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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种低损伤晶片减薄工艺-CN201611183350.1在审
发明人：马学亮;陈平;张华;王永存 -专利权人：上海电机学院
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种低损伤晶片减薄工艺，所述PMNT晶片表面分别标记为表面1与表面2，其工艺流程为PMNT晶片表面1的处理；PMNT晶片表面2的处理；PMNT晶片表面1与PMNT表面2的低损伤处理；清洗清洗去除氢氟酸缓冲液；所述PMNT晶片表面1与PMNT晶片表面2的低损伤处理的具体步骤为采用氢氟酸缓冲液对PMNT晶片的表面1与表面2进行湿法腐蚀以去除缺陷和损伤，时间控制在于10min±30s。
一种损伤晶片工艺

[发明专利]一种PMNT靶材及其制备方法-CN202310381212.8在审
发明人：童亚琦;郑彧;李辉;刘晓花;王震 -专利权人：中材人工晶体研究院有限公司;北京中材人工晶体研究院有限公司;中国建材集团有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C04B35/499 文献下载
摘要：本申请提供了一种PMNT靶材的制备方法，包括：获得MNT前驱体；将MNT前驱体与PbO混合并进行高温处理，获得PMNT粉体；将PMNT粉体进行球磨、造粒、过筛、冷等静压成型、排胶、热压烧结处理，获得PMNT本申请提供的制备方法可以得到微观结构均匀、致密度高、纯度高的PMNT靶材，特别是可以获得大尺寸高质量的PMNT靶材，从而提高PMNT薄膜产品的成品率，降低成本。
一种 pmnt 及其制备方法

[发明专利]一种基于CRISPR-Cas12a系统利用PMNT显色快速进行核酸检测的方法-CN202211124038.0在审
发明人：刘华;王金斌;曾海娟;赵琦;何川;胡秀文 -专利权人：上海市农业科学院
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C12Q1/6844 文献下载
摘要：一种基于CRISPR‑Cas12a利用PMNT显色进行核酸快速检测的方法，将RPA扩增产物加入CRISPR‑Cas12a反应体系，孵育反应结束后，向含有ssDNA的反应体系中加入阳离子水溶性共轭聚噻吩PMNT溶液，若体系中不存在被检测靶标，则ssDNA与加入的PMNT在静电相互作用力的驱动下形成复合物，溶液为红色；若体系中存在被检测的靶标，则ssDNA序列被Cas12a切割，不会再与PMNT作用，则溶液颜色为PMNT的本色黄色。
一种基于 crispr cas12a 系统利用 pmnt 显色快速进行核酸检测方法

[发明专利]基于PMNT压电单晶的MEMS宽频振动能量采集器及制备方法-CN201110446634.6无效
发明人：刘景全;唐刚;杨斌;杨春生;杉山进 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2011-12-27 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L41/083 文献下载
摘要：一种基于PMNT压电单晶的MEMS宽频振动能量采集器，是一种将弯曲振动机械能转换为电能的压电器件，包括：硅固定基座、支撑层、PMNT压电薄膜层和质量块，其中，硅固定基座、支撑层、PMNT压电薄膜层依次贴合形成多层结构本发明采用压电性能较好的PMNT单晶作为压电材料，并用键合和减薄方法制备高性能的PMNT压电薄膜，能够有效地提高器件的输出特性，从而提高转换效率；同时，采用固定在悬臂梁端部的装满液体的微容器，可实时有效地改变器件在振动环境下的固有频率
基于 pmnt 压电 mems 宽频振动能量采集制备方法

[发明专利]一种热释电材料及其制备方法-CN201310337428.0在审
发明人：方必军;钱昆;丁建宁 -专利权人：常州大学
申请日： 2013-08-06 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： C04B35/472 文献下载
摘要：本发明通过部分草酸盐工艺路线制备PMNT陶瓷，抑制焦绿石相形成、增加陶瓷致密度、提高压电材料综合电学性能；低成本制备的PMNT陶瓷呈现出与热释电单晶PMNT、PZNT相当或更加优良的热释电性能，克服了压电单晶生长困难、成本高、周期长的问题；PMNT陶瓷的优良介电、热物理、热释电和力学性能，适用于制作热释电探测器，可以提高热释电探测器的综合性能，改善热释电探测器的制作工艺，有望在非制冷红外探测和成像器件方面获得应用。
一种热释电材料及其制备方法

