部设有与SIPOS膜、SI3N<本实用新型在工作中，在高压TVS制造工艺中，将SIPOS膜钝化与Si3N4及SiO2膜钝化方式结合，在SIPOS膜沉积后，利用LPCVD在其表面继续生长一层Si3N4及致密的SiO
稳定瞬态抑制二极管

[发明专利]一种硅片加工方法、硅片以及包含该硅片的芯片-CN202310150310.0在审
发明人：于航;李铁男;董善伟;李大哲 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：S1、利用CVD技术在硅片表面生长SIPOS保护膜；S2、利用钝化技术在硅片的玻璃槽内生长玻璃；S3、利用CVD技术在硅片表面生长一层薄的氧化层；S4、利用光刻胶感光后发生化学反应，将光刻版上的图形转移到被腐蚀的硅片上；S5、将硅片放入SIPOS+多晶腐蚀液中进行一步腐蚀，所述SIPOS+多晶腐蚀液由硝酸、氢氟酸和冰乙酸配制而成；S6、腐蚀后去除光刻胶并清洗，得到表面具有所需图形的硅片。
一种硅片加工方法以及包含芯片

[发明专利]一种具有复合介质层纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法-CN201710623812.5有效
发明人：段宝兴;曹震;吕建梅;师通通;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-07-27 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有复合介质层(Composite Dielectric Layer，CDL)纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOS)及其制作方法，该器件主要是在器件栅电极下方的漂移区侧壁形成半绝缘多晶硅(SIPOS器件关断时SIPOS柱与High K介质层上具有均匀的电场，通过电场调制使得器件的漂移区内电场分布均匀。同时，SIPOS柱与High K介质层共同辅助耗尽漂移区，大幅度提高了器件漂移区的耗尽能力使得器件的漂移区掺杂浓度增加，降低了器件的导通电阻。
一种具有复合介质纵向扩散金属氧化物半导体场效应及其制作方法

[发明专利]一种具有复合介质层宽带隙半导体纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法-CN201710623838.X有效
发明人：段宝兴;曹震;吕建梅;师通通;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-07-27 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有复合介质层(Composite Dielectric Layer，CDL)宽带隙纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOS)及其制作方法，该器件主要是在器件栅电极下方漂移区侧壁形成半绝缘多晶硅层(SIPOS器件关断时SIPOS柱与High K介质层上具有均匀的电场，通过电场调制使得器件的漂移区内电场分布均匀。同时，SIPOS柱与High K介质层共同辅助耗尽漂移区，大幅度提高了器件漂移区的耗尽能力使得器件的漂移区掺杂浓度增加，导通电阻降低。
一种具有复合介质宽带半导体纵向扩散金属氧化物场效应及其制作方法

[发明专利]一种SIPOS 5执行机构控制技术改进的装置-CN202011543505.4在审
发明人：郭勇;赵述禹;陈明亮;许洪德;郑全;张忠华;孟召林;杨铁男;薛佳;宫喜鹏;焦忠林;胡泉;贺志 -专利权人：华能国际电力股份有限公司营口电厂
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H02P25/16 文献下载
摘要：本发明涉及SIPOS 5执行机构控制技术领域，具体涉及一种SIPOS 5执行机构控制技术改进的装置，包括包括变压器、电机和信号齿轮单元，所述电机通过电性分支三组支路连接有过流保护器，所述过流保护器通过电性分支三条支路连接有断路器该SIPOS 5执行机构控制技术改进的装置整体简化了控制单元，使装置整体的结构更为简单，有效的降低了维护成本,同时提高执行机构稳定性，减少了检修人员的维护量。
一种 sipos 执行机构控制技术改进装置

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