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[发明专利]CVD SiC/SiO₂梯度抗氧化复合涂层及其制备方法-CN201210129286.4有效
发明人：李国栋;梁武;熊翔;张红波;吴敏 -专利权人：中南大学
申请日： 2012-04-28 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： C04B41/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种CVD SiC/SiO2梯度抗氧化复合涂层及其制备方法，主要用于石墨、C/C复合材料及易氧化陶瓷基材料(如C/C-陶瓷复合材料、C/陶复合材料、碳化物陶瓷等)的长时间抗氧化保护。涂层由SiC涂层、SiO2涂层及SiC与SiO2共沉积涂层组成。涂层由一种梯度构成，或由多个梯度构成多层复合梯度涂层，即由内至外涂层依次为SiC/SiC-SiO2/SiO2涂层，或依次SiC/SiC-SiO2/SiC～SiO2/SiC-SiO2/SiO2涂层，或依次为SiC/SiC-SiO2/SiO2/SiO2-SiC/SiC/SiC-SiO2/SiO2…SiC/SiC-SiO2/SiO2，或为SiC/SiC-SiO2/SiO2-SiC/SiC-SiO2/…/SiO2-SiC/SiC-SiO2/SiO2，或为SiC/SiC-SiO2/SiC～SiO2/SiO2-SiC/SiC～SiO2/…/SiC～SiO2/SiC-SiO2/SiO2，或仅为SiC～SiO2共沉积涂层
cvd sic sio sub 梯度氧化复合涂层及其制备方法

[发明专利]一种SiO₂减反射薄膜及其制备方法-CN201210097416.0有效
发明人：宋伟杰;兰品军;李佳;鲁越晖;杨晔;谭瑞琴 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2012-04-01 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： C03C17/23 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiO2减反射薄膜，包括光伏玻璃衬底以及依次涂覆在光伏玻璃衬底上的10nm-30nm厚的第一SiO2致密层、50nm-300nm厚的SiO2纳米空心颗粒层和填充在SiO2纳米空心颗粒层中SiO2纳米空心颗粒之间孔隙中的第二SiO2致密物；第二SiO2致密物的填充总量等同于5nm-30nm厚的第一SiO2致密层中SiO2致密物的量。本发明还公开了该制备方法：在光伏玻璃上制备第一SiO2致密层，再制备SiO2纳米空心颗粒层并填充第二SiO2致密物，经高温处理得到SiO2减反射薄膜。该方法操作简单，适合工业化大规模应用。
一种 sio sub 反射薄膜及其制备方法

[发明专利]一种用于SiO₂陶瓷及SiO₂陶瓷基复合材料连接的钎料及其制备方法-CN201310192224.2有效
发明人：张丽霞;张大磊;亓钧雷;石俊秒;冯吉才 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2013-05-22 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： B23K35/24 文献下载
摘要：一种用于SiO2陶瓷及SiO2陶瓷基复合材料连接的钎料及其制备方法，本发明涉及钎料及其制备方法。本发明要解决目前SiO2陶瓷及SiO2陶瓷基复合材料难以被钎料润湿，且接头强度不高的问题。一种用于SiO2陶瓷及SiO2陶瓷基复合材料连接的钎料由Cu、Sn和Ti组成；方法：一、称取；二、球磨；三、压片。本发明制备的钎料能实现SiO2陶瓷及SiO2陶瓷基复合材料自身及与金属的直接钎焊，焊前不需要对材料表面进行任何改性处理，钎料中活性元素Ti能够实现对陶瓷基体的润湿从而实现钎料与SiO2陶瓷及SiO2陶瓷基复合材料的冶金结合本发明制备的钎料用于SiO2陶瓷及SiO2陶瓷基复合材料的连接。
一种用于 sio sub 陶瓷复合材料连接料及制备方法