[发明专利]一种钛铌镁酸铅铁电薄膜的制备方法-CN201010512870.9无效
发明人：刘爱云;阮亚飞;周丹;李传青;黄磊 -专利权人：上海师范大学
申请日： 2010-10-20 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： C04B35/472 文献下载
摘要：本发明涉及电化学材料领域，公开了一种钛铌镁酸铅铁电（PMNT）薄膜的制备方法。是利用熔融的KOH或NaOH与其反应制得可溶性正铌酸铌盐；采用柠檬酸螯合法分别制备出铌、镁、钛和铅的前驱体溶液。分别将各个前驱液混合制备出PMNT的前驱体溶液，利用旋涂法制备出PMNT铁电薄膜。本方法采用廉价的Nb2O5作为铌源，大大地节约了制备成本，便于工业应用。
一种钛铌镁酸铅铁薄膜制备方法

[发明专利]一种具有单晶PMNT的声表面波谐振器及制造方法-CN202011608835.7在审
发明人：李红浪;许欣;李阳 -专利权人：广东广纳芯科技有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明涉及具有单晶PMNT的声表面波谐振器及制造方法。该谐振器包括厚度为350‑500μm的衬底层、厚度为1‑1.6λ或3λ的高声速层、厚度为0.2λ的氧化层、单晶PMNT厚度为λ的压电薄膜；及厚度为180‑200nm的电极层。PMNT压电薄膜材料为(1‑x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑xPbTiO该谐振器的制作方法包括：对PMNT单晶片进行处理，获得压电薄膜；在Si衬底上沉积高声速层，在高声速层上沉积氧化层；将氧化层和压电薄膜低温键合；在压电薄膜上沉积电极。
一种具有 pmnt 表面波谐振器制造方法

[发明专利]基于MSO电子基因芯片的汞离子的检测方法-CN200810046337.0无效
发明人：林华森 -专利权人：成都市华森电子信息产业有限责任公司
申请日： 2008-10-21 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： G01N33/84 文献下载
摘要：聚合物3-(3’-氮，氮，氮-三乙基-1’-异丙基)-4-甲基2，5-盐酸噻吩，简称为PMNT。PMNT的阳离子水解显示黄色。聚合物的光学性质对它的共轭主链的构造变化十分敏感。因此，我们利用PMNT水溶液与MSO水溶液混合产生光学变化对汞离子进行探测。该检测方法效率高，具有较高的选择性，不依赖于寡核苷酸的荧光表，节约成本。
基于 mso 电子基因芯片离子检测方法

[发明专利]液相外延制备铁电厚膜的方法-CN03129057.4无效
发明人：姚忻;曾新华 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2003-06-05 - 公布日： 2004-02-04 - 主分类号： H01L21/368 文献下载
摘要：钛酸铅晶体生长采用的组分进行氧化物原料配料；然后，把配好的粉料在玛瑙球磨罐中球磨，并在900℃进行煅烧；最后，将煅烧后的粉料与助熔剂氧化铅混合均匀，经过高温下一段时间的泡料后，在钛酸锶基片上外延生长制备PZNT(PMNT本发明采用氧化铅作助熔剂，钛酸锶基片作籽晶，在高温下通过液相外延的方法制备PZNT(PMNT)铁电厚膜材料，工艺简单，操作方便，能制备成分均一、具有一定厚度和特定取向的PZNT(PMNT)铁电厚膜材料。
外延制备铁电厚膜方法

