“nio”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3365个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种三维花状纳米复合材料及其制备方法和应用-CN201911223933.6在审
发明人：伊雯雯;李忠平;郭玉晶;董川 -专利权人：山西大学
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：本发明提供一种三维花状纳米复合材料及其制备方法和应用，所述复合材料为NiO/PDDA‑RGO，其制备方法是将PDDA‑RGO与水热反应煅烧后合成的NiO通过超声辅助的方法获得。该复合材料中还原氧化石墨烯作为NiO的载体，不仅克服了NiO导电性差的问题，也改善了分析物的吸附特性以增强电化学性能，是一种优良的电极修饰材料。将NiO/PDDA‑RGO复合材料修饰到电极表面，构筑电化学传感用于无酶亚硝酸盐检测。
一种三维纳米复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种树舌基氮掺杂介孔碳与NiO-CoS2-CN202011286433.X在审
发明人：赵东江;田喜强;马松艳;董艳萍;黄守磊;白晓波 -专利权人：绥化学院
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： C01B32/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种树舌基氮掺杂介孔碳与NiO‑CoS2复合电极材料的制备方法，该方法包括如下步骤：（一）树舌的预处理；（二）制备氮掺杂介孔碳与NiO的复合物；（三）制备醋酸钴和氨基酸的混合溶液；（四）制备氮掺杂介孔碳与NiO‑CoS2复合电极材料；本发明的优点：（一）采用上述制备方法，实现了氮掺杂介孔碳与NiO‑CoS2复合电极材料的合成；（二）本发明制备的氮掺杂介孔碳与NiO‑CoS2复合电极材料与现有的非贵金属电极材料相比，稳定性较好
种树舌基氮掺杂介孔碳 nio cos base sub

[发明专利]一种硼掺杂氧化镍/氢氧化镍电极材料的制备方法-CN202011171818.1在审
发明人：张轲;周岩;曹中秋;王艳 -专利权人：沈阳师范大学
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01G11/86 文献下载
摘要：本发明公开了一种硼掺杂氧化镍/氢氧化镍电极材料的制备方法，包括如下步骤：1)铜片表面预处理；2)在铜片表面化学镀NiB薄膜；3)采用原位电化学阳极氧化的方法处理镀膜后的铜片，得到B掺杂的NiO/Ni(OH本发明针对现有的NiO/Ni(OH)2电极材料的制备路线的缺点，提出了在0.1mm铜片柔性材料表面先化学镀NiB再电化学阳极氧化制备工艺路线，得到了一种简单易行、B掺杂量大、可控性良好的NiO/Ni(OH)2(B)电极材料的制备工艺，提高了制备出的NiO/Ni(OH)2电极材料电容性能和电化学稳定性，且该工艺方法有利于NiO/Ni(OH)2电极材料的商业应用和工业化生产。
一种掺杂氧化氢氧化电极材料制备方法

[发明专利]甲烷二氧化碳重整制合成气的NiO/γ-Al₂O₃催化剂及其制备方法-CN201210522423.0有效
发明人：马凤云;莫文龙;刘红霞 -专利权人：新疆大学
申请日： 2012-12-07 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： B01J23/755 文献下载
摘要：本发明涉及甲烷二氧化碳重整获得合成气的催化剂技术领域，是一种甲烷二氧化碳重整制合成气的NiO/γ-Al2O3催化剂及其制备方法，该一种甲烷二氧化碳重整制合成气的NiO/γ-Al2O3催化剂按下述步骤得到本发明方法同现有生产NiO/γ-Al2O3催化剂的方法相比，具有简单方便的操作过程，采用本发明方法生产的NiO/γ-Al2O3催化剂具有甲烷转化率高、氢气选择性高、催化剂寿命长的特点，并且本发明生产的NiO
甲烷二氧化碳重整合成气 nio al sub 催化剂及其制备方法

