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[发明专利] 一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制作方法 -CN201510114652.2 有效
发明人：
卢马才
- 专利权人：
深圳市华星光电技术有限公司
申请日：
2015-03-16
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公布日：
2017-10-03
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主分类号：
H01L21/77 文献下载
摘要： 本发明公开一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括步骤A)利用第一带条纹的光罩定义出N沟道的源电极的重掺杂区(316a)和轻掺杂区(316b)、N沟道的漏电极的重掺杂区(317a)和轻掺杂区(317b)；B)利用第二带条纹的光罩定义出P 沟道的源电极的掺杂区(318 )和漏电极的掺杂区(319)；C)利用第三带条纹的光罩定义出像素区、N沟道的漏电极的重掺杂区(317a)和源电极的重掺杂区(316a)处的接触孔区、P 沟道的源电极的掺杂区(318 )和漏电极的掺杂区(319)处的接触孔区；D)利用第四带条纹的光罩定义出N沟道的漏电极的重掺杂区(317a)和源电极的重掺杂区(316a)处的金属电极区、P 沟道的源电极的掺杂区(318 )和漏电极的掺杂区(319)处的金属电极区一种 低温 多晶 薄膜晶体管 阵列 制作方法
[发明专利] 提纯全氟环丁烷的方法 -CN99803646.3 无效
发明人：
C·P·C·考 ;B·A·马勒 ;R·N·米勒
- 专利权人：
纳幕尔杜邦公司
申请日：
1999-03-05
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公布日：
2001-04-25
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主分类号：
C07C17/386 文献下载
摘要： 公开含有小于百万分之十(摩尔)的卤代杂质的PFC－C318 和生产这种基本纯的PFC－C318 的方法。在实施这些方法时,发现含PFC－C318 的各种共沸或共沸状组合物具有使用价值。这些组合物包括全氟环丁烷(PFC－C318 )和2－氯－1,1,1,2－四氟乙烷(HCFC－124);全氟环丁烷(PFC－C318 )和1,1,2,2－四氟乙烷(HFC－134);全氟环丁烷(PFC－C318 )和1,1,1,2－四氟乙烷(HFC－134a);全氟环丁烷(PFC－C318 )和1,1－二氟乙烷(HF－152a)。用来生产基本纯的PFC－C318 的本发明方法包括a)从卤代杂质分离PFC－C318 的共沸蒸馏法,和b)通过使用选自醚类、酮类、醇类、烃类和氢氯化碳的夹带剂从卤代杂质中分离PFC－C318 的萃取蒸馏法。提纯 全氟环 丁烷 方法
[发明专利] 一种双结型栅氮化镓异质结场效应管 -CN201610928271.2 有效
发明人：
杜江锋 ;白智元 ;蒋知广 ;于奇
- 专利权人：
电子科技大学
申请日：
2016-10-31
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公布日：
2019-05-14
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主分类号：
H01L29/778 文献下载
摘要： 本发明提出了一种双结型栅氮化镓异质结场效应管(DJG‑HFET)，它包括衬底(310)，缓冲层(311)，沟道层(312)，势垒层(313)以及势垒层(313)上形成的源极(315)、漏极(317)、钝化层(314)以及P 型铝铟镓氮(319)，顶栅极(316)与P 型铝铟镓氮(319)合称顶P 型栅，在源极(315)和漏极(317)外侧为由空间电荷组成的隔离区(318 )。在顶栅极(316)下的沟道层(312)下方与顶栅极对称的位置有一层栅介质层(303)、一层P 型铝铟镓氮层(302)以及一层背栅(301)，且这三者一同组成了背P 型栅，背P 型栅与顶P 型栅极合称双结型栅。该结构能够有效增加二维电子气的限域性，并解决P 型GaN栅极在高栅压时栅控能力变差的问题。一种 双结型栅 氮化 镓异质结 场效应