[发明专利]通过由蒸汽相沉积和借助液体硅氧烷原料制造合成石英玻璃的方法-CN201280057983.1有效
发明人： H.法比安;J.勒佩尔 -专利权人：赫罗伊斯石英玻璃股份有限两合公司
申请日： 2012-11-22 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： C03B19/14 文献下载
摘要：本发明涉及制造合成石英玻璃的方法，其包括步骤(A)提供液体SiO2原料(105)，其包含多于70重量%的聚烷基硅氧烷D4，(B)将SiO2原料(105)汽化成气态SiO2原料蒸气(107)，(C)将SiO2原料蒸气(107)转化成SiO2颗粒，(D)使所述SiO2颗粒沉积在沉积表面(160)上，同时形成SiO2灰料体(200)，(E)使SiO2灰料体(200)玻璃化，同时形成合成石英玻璃。根据本发明提出，汽化加热的SiO2原料(105)包括在膨胀室(125)中的注射阶段，在此将SiO2原料(105)雾化成微滴，所述微滴具有小于5微米，优选小于2微米的平均直径。
通过蒸汽沉积借助液体硅氧烷原料制造合成石英玻璃方法

[发明专利]光波导与碳化硅小尺寸界面异质键合方法-CN202310136894.6在审
发明人：罗燕;丁蕾;周义;尚吉扬;孙树丹;姚崇斌;陈凯 -专利权人：上海航天电子通讯设备研究所
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种光波导与碳化硅小尺寸界面异质键合方法，包括：选择SiC晶片，在SiC晶片上制备SiO2钝化层；在所述SiC晶片侧边连接SiO2光波导,所述SiO2光波导进光的一侧镀空气与SiO2增透膜，与SiC晶片连接的一侧镀SiO2与SiC增透膜；将SiO2光波导与SiC晶片进行对位；通过SiO2光波导对SiC晶片相对的两侧同时加热且施加压力，以键合SiO2光波导；通过热压实现SiC上SiO2钝化层与增透膜上SiO2的原子间扩散互连。
波导碳化硅尺寸界面异质键合方法

[发明专利]荧光SiO2胶体试剂的制备方法及使用荧光SiO2胶体试剂的试纸-CN201510283348.0有效
发明人：姜国胜;刁玉涛;张华;刘振东;成丽娟;孙尚文;王舒健 -专利权人：山东省医学科学院基础医学研究所
申请日： 2015-05-28 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： G01N33/558 文献下载
摘要：本发明公开了荧光SiO2胶体试剂的制备方法及使用荧光SiO2胶体试剂的试纸，制备方法包括制备氨基修饰的荧光SiO2纳米粒子；SiO2纳米氨基的羧基化；通过羧基化荧光SiO2纳米粒子与抗体蛋白的偶联，得到荧光SiO2纳米粒子。本发明的有益效果是通过制备氨基修饰的荧光SiO2纳米粒子、羧基化荧光SiO2纳米粒子和将羧基化LDS粒子与抗体蛋白的偶联来制造荧光SiO2胶体试剂，制作过程简易可行；利用荧光SiO2胶体试剂与免疫层析技术相结合
荧光 sio2 胶体试剂制备方法使用试纸

[发明专利]一种在SiC材料上生长SiO₂钝化层的方法-CN201110147251.9有效
发明人：李博;申华军;白云;汤益丹;刘焕明;周静涛;杨成樾 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-06-02 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种在SiC材料上生长SiO2钝化层的方法，属于在半导体材料上生长钝化层的技术领域。所述方法包括采用PECVD在SiC材料上生长SiO2钝化层和对SiO2钝化层致密。所述方法能够在较低的温度条件下实现SiO2钝化层在SiC材料上的生长，SiO2钝化层在退火后的折射率从1.465减小到1.455，SiO2钝化层的致密程度高，能够满足SiC材料对SiO2钝化层的要求。并且，本发明提供的在SiC材料上生长SiO2钝化层的方法能够用于厚度在100nm以上的SiO2钝化层的生长。
一种 sic 材料生长 sio sub 钝化方法

