专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]阈值跟踪上电复位电路-CN202080086007.3在审
  • D·考尔;R·乔汉 - 德克萨斯仪器股份有限公司
  • 2020-12-14 - 2022-08-05 - H03K17/22
  • 一种上电复位(POR)电路(800)包括NFET分支(302)和PFET分支(306)。NFET分支(302)包括:具有第一阈值电压(Vthn)的n沟道场效应晶体管(NFET)(310、312);以及耦合在电源端子(VDD)与NFET(310、312)之间的第一静态偏置电流源(304)。PFET分支(306)包括:具有第二阈值电压(Vthp)的p沟道场效应晶体管(PFET)(316、318);以及耦合在接地端子与PFET(316、318)之间的第二静态偏置电流源(308)。POR电路(800)被配置为基于第一阈值电压(Vthn)或第二阈值电压(Vthp)中的较大者和电压裕度(Vmargin)在输出端子(816、818、820)处提供POR信号。输出端子(816)耦合在PFET分支(306)与第二静态偏置电流源(308)之间。
  • 阈值跟踪复位电路
  • [发明专利]上电复位电路-CN201980059312.0在审
  • D·考尔;R·乔汉;V·K·辛格尔 - 德克萨斯仪器股份有限公司
  • 2019-07-17 - 2021-04-16 - H03K17/22
  • 在电路(100)中,输入级(110)包括第一晶体管器件(114),该第一晶体管器件(114)被配置为响应于第一偏置电流(118)通过超过第一晶体管器件(114)的第一阈值电压而激活第一晶体管器件(114)来生成第一输出信号(116)。补偿级(130)包括与第三晶体管器件(138)耦合的第二晶体管器件(134)。响应于第一输出信号(116)超过第二晶体管器件(134)的第二阈值电压而激活第二晶体管器件(134)。响应于第二晶体管器件(134)的激活和第二偏置电流(140),激活第三晶体管器件(138)。补偿级(130)被配置为响应于第三晶体管器件(138)的激活而生成第二输出信号(150)。输出级(160)被配置为响应于第二输出信号(150)超过第三阈值电压而生成复位信号(164)。
  • 复位电路

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