[发明专利]一种基于CuO-NiO核壳结构的异质结NO₂气体传感器及其制备方法-CN201410153128.1有效
发明人：阮圣平;曲凤东;刘彩霞;高强;温善鹏;周敬然;沈亮;董玮 -专利权人：吉林大学
申请日： 2014-04-16 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：一种基于CuO/NiO核壳结构的异质结NO₂气体传感器及其制备方法，属于气体传感器技术领域。该传感器从下至上依次由Al₂O₃衬底、Pd金属插指电极、在插指电极上制备的CuO-NiO核壳结构异质结纳米微球敏感层组成；其中CuO/NiO核壳结构纳米微球敏感层的厚度为采用CuO/NiO核壳结构纳米微球作为敏感材料，不但应用了其较高比表面积，还可以有效地利用CuO/NiO核壳结构纳米微球的异质结构提高气敏响应。
一种基于 cuo nio 结构异质结 no sub 气体传感器及其制备方法

[发明专利]一种超级电容器电极材料NiO/介孔碳纳米球的制备方法-CN201610055611.5有效
发明人：甘礼华;王新;刘明贤 -专利权人：同济大学
申请日： 2016-01-27 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： H01G11/86 文献下载
摘要：本发明涉及一种超级电容器电极材料NiO/介孔碳纳米球的制备方法。将氨水、水和乙醇混合，加入正硅酸乙酯，搅拌后制得SiO2溶胶；加入Ni(NO3)2·6H2O，搅拌10min，于100℃水热反应3h，制得NiO/SiO2纳米粒子；然后加入间苯二酚和甲醛溶液，搅拌24h后，于100℃水热反应24h，制得含有NiO/SiO2纳米粒子的聚合物纳米球；聚合物纳米球干燥后，在氮气气氛中，以2～10℃·min‑1的升温速率从室温升温到700℃～900℃炭化，然后用NaOH溶液除去产物中的SiO2，得到NiO/介孔碳纳米球。本发明工艺简单，所得NiO/介孔碳纳米球作为超级电容器电极材料时，表现出较高的比容量和较好的循环稳定性。
一种超级电容器电极材料 nio 介孔碳纳米制备方法

[发明专利]一种多元醇还原技术制备p型氧化物薄膜材料的方法-CN201510835588.7有效
发明人：单福凯;刘国侠;刘奥 -专利权人：青岛大学
申请日： 2015-11-25 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种多元醇还原技术制备p型氧化物薄膜材料的方法，首先制备CuO和NiO前驱体溶液；清洗带有SiO2薄膜层的衬底采用常规的旋涂技术旋涂前驱体溶液，经过旋涂、烘焙、固化、退火得到CuO和NiO沟道层薄膜；利用常规的真空热蒸发法利用不锈钢掩膜版在CuO和NiO沟道层薄膜上制备金属源、漏电极；将硝酸铝形成的AlOx前驱体溶液旋涂硅衬底表面，固化、热退火处理得到AlOx高k介电薄膜；在AlOx高k介电薄膜表面利用旋涂技术制备NiO薄膜；利用真空热蒸发技术和不锈钢掩膜版在NiO沟道层薄膜上制备金属源、漏电极。
一种多元还原技术制备氧化物薄膜材料方法

[发明专利]一种钝化反型结构钙钛矿太阳能电池下界面的方法-CN201911184871.2有效
发明人：姜辛;邱建航;王立鹏;王高翔;邰凯平 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：在NiO表面采用热蒸发法蒸镀薄层LiF，并在快速退火炉中热处理，使Li离子扩散到NiO层中；以电子束蒸发法蒸镀薄膜MgF2，在快速退火炉中热处理，使得Mg离子扩散到薄膜中，实现对NiO薄膜的掺杂；上述薄膜旋涂卤化铅钙钛矿传输层后，即可实现对反型结构钙钛矿太阳能电池下界面的钝化；在钙钛矿薄膜上旋涂PCBM电子传输层、BCP钝化层，并蒸镀银电极后，制备下界面钝化的反型结构钙钛矿太阳能电池由于Li离子和Mg离子掺杂对NiO功函数及电导率的调控，载流子在NiO/钙钛矿界面传输效率得以提高，电池的能量转换效率得以改善。
一种钝化结构钙钛矿太阳能电池界面方法