[发明专利]张应力 LPCVD SiO₂膜的制造方法-CN201110448748.4有效
发明人：尚海平;焦斌斌;刘瑞文;陈大鹏;李志刚;卢迪克 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-12-28 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种张应力LPCVD SiO2膜的制造方法，包括：在衬底上采用LPCVD沉积应力为F1的压应力SiO2膜，F1＜0；对压应力SiO2膜注入掺杂剂，在其表面形成重掺杂SiO2膜退火使得压应力SiO2膜转变为应力为F2的张应力SiO2膜，F2＞0。依照本发明的LPCVD张应力SiO2膜制备工艺，其工艺简单、与传统微细加工工艺兼容，不但实现双材料悬臂梁的应力匹配，而且明显增强SiO2的抗XeF2腐蚀能力，最终使采用Al和SiO2双材料的、应力匹配的悬臂梁制作成功实现
应力 lpcvd sio sub 制造方法

[发明专利]色彩可调的光子晶体装饰涂层及其制备方法-CN201810058780.3在审
发明人：黄健;罗斯特;江奇;张守迪 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2018-01-22 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： B01J13/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种核壳结构的SiO2/PMMA微球及基于该微球制备的光子晶体装饰涂层及其制备方法，所述SiO2/PMMA微球由PMMA包覆SiO2微球得到，具有核壳结构，其中SiO2微球粒径为160～280nm，SiO2/PMMA微球粒径为180～295nm，并且SiO2微球与SiO2/PMMA微球粒径的标准偏差系数均不高于0.05。本发明提供的SiO2/PMMA微球粒径小且粒径分布窄，基于该SiO2/PMMA微球制备的光子晶体装饰涂层根据微球粒径不同能呈现蓝、绿、黄、橙、红等颜色，且光泽会随着观察的角度不同而发生变化，从而实现颜色可调
微球粒径微球制备光子晶体装饰涂层核壳结构粒径分布可调的包覆可调观察

[发明专利]一种SiO2/GQDs–DNA–Au NPs纳米复合材料及其制备方法和应用-CN201610051567.0有效
发明人：孔荣梅;裴海盟;渠凤丽 -专利权人：曲阜师范大学
申请日： 2016-01-26 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明属于纳米新材料领域，具体涉及一种SiO2/GQDs–DNA–Au NPs纳米复合材料及其制备方法和应用。所述SiO2/GQDs–DNA–Au NPs纳米复合材料中GQDs偶联在氨基化SiO2纳米球表面，并利用DNA两端的‑NH2和‑COOH使SiO2/GQDs和Au NPs–DNA连接起来形成SiO2/GQDs–DNA–Au其中，GQDs具有稳定的光学性质，发光强度高，并且均匀分布在SiO2纳米球表面，提高了GQDs的化学生物修饰效率；SiO2球表面氨基化之后，将GQDs偶联在SiO2球表面，GQDs发光性能保持不变，SiO2/GQDs具有良好的生物相容性、合成简便、绿色无污染、表面易于修饰、发光稳定且容易分离，更有利于实际应用；并且SiO2/GQDs作为能量供体，DNA修饰的Au NPs作为能量受体，使SiO2/GQDs–DNA–Au
一种 sio sub gqds dna au nps 纳米复合材料及其制备方法应用

[发明专利]纳米SiO2复合玻璃棉隔板-CN01132706.5有效
发明人：胡信国;李红祝 -专利权人：浙江南都电源动力股份有限公司
申请日： 2001-09-03 - 公布日： 2003-04-02 - 主分类号： H01M2/16 文献下载
摘要：比表面积大，物化性能好，使电池使用寿命长的纳米SiO2复合玻璃棉隔板，是在玻璃棉隔板上复合有纳米SiO2颗粒，所述的复合有纳米SiO2颗粒是指将纳米SiO2分散液在造纸线上于烘干工序前均匀喷撒或涂布在玻璃棉隔板上所形成的，所述的纳米SiO2分散液以其重量计含分散剂0.1～2％，纳米SiO25～20％，水78～94.9％；所述的纳米SiO2复合玻璃棉隔板，还可以是由玻璃棉基质材料和纳米SiO2颗粒混合构成，这是指将所述的纳米SiO2分散液加入到玻璃棉浆料中，按常规隔板抄造工艺制成所述的纳米SiO2复合玻璃棉隔板。
纳米 sio2 复合玻璃棉隔板

