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[发明专利]NM107在抗传染性胰脏坏死病毒中的应用-CN202310930996.5在审
发明人：邵轶智;徐黎明;赵景壮;任广明;卢彤岩;刘琪 -专利权人：中国水产科学研究院黑龙江水产研究所
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： A61K31/7068 文献下载
摘要：本发明公开了NM107在抗传染性胰脏坏死病毒中的应用。本发明提供了NM107或其衍生物或其药学上可接受的盐或以NM107或其衍生物或其药学上可接受的盐为活性成分的物质在制备用于抗传染性胰脏坏死病毒的产品中的应用。NM107在体内外都具有抗IPNV作用，是一种有潜力的抗IPNV感染的候选药物。
nm107 传染性胰脏坏死病毒中的应用

[发明专利]有机EL元件、显示面板以及显示装置-CN201080069420.5无效
发明人：菅野恒;山田隆太 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-11-15 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：有机EL元件包括透明电极（109）、与透明电极（109）对向配置的反射电极（103）、以及介于透明电极（109）与反射电极（103）之间的膜厚为20nm至200nm的发光层（107）。反射电极（103）是以Al为主成分的金属膜（1031）和在该金属膜（1031）的发光层（107）侧的整个表面不隔着氧化层而层叠的Ni膜（1032）的层叠膜。而且，金属膜（1031）的膜厚为43nm以上，Ni膜（1032）的膜厚d为0nm＜d＜5nm。另外，层叠膜的发光层（107）侧表面的面内平均粗糙度Ra为0.6nm≤Ra＜2.0nm，层叠膜的发光层（107）侧表面的面内最大高低差Rmax为5nm≤Rmax＜20nm。
有机 el 元件显示面板以及显示装置

[实用新型]一种视频光信号放大与PON光信号合波的装置-CN201720791470.3有效
发明人：盛元锋;张传彬;邹奉庭;关卫林 -专利权人：武汉光迅科技股份有限公司
申请日： 2017-07-01 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H04B10/25 文献下载
摘要：所述装置包括设备外框101、业务单盘102、控制单盘105和电源盘107，其中，业务单盘102、控制单盘105和电源盘107设置在设备外框101中，所述电源盘107为所述业务单盘102和控制单盘105供电本实用新型装置支持1550nm的CATV光信号与GPON(1310nm/1490nm)的光信号进行融合传输,也能支持和1550nm的CATV光信号与10GPON1270nm/1575nm的光信号进行融合传输
一种视频信号放大 pon 装置

[发明专利]用于EUV光刻的掩模、EUV光刻系统和用于优化掩模的成像的方法-CN201180029828.4有效
发明人： J.劳夫;D.克莱默 -专利权人：卡尔蔡司SMT有限责任公司
申请日： 2011-06-10 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于EUV光刻的掩模(105)，其包含：基板(107)；施加于基板(107)的多层涂层(108)；以及施加于多层涂层(108)并具有吸收体材料的掩模结构(109)，该掩模结构(109)具有小于100nm的最大厚度，优选地不超过30nm的最大厚度，尤其优选地是20nm，尤其是10nm。
用于 euv 光刻系统优化成像方法

[发明专利]半导体激光装置及其生产方法和光盘单元-CN200410059538.6无效
发明人：蛭川秀一;河西秀典;山本圭 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2004-03-26 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：在具有大于760nm并小于800nm的振荡波长的半导体激光装置中，在n－型GaAs衬底(101)上，依次堆叠有n－型第一和第二下覆盖层(103，104)、下波导层(105)、GaAs下界面保护层(106)、InGaAsP应变多量子阱有源层(107)、GaAs上界面保护层(108)、上波导层(109)和p－型AlGaAs上覆盖层(110)。量子阱有源层(107)与上波导层(109)之间的界面和量子阱有源层(107)与上波导层(105)之间的界面变得陡峭，晶体的外延生长也变得良好。
半导体激光装置及其生产方法光盘单元

[发明专利]一种磁性聚己内酯组织工程支架-CN201310046377.6无效
发明人：葛建华;杨上游 -专利权人：山东大学
申请日： 2013-02-05 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： A61L27/44 文献下载
摘要：所述的Fe3O4粒径在1-107nm之间，所述的孔隙率为0.01-99.9%，孔径1-107nm。
一种磁性内酯组织工程支架

[发明专利]一种由暴露（001）晶面超薄纳米页构筑的分级结构硫化镉纳米花及其制备方法-CN201711079724.X有效
发明人：赵才贤;陈烽;詹夏;易兰花;李靖娥;焦培鑫;罗和安 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2017-11-06 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： C01G11/02 文献下载
摘要：该分级结构硫化镉纳米花由厚度约2nm～4nm，暴露(001)晶面的超薄硫化镉纳米页组成，直径为300nm～1um，其比表面积高达107m
硫化镉纳米分级结构制备蒸馏水二亚乙基三胺无水乙醇洗涤超薄纳米片光催化还原溶剂热反应可见光操作过程催化活性纳米粒子去离子水无机镉盐暴露产率混匀晶面硫粉能耗构筑

[发明专利]液晶显示装置-CN200810166378.3有效
发明人：田边英夫;高畑胜;山下学 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2008-09-26 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：图像信号线(107)延伸到端子部。图像信号线(107)在端子部以外由无机钝化膜(108)和有机钝化膜(109)覆盖。端子部为了取得导通，在有机钝化膜(109)和无机钝化膜(108)形成端子部通孔。端子部为了保护图像信号线(107)，由ITO膜(120)覆盖。端子部通孔的有机钝化膜(109)的锥角θ为35度以下，并且端子部通孔周边的有机钝化膜(109)的厚度为300nm～600nm，从而防止取向膜的切屑进入端子部，防止导通不良。
液晶显示装置