[发明专利]一种循环稳定性好的超级电容器的制备方法-CN202110693295.5有效
发明人：田亮亮;张晓宇;杨文耀;李雪;曾冲 -专利权人：重庆文理学院
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01G11/84 文献下载
摘要：一种循环稳定性好的超级电容器的制备方法，是以NiO@CoMoO4/NF、活性碳板、6mol/L的KOH溶液，聚丙烯为原材料，分别经过NiO@CoMoO4/NF电极的制备，超级电容的组装来实现；其中所述NiO@CoMoO4/NF为超级电容的阳极、所述活性碳板为超级电容的阴极、KOH本发明超级电容电极中NiO@CoMoO4/NF电极经过韧性材料处理，使得NiO@CoMoO4/NF电极更加适应充放电过程的体积变化
一种循环稳定性超级电容器制备方法

[发明专利]一种高球形致密NiO-YSZ复合粉末及其制备方法-CN202210715223.0有效
发明人：邱金勇;徐晓强;董德华;黄道伟 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C04B35/48 文献下载
摘要：本发明公开一种高球形致密NiO‑YSZ复合粉末及其制备方法，包括：将NiO粉末和YSZ粉末复配混合后得混合粉末，向混合粉末中加入过程控制剂、研磨助剂和分散剂，经过研磨后，得到复合粉末料浆A；向复合粉末料浆A中加入所述研磨助剂和粘结剂，经过研磨后，得到复合粉末料浆B；将复合粉末料浆B进行喷雾干燥造粒，得到团聚球形复合粉末C；将团聚球形复合粉末C进行等离子体球化以及气流分级处理，得到高球形致密NiO‑YSZ本发明通过喷雾造粒的方式将NiO和YSZ复合粉末料浆团聚成微米级的球形复合粉末，再对复合粉末进行等离子体球化，最后通过气流分级处理，获得结构致密，表面光滑，级配良好，无微粉和卫星球的高球形度高、致密度纳米NiO‑YSZ复合粉末。
一种球形致密 nio ysz 复合粉末及其制备方法

[发明专利]一种纳米线异质结阵列基紫外光探测器及其制备方法-CN201010146780.2无效
发明人：付姚;罗昔贤;彭勇;于涛;冯威 -专利权人：大连海事大学
申请日： 2010-04-14 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米线异质结阵列基紫外光探测器及其制备方法，所述的探测器包括玻璃基底、导电薄膜，所述的玻璃基底是石英玻璃基底，所述的导电薄膜上有作为紫外光吸收层的NiO-TiO2纳米线异质结阵列和至少一个N型欧姆电极，所述的NiO-TiO2纳米线异质结阵列上有至少一个P型欧姆电极。所述的制备方法，包括在导电薄膜上制备NiO-TiO2纳米线异质结阵列并在NiO-TiO2纳米线异质结阵列上制备P型欧姆电极和在导电薄膜上制作N型欧姆电极。本发明的核心结构由TiO2纳米线阵列和NiO纳米线阵列通过线-线对接构成纳米线异质结阵列结构，具有外量子效率和灵敏度高、响应速度快、暗电流小、体积小巧等诸多优点。
一种纳米线异质结阵列紫外光探测器及其制备方法