[发明专利]一种晶体硅太阳电池多层减反射膜的制备方法-CN201510064782.X无效
发明人：叶飞;蒋方丹;金浩;陈康平 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2015-02-09 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体硅太阳电池多层减反射膜的制备方法，在镀膜工序制作减反射膜层时，在太阳能电池硅片表面先制作一层SiO2膜层Ⅰ，然后在SiO2膜层Ⅰ表面再制作一层SiO2膜层Ⅱ，最后在SiO2膜层Ⅱ表面制作SiNx减反射膜层，具体步骤如下：（1）预清洗；（2）制作第一层SiO2膜层Ⅰ；（3）制作第二层SiO2膜层Ⅱ：在第一层SiO2膜层Ⅰ上镀第二层SiO2膜Ⅱ，通入氧化性气体至PECVD炉内氧化反应生成SiO2膜层Ⅱ，所述SiO2膜层Ⅱ厚度为45～55nm；（4）制作SiNx减反射膜层。
一种晶体太阳电池多层减反射膜制备方法

[发明专利]一种用于SiO_2r/SiO₂复合陶瓷与金属材料钎焊的工艺方法-CN201010266686.0有效
发明人：熊华平;陈波;程耀永;李晓红;毛唯 -专利权人：中国航空工业集团公司北京航空材料研究院
申请日： 2010-08-31 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：本发明是一种用于SiO2f/SiO2复合陶瓷与金属材料钎焊的工艺方法，其特征在于，选取AgCu-Ti活性钎料进行对SiO2f/SiO2复合陶瓷的连接，具体工艺步骤是，先通过机械加工方法在SiO2f/SiO2使用AgCu-Ti活性钎料置于SiO2f/SiO2复合陶瓷待焊表面的沟槽处，而且在被焊的SiO2f/SiO2复合陶瓷与被焊的金属材料之间的待焊界面上添加AgCu-Ti钎料，再通过真空钎焊加热方式，实现SiO2f/SiO2复合陶瓷与金属材料的有效连接。
一种用于 sio sub 复合陶瓷金属材料钎焊工艺方法

[发明专利]高透过率柔性透明导电薄膜及其制备方法-CN201010162968.6有效
发明人：朱殿荣;李俊;赖勇建;曹俊 -专利权人：江苏康力电子科技有限公司
申请日： 2010-05-05 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种高透过率柔性透明导电薄膜及其制备方法，其特征在于该透明导电薄膜的膜系为ITO/SiO2/SiO2/衬底材料/SiO2/SiO2或SiO2/ITO/SiO2/SiO2/衬底材料/SiO2/SiO2的多膜层结构，主体材料ITO为In2O3与SnO2和金属In与Sn，其中，Sn与In元素在ITO中的质量百分含量为78.9％～85.4％，Sn与In元素的质量比为40～49∶60～51，薄膜厚度范围为
透过柔性透明导电薄膜及其制备方法

[发明专利]一种SiO₂/ABS复合材料的制备方法-CN201310189706.2有效
发明人：孙立国;李文龙;金政;卜志鹏;吴迪 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2013-05-21 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： C08L55/02 文献下载
摘要：一种SiO2/ABS复合材料的制备方法，涉及一种复合材料的制备方法。本发明是要解决现有改性ABS树脂的方法对ABS树脂的增强、增韧以及综合性能的改进上效果不佳的技术问题。一、制备SiO2种子液；二、制备SiO2胶体微球溶胶液；三、制备沉积的SiO2胶体微球；四、制备干燥的SiO2胶体微球；五、制备共混物；六、制备SiO2/ABS复合材料。本发明制备的SiO2/ABS复合材料中SiO2微球分散效果良好，既能达到增强的目的，同时又能起到增韧的作用，明显的增强复合材料的力学性能，且SiO2/ABS复合材料的热失重速率大，其热稳定性能好。
一种 sio sub abs 复合材料制备方法

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