[发明专利]氮化镓系化合物半导体发光元件-CN201080038204.4有效
发明人：加藤亮;吉田俊治;横川俊哉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-07-07 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L33/16 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓系化合物半导体发光元件，其具备n-GaN层(102)、p-GaN层(107)、以及位于n-GaN层(102)和p-GaN层(107)之间的GaN/InGaN多重量子阱活性层(105)，GaN/InGaN多重量子阱活性层(105)是包括InxGa1-xN(0＜x＜1)阱层(104)的m面半导体层，该InxGa1-xN(0＜x＜1)阱层(104)具有6nm以上且17nm以下的厚度，GaN
氮化化合物半导体发光元件

[发明专利]电极材料、具有该材料的构造体和具有该构造体的二次电池-CN200410031253.1无效
发明人：浅尾昌也;川上总一郎;小仓孝夫 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2004-03-26 - 公布日： 2004-11-03 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：其中，锂二次电池用电极材料(103)采用以下材料：在由以硅为主要成分的合金构成的平均粒子直径为0.02μm～5μm以下的粉末粒子内，合金的微晶大小是2nm以上500nm以下，在硅相(106)中，分布着至少包含锡的金属互化物(107)的材料；或者，在由以硅为主要成分的合金构成的平均粒子直径为0.02μm～5μm以下的粉末粒子内，合金的微晶大小是2nm以上500nm以下，在硅相(106)中，分布着至少包含铝、锌、铟、锑、铋、铅任意一种以上的金属互化物(107)的材料。
电极材料具有构造二次电池

[发明专利]Al系镀覆钢板-CN201880013000.1在审
发明人：山口伸一;真木纯;藤田宗士;山中晋太郎;今野伦子;鸟羽哲也 -专利权人：日本制铁株式会社
申请日： 2018-03-23 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： C23C28/00 文献下载
摘要：本发明提供一种Al系镀覆钢板，其具备：母材(101)、形成于母材(101)的至少一面的Al系镀层(103)、形成于Al系镀层(103)的表面的中间皮膜层(105)和形成于中间皮膜层(105)的表面的表面皮膜层(107)，所述表面皮膜层(107)含有平均粒径为0.10μm以上且5.00μm以下的ZnO粒子(109)和有机树脂(111)，上述ZnO粒子(109)的附着量为0.5g/m²以上且10.0g(A)其厚度为10nm以上且1000nm以下，以S、Al和O作为主要成分，[S]/[Al]为0.0008以上且0.49以下，[S]/[O]为0.001以上且0.55以下。(B)其包含含氧酸盐，附着厚度为10nm以上且500nm以下。(C)其为氟化物盐，所含的氟的量为20mg/m²以上。
皮膜层镀覆钢板表面皮镀层膜层母材粒子氟化物盐含氧酸盐平均粒径有机树脂附着量附着

[发明专利]光接收装置、包括电路的光接收元件、以及光盘驱动器-CN02823267.4有效
发明人：林田茂树;森冈达也;谷善彦;大久保勇;和田秀夫 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2002-12-10 - 公布日： 2005-03-02 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：在所述P型半导体层102上，设置由通过热氧化形成的第一氧化硅107以及通过CVD形成的第二氧化硅108组成的抗反射薄膜结构106。所述第一氧化硅107的薄膜厚度设定为大约15nm，因此防止在所述第一氧化硅107与所述P型半导体层102之间的界面上的缺陷。所述第二氧化硅108的薄膜厚度设定为大约100nm，因此当长时间施加电源电压时防止在阴极之间的漏电流。
接收装置包括电路元件以及光盘驱动器

[发明专利]低光反馈噪声的自脉冲半导体激光器-CN200710129105.7无效
发明人：小林正英 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2007-07-11 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：一种自脉冲半导体激光器，包括：形成在半导体衬底(101)上的下包层(103)，形成在下包层上的有源层(105)，形成在有源层上的第一上包层(107)，形成在第一上包层上的第二上包层(109)和阻挡层(BLK第一上包层(107)的厚度d满足220nm≤d≤450nm的关系。可以在宽的温度范围内实现稳定的自脉冲。
反馈噪声脉冲半导体激光器

[发明专利]联苯为基块构筑的多孔芳香骨架材料及其机械球磨制备方法-CN202011417528.0在审
发明人：任浩;陈潇禄;袁珍闫 -专利权人：吉林大学
申请日： 2020-12-05 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： C08G61/10 文献下载
摘要：扫描电镜图显示PAF‑107s为尺寸约100nm的不规则球。通过调变联苯、无水FeCl3和二甲醇缩甲醛的比例，PAF‑107s的多孔性能有所变化。球磨联苯和无水FeCl3合成的PAF‑107a的BET比表面积为83m2g‑1107的BET比表面积得到提升。在联苯、无水FeCl3和二甲醇缩甲醛的摩尔比例为1：6：6时，PAF‑107c的的BET比表面积高达470m2g107b的乙烷、乙烯和乙炔吸附性能。
联苯构筑多孔芳香骨架材料及其机械磨制方法

[发明专利]等离子显示面板-CN200810003169.7无效
发明人：前岛聪;森田雅史;斋藤光央;冈崎浩司;本间义康 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-01-15 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： H01J17/49 文献下载
摘要：本发明提供一种PDP，其具有形成于基板(103)上的显示电极(106)、电介质层(107)和保护膜(108)，保护膜(108)为包含氧化镁的金属氧化膜，且保护膜(108)的任意点的膜厚、和任意点的通过阴极发光法测出的发光波长400nm到450nm之间的最大发光强度(A₂)与发光波长330nm到370nm之间的最大发光强度(A₁)的比率(A₂/A_1<
等离子显示面板

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