[发明专利]一种用于氟化反应的催化剂及其制备方法-CN201310018555.4无效
发明人：金凌云 -专利权人：金华氟特催化科技有限公司
申请日： 2013-01-17 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： B01J23/86 文献下载
摘要：一种用于氟化反应的催化剂，由质量分数La2O3为8%、NiO为2%和Al2O3为90%的La2O3-NiO-Al2O3复合氧化物和Cr2O3组成，La2O3-NiO-Al2O3复合氧化物与Cr2O3的质量比为制备方法为先制备La2O3-NiO-Al2O3复合氧化物，再制备Cr(OH)3的，然后按La2O3-NiO-Al2O3复合氧化物与Cr2O3的质量比为0.01～0.1:1，称取、充分研磨、干燥后经焙烧制得
一种用于氟化反应催化剂及其制备方法

[实用新型]一种纳米线异质结阵列基紫外光探测器-CN201020159386.8无效
发明人：付姚;罗昔贤;彭勇;于涛;冯威 -专利权人：大连海事大学
申请日： 2010-04-14 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种纳米线异质结阵列基紫外光探测器，所述的探测器包括玻璃基底、导电薄膜，所述的玻璃基底是石英玻璃基底，所述的导电薄膜上有作为紫外光吸收层的NiO-TiO2纳米线异质结阵列和至少一个N型欧姆电极，所述的NiO-TiO2纳米线异质结阵列上有至少一个P型欧姆电极。本实用新型的制备方法，包括在导电薄膜上制备NiO-TiO2纳米线异质结阵列并在NiO-TiO2纳米线异质结阵列上制备P型欧姆电极和在导电薄膜上制作N型欧姆电极。本实用新型的核心结构由TiO2纳米线阵列和NiO纳米线阵列通过线-线对接构成纳米线异质结阵列结构，具有外量子效率和灵敏度高、响应速度快、暗电流小、体积小巧等诸多优点。
一种纳米线异质结阵列紫外光探测器

[发明专利]一种基于Al掺杂的NiO纳米棒花材料的乙醇气体传感器及制备方法-CN201510437410.7在审
发明人：孙鹏;王琛;卢革宇;郑杰;梁喜双;刘凤敏;高原;孙彦峰 -专利权人：吉林大学
申请日： 2015-07-23 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：一种基于Al掺杂的NiO纳米棒花材料的乙醇气体传感器及其制备方法，属于半导体氧化物气体传感器技术领域。Al掺杂的NiO纳米棒花敏感材料采用一步水热法制得。通过Al离子的引入，改变了NiO材料的形貌、晶粒尺寸、载流子浓度及氧组分分布进而有效地提高了传感器对于乙醇的敏感特性。同时，本发明所采用的Al掺杂的NiO纳米棒花合成方法简单，成本低廉；制作的旁热式传感器工艺简单，体积小，利于工业上批量生产，因此在驾驶员酒精检测，工业安全控制等方面有广阔的应用前景。
一种基于 al 掺杂 nio 纳米材料乙醇气体传感器制备方法

[发明专利]一种基于n-VO₂/p-NiO的异质结构及制备方法-CN201810135188.9在审
发明人：张东;赵琰;李昱材;王健;宋世巍;王刚;丁艳波;王晗;刘莉莹 -专利权人：沈阳工程学院
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： H01L29/267 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于n‑VO2/p‑NiO的异质结构及制备方法，从上层到下层依次包括TiN薄膜、第一AZO透明导电薄膜、VO2薄膜、p‑NiO薄膜、第二AZO透明导电薄膜以及柔性不锈钢衬底。其中：p‑NiO薄膜为缓冲层，TiN薄膜为保护层，第一AZO透明导电薄膜和第二AZO透明导电薄膜均作为导电电极和减缓层。本发明n‑VO2/P‑NiO异质结构结合柔性不锈钢材料及其制备技术，可以制备出柔性高功率的器件，该器件在大功率光电开关，大功率廉价的光存储器件等方面有着广阔的应用，解决了器件功率低、寿命长的问题。
透明导电薄膜薄膜制备异质结构柔性不锈钢光存储器件导电电极光电开关器件功率保护层高功率缓冲层衬底下层上层应用