专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]多路火灾报警系统-CN201220423087.X有效
  • 张成亮 - 滨州学院
  • 2012-08-23 - 2013-02-13 - G08B17/10
  • 本实用新型涉及一种多路火灾报警系统,所述多路火灾报警系统由QC12864B液晶显示屏、MSP430中央处理器、SIM300GSM通讯模块和MC14468P第一主控芯片及HIS-07第一烟雾传感器,MC14468P第二主控芯片及HIS-07第二烟雾传感器,MC14468P第三主控芯片及HIS-07第三烟雾传感器组成;MSP430中央处理器分别连接QC12864B液晶显示屏、SIM300GSM通讯模块和MC14468P第一主控芯片及HIS-07第一烟雾传感器,MC14468P第二主控芯片及HIS-07第二烟雾传感器,MC14468P第三主控芯片及HIS-07第三烟雾传感器,反应灵敏、可自动报警、易于安装、性价比高,对微小烟雾粒子的感应更灵敏
  • 火灾报警系统
  • [发明专利]用于包装烟草制品的设备和方法-CN200780024506.4有效
  • A·J·布雷;P·霍德格斯 - 英美烟草(投资)有限公司
  • 2007-06-20 - 2009-07-08 - B65B19/12
  • 本发明提出一种包装设备和方法,该设备包括一个或多个可操作地将至少两个组装的盒体(P1,P2)连接起来的包装机械(MC1,MC2,MC3)。带施加器(MC4)将带系统(S)施加到组装的盒体(P1,P2)的所有而并非其中一个的一个表面上。传送系统(TC)引导组装的盒体(P1,P2),使得其上已经施加所述带的每个组装的盒体(P1,P2)的表面邻接组装盒体的另一个的表面,从而将带(S)夹置在邻接表面之间。固定装置,其围绕相邻盒体固定带(S),从而盒体(P1,P2)被连接起来并且通过转动一个或多个边缘可相对于彼此移动。
  • 用于包装烟草制品设备方法
  • [发明专利]用于协议处理的方法及系统-CN202080103657.4在审
  • 卡里·维耶里马 - 西门子工业软件有限公司
  • 2020-08-28 - 2023-04-28 - G06F9/50
  • 本发明涉及一种包括主程序代码(MC)的协议处理的方法,主程序代码(MC)包括用于处理传输协议(TP)的数据包流(S1)的不同协议元素(MAC SA、MAC DA)的指令,主程序代码(MC)包括一个或多个代码段,该方法包括以下步骤:向主程序代码(MC)的代码段中的一个或多个代码段分配延迟要求和/或带宽要求,根据所分配的延迟和/或带宽要求将代码段中的每一个代码段编译成相应的目标代码,以供不同的处理器(P1、P11、P12、P13、P2)执行目标代码中的每一个目标代码。
  • 用于协议处理方法系统
  • [发明专利]光耦合器以及光放大器-CN202080061606.X在审
  • 若山雄太;钓谷刚宏 - 凯迪迪爱通信技术有限公司
  • 2020-08-25 - 2022-04-12 - G02B6/28
  • 光耦合器具有第一构件至第N构件,第K构件(K为1~N的整数)包含:MC光纤,其具有在圆周上等间隔地配置的第一纤芯至第P(P为N以上的整数)纤芯、以及配置在与第一纤芯最近的位置的标记;以及一个以上的SC光纤,第K构件的SC光纤的纤芯与不同于第一纤芯的耦合纤芯耦合,第M构件(M为1~N‑1的整数)的MC光纤的各纤芯与第(M+1)构件的MC光纤的各纤芯连接,第一构件至第N构件所包含的SC光纤的合计数为P,通过第一构件至第N构件的连接而构成的MC光纤的P个纤芯分别与第一构件至第N构件所包含的P个SC光纤的纤芯中的一个纤芯耦合。
  • 耦合器以及放大器
  • [发明专利]一种c‑Si/a‑Si/mc‑Si太阳电池结构及其制备方法-CN201611003948.8在审
  • 李文佳;邵剑波;王振交;李果华;朱益清;王晓 - 江南大学
  • 2016-11-15 - 2017-01-11 - H01L31/0368
  • 本发明公开了一种c‑Si/a‑Si/mc‑Si太阳电池结构及其制备方法,该结构包括N型单晶硅片,设在N型单晶硅片受光面和背光面的本征a‑Si层,设在受光面本征a‑Si层上的掺杂Pmc‑Si层,设在背光面本征a‑Si层上的掺杂N型mc‑Si层,分别设在掺杂Pmc‑Si层和掺杂N型mc‑Si层上的ITO透明导电膜层及设在ITO透明导电膜层上的金属栅线电极。本发明的掺杂mc‑Si层由本征a‑Si层通过瞬间辐照退火形成。瞬间辐照退火技术把杂质掺杂和a‑Si晶化两个过程合并在10~20ms之间同时完成,不仅简化了制造步骤,还使此种结构电池适用于大规模生产。更重要的是,本发明使得本征a‑Si层和掺杂mc‑Si层并存,发挥本征a‑Si层钝化优势的同时,使用掺杂mc‑Si作为发射层和背场层材料,有效地减小复合、降低串联电阻,有利于提升电池性能。
  • 一种simc太阳电池结构及其制备方法

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