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- [发明专利]级联脉冲宽度调制转换器控制-CN202080021167.X在审
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M·施维泽;T·盖尔;I·苏马斯
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ABB瑞士有限公司
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2020-03-03
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2021-10-22
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H02M7/483
- 一种电转换器（10）包括用于生成第一输出电压（u1abc）的主转换器（12）和用于将第一输出电压（u1abc）转换为第二输出电压（u2abc）的转换器单元（14a）。一种用于操作电转换器（10）的方法，包括：接收用于电转换器（10）的参考电压（v*abc）；采用第一调制频率对参考电压（v*abc）进行脉冲宽度调制，以用于为主转换器（12）生成第一开关信号（s1abc）；采用第一开关信号（s1abc）对主转换器（12）进行开关，以生成第一输出电压（u1abc）；从第一开关信号（s1abc）估计第一输出电压（v1abc）；通过从参考电压（v*abc）中减去估计的第一输出电压（v1abc）来确定电压误差（v*2abc）；采用高于第一调制频率的第二调制频率对电压误差（v*2abc）进行脉冲宽度调制，以用于为转换器单元（14a）生成另外的开关信号（s2abc、s3abc）；并且采用另外的开关信号（s2abc、s3abc）对转换器单元（14a）进行开关以生成第二输出电压（u2abc）。
- 级联脉冲宽度调制转换器控制
- [发明专利]具有两个辅助发射极导体路径的半导体模块-CN201580008490.2有效
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S.哈特曼;D.科泰特;S.基钦
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ABB瑞士有限公司
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2015-01-14
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2018-10-19
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H01L23/64
- 半导体模块（10）包括：至少一个半导体芯片（12），其包括至少一个半导体开关（14），该至少一个半导体开关（14）具有集电极（18）、发射极（22）和栅极（20）；集电极端子（24），其连接到集电极（18）；栅极端子（26），其连接到栅极（20）；发射极端子（28），其经由具有发射极电感（32）的发射极导体路径（30）连接到发射极（22）；辅助发射极端子（38），其连接到发射极（22）；第一导体路径（34），其连接到发射极（22）；和第二导体路径（36），其连接到发射极（22）具有与第一导体路径（34）不同的与发射极导体路径（30）的互感耦合。第一导体路径（34）和第二导体路径（36）能连接到辅助发射极端子（38）和/或第一导体路径（34）连接到辅助发射极端子（38）并且第二导体路径（36）连接到第二辅助发射极端子（44）。半导体开关（14）是IGBT，并且第一导体路径（34）和第二导体路径（36）中的每个包括桥接点（40），用于使相应导体路径连接到辅助发射极端子（38）。
- 具有两个辅助发射极导体路径半导体模块
- [发明专利]带RJ45型输入和输出插座的测试块-CN201710224863.0在审
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菲利普·弗朗斯;亚历山大·夏耶
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ABB瑞士有限公司
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2017-04-07
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2017-12-08
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G01R1/04
- 本发明涉及一种用于植入于连接待测试装置与给所述待测试装置供电的电源的电路中的测试块，所述待测试装置诸如是电量计或保护继电器，所述电源诸如是强度传感器和/或电压传感器。所述测试块包含基座(10)，其包括多个内部电路，所述多个内部电路能够允许将信息从所述电源传输到所述待测试装置；以及保护罩(11)，其用于以可拆卸方式与所述基座(10)组装，以便形成容纳所述内部电路的封闭外罩。所述基座(10)和所述保护罩(11)被配置成使得所述保护罩(11)的移除允许进入由所述基座(10)限定并且能够通过插入而接收独立于所述测试块的测试插头(13)并且电连接到特别是电压计和/或电流计和/或虚设电流源的测试设备的接收区(12)。还描述一种测试器具。
- rj45输入输出插座测试
- [发明专利]具有高发射极栅极电容的绝缘栅双极晶体管-CN201380021704.0有效
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C.冯阿尔斯
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ABB瑞士有限公司
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2013-04-25
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2017-05-03
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H01L29/739
- 描述一种具有高发射极‑栅极电容的IGBT(1)。活性单元区(5)包括多个发射极区(9)和栅极区(11)。末端边缘区(7)包括变化横向掺杂区VLD(13)。各栅极多晶硅层(15)设置在栅极区(11)中的半导体衬底(3)的表面，并且通过第一绝缘层(17)与半导体衬底(3)分离。第一SIPOS层(19)和覆盖第二绝缘层(21)覆在栅极多晶硅层(15)的至少部分之上。在中心区中，栅极多晶硅层(15)与上覆第一SIPOS层(19)电接触，而在周边区中，栅极多晶硅层(15)通过中间第三绝缘层(31)与上覆第一SIPOS层(19)电分离。由于第一SIPOS层(19)与栅极多晶硅层(15)电接触，两个层(19、15)处于相同电位，使得栅极‑发射极电容仅由中间第二薄绝缘层(21)来确定。在VLD区(13)的半导体衬底与第二SIPOS层(19’)电接触，第二SIPOS层(19’)由第二绝缘层(21)所覆盖。相应地，增加的栅极‑发射极电容可以仅通过在IGBT的制造期间稍微修改蚀刻掩模来实现。
- 具有发射极栅极电容绝缘双极晶体管
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