[发明专利]一种铌镁酸铅－钛酸铅热释电单晶材料及其应用-CN200410089072.4无效
发明人：罗豪甦;赵祥永;唐艳学;徐海清;贺天厚;林迪 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2004-12-03 - 公布日： 2006-09-27 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种铌镁酸铅－钛酸铅(PMNT)热释电单晶材料及其应用，属于热释电单晶领域。而且该PMNT单晶使用温度可以达到80℃，室温性能稳定，易于加工。使用该PMNT单晶作为热－电转换的响应元可以制备成性能优异的热释电探测器，应用于红外探测和成像器件。
一种铌镁酸铅钛酸铅热释电单晶材料及其应用

[发明专利]谐振器和谐振器的制造方法-CN202110392528.8在审
发明人：李红浪;许欣;柯亚兵 -专利权人：广东广纳芯科技有限公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H03H9/15 文献下载
摘要：本发明提供一种谐振器和谐振器的制造方法，该谐振器的特征在于，包括：衬底；压电层，该压电层由PMNT材料形成并且形成在所述衬底上；以及电极，该电极形成在所述压电层上，其中，所述PMNT材料包括(1‑x)Pb
谐振器制造方法

[发明专利]弛豫铁电单晶铌镁酸铅的制备方法-CN99113472.9无效
发明人：罗豪甦;殷之文;沈关顺;徐海清;齐振一;许桂生;王评初;乐秀宏;刘克;李金龙;仲维卓 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 1999-02-11 - 公布日： 2002-03-13 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种弛豫铁电单晶铌镁酸铅—钛酸铅（PMNT）的制备方法，属晶体生长领域。本发明提供的制备方法，包括原料处理、升温熔化、生长和降温一系列单晶生长过程。其中坩埚下降方向的最大温度梯度大于50℃／cm，S籽晶／S晶体大于70％，用本发明的技术可以生长出直径大于40mm,长度大于60mm的PMNT单晶，其压电性能可以达到d33＞3000pC/N，k33＞90
弛豫铁电单晶铌镁酸铅制备方法

[发明专利]一种单晶模板制备铁氧体薄膜的方法-CN201210330562.3有效
发明人：方必军;贾楠;丁建宁;罗豪甦 -专利权人：常州大学
申请日： 2012-09-10 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：本发明利用PMNT单晶为模板（ZL99113472.9）、以钴锌铁氧体为磁致伸缩材料，通过简单的溶胶-凝胶和旋转涂膜法工艺，制备层叠磁电复合材料。本发明的优点在于：1）能够稳定提供不同切型、高质量的PMNT单晶模板，实现对磁电复合材料的性能调控；2）工艺流程简单、成本低廉，能够制备1:1层叠和三明治结构的层叠磁电复合材料；3）钴锌铁氧体薄膜的厚度
一种模板制备铁氧体薄膜方法

[发明专利]一种用于超声除冰的PMNT压电换能器-CN201811426445.0在审
发明人：徐元铭;雷育永;刘若冰;王依兵;李连臣 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于超声除冰的PMNT压电换能器，从顶部到底部依次设置有后盖板、两个压电片和前垫片，后盖板与压电片之间、两个压电片之间、压电片与前垫片之间均设置有电极片，前垫片中心设置有底座，后盖板、压电片本发明PMNT压电换能器在输出稳定、功率容量大的同时，还有体积小、质量轻、易于安装等优点，适合安装在飞机上进行除冰。
压电片后盖板压电换能器电极片前垫片除冰同心圆孔超声底座功率容量输出稳定依次设置中心设置螺栓衔接体积小外侧面飞机

[发明专利]一种大口径低驱动电压的二维电光偏转装置-CN201910704197.X有效
发明人：张学娇;张若凡;郭精忠;陈祥;幺周石 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G02F1/055 文献下载
摘要：本发明公开了一种大口径低驱动电压的二维电光偏转装置，包括：第一级电光偏转模块、半波片和第二级电光偏转模块；其中，所述第一级电光偏转模块包括第一Ti/Au电极、第二Ti/Au电极、第三Ti/Au电极、第四Ti/Au电极和第一PMNT/PLZT陶瓷体；所述第二级电光偏转模块包括第五Ti/Au电极、第六Ti/Au电极、第七Ti/Au电极、第八Ti/Au电极和第二PMNT/PLZT陶瓷体。
一种口径驱动电压二维电光偏转装置

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