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[发明专利]无电流迟滞的钙钛矿太阳电池及其制备方法-CN201910070032.1有效
发明人：吴璠 -专利权人：湖州师范学院
申请日： 2019-01-24 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H10K30/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种无电流迟滞的钙钛矿太阳电池及其制备方法，将无机NiOx薄膜和有机PEDOT:PSS薄膜叠加构筑成无机/有机双层薄膜作为钙钛矿太阳电池的空穴传输层本发明中通过构筑NiOx/PEDOT：PSS双层空穴传输层，可以抑制钙钛矿薄膜中碘空位离子在空穴传输层一侧的积累，改善了空穴的收集性能，降低的电池的迟滞。采用单一有机PEDOT:PSS空穴传输层或者单一无机NiOx空穴传输层，其电池迟滞因子分别为0.141和0.177。而使用NiOx/PEDOT:PSS构筑的无机/有机双层空穴传输层后，电池的迟滞因子为0.002，迟滞基本消除。本发明中NiOx/PEDOT:PSS双层空穴传输层制备方法简便，对设备要求低，适合大规模应用，在光伏材料和低价太阳电池器件等领域具有很大的应。
电流迟滞钙钛矿太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体NiO/SmBiO3复合缓冲层薄膜的方法-CN201110343728.0无效
发明人：张欣;赵勇;程翠华;张勇;雷鸣;王文涛 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2011-11-02 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体NiO/SmBiO3复合缓冲层薄膜的方法，其复合缓冲层制备步骤包含。a、NiW合金(200)基片的表面腐蚀修饰，b、NiO缓冲层的氧化热处理、c、SmBiO3缓冲层胶体的制备，d、SmBiO3缓冲层的涂敷，e、SmBiO3缓冲层的烧结成相。本发明中NiO缓冲层的制备采用自氧化外延制备的方法，该方法的制作成本低，工艺简单，易制得品质良好的NiO(200)缓冲层薄膜，并且厚度容易控制，能有效地发挥涂层导体缓冲层的作用。在NiO缓冲层上生长SmBiO3缓冲层的制备采用以硝酸盐作为前驱物的化学溶液沉积法在空气中进行制备，成本低廉，适合大规模沉积。
一种双轴织构 niw 合金基片上制备高温超导涂层导体 nio smbio3 复合

[发明专利]一种p-NiO/n-Mg_xZn_1-xO禁带宽度梯度化p-n结二极管及其制备方法-CN200810199119.0无效
发明人：包定华;陈心满 -专利权人：中山大学
申请日： 2008-10-14 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种p-NiO/n-Mg_xZn_1-xO禁带宽度梯度化p-n结二极管，由p-NiO薄膜和禁带宽度梯度化Mg_xZn_{1-本发明还公开了所述p-n结二极管的制备方法，包括如下步骤：制备NiO前驱液；制备ZnO及Mg_xZn_1-xO前驱液；制备Mg_xZn_1-xO梯度薄膜；在上述Mg_xZn_1-xO梯度薄膜上制备NiO薄膜；上述薄膜干燥后在500～600℃下退火，然后冷却到室温，制得禁带宽度梯度化p-NiO}
一种 nio mg sub zn 宽度梯度二极管及其制备方法

[发明专利]改性NiO‑ZSM‑5/γ‑Al2O3结构的吸音材料-CN201710297351.7在审
发明人：刘志伟 -专利权人：长乐净能新材料科技有限公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： C01B39/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种改性NiO‑ZSM‑5/γ‑Al2O3结构的吸音材料，通过γ‑Al2O3、硝酸镍、氢氧化钠、硅溶胶、异丙醇铝、三乙胺制备改性NiO‑ZSM‑5/γ‑Al2O3结构材料，其吸音性能优良。
改性 nio zsm al2o3 结构吸音材料

[发明专利]一种NiO:Ag/ZnO异质pn结二极管-CN201510001134.X在审
发明人：李彤 -专利权人：天津职业技术师范大学
申请日： 2015-01-04 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种NiO:Ag/ZnO异质pn结二极管，至少包括pn结和欧姆接触电极，所述pn结在Si衬底上生长p型NiO:Ag薄膜以及n型ZnO薄膜得到异质pn结。本发明利用磁控溅射工艺在Si衬底上制备NiO:Ag/ZnO异质pn结二极管，最后采用磁控溅射或热蒸发法在pn结上制作电极。
一种 nio ag zno 异质 pn 二极管

[发明专利]一种NiO:Cu/ZnO异质pn结二极管-CN201310507639.4在审
发明人：李彤 -专利权人：天津职业技术师范大学
申请日： 2013-10-23 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种NiO：Cu／ZnO异质pn结二极管，至少包括pn结和欧姆接触电极，所述pn结在Si衬底上生长p型NiO：Cu薄膜以及n型ZnO薄膜得到异质pn结。本发明利用磁控溅射工艺在Si衬底上制备NiO：Cu／ZnO异质pn结二极管，最后采用磁控溅射或热蒸发法在pn结上制作电极。
一种 nio cu zno 异质 pn 二极管

[发明专利]一种Si/NiO:Ag异质pn结二极管-CN201410257437.3在审
发明人：李彤;王达夫;邓学松 -专利权人：天津职业技术师范大学
申请日： 2014-06-11 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种Si/NiO:Ag异质pn结二极管，至少包括pn结和欧姆接触电极，所述pn结由n型Si衬底上生长p型NiO:Ag薄膜而得到的异质pn结。本发明利用磁控溅射工艺在n型Si衬底上制备p型NiO:Ag薄膜最后采用磁控溅射或热蒸发法在pn结上制作电极。
一种 si nio ag 异质 pn 二极管

[发明专利]一种NiO:Al/ZnO异质pn结二极管-CN201510176097.6在审
发明人：李彤;陈佳楣;王达夫 -专利权人：天津职业技术师范大学
申请日： 2015-04-15 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种NiO:Al/ZnO异质pn结二极管，至少包括pn结和欧姆接触电极，所述pn结在Si衬底上生长p型NiO:Al薄膜以及n型ZnO薄膜得到异质pn结。本发明利用磁控溅射工艺在Si衬底上制备NiO:Al/ZnO异质pn结二极管，最后采用磁控溅射或热蒸发法在pn结上制作电极。
一种 nio al zno 异质 pn 二极管

[发明专利]一种Si/NiO:Al异质pn结二极管-CN201410462308.8在审
发明人：李彤;邓学松;王达夫 -专利权人：天津职业技术师范大学
申请日： 2014-09-12 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种Si/NiO:Al异质pn结二极管，至少包括pn结和欧姆接触电极，所述pn结由n型Si衬底上生长p型NiO:Al薄膜而得到的异质pn结。本发明利用磁控溅射工艺在n型Si衬底上制备p型NiO:Al薄膜最后采用磁控溅射或热蒸发法在pn结上制作电极。
一种 si nio al 异质 pn 二极管

[发明专利]一种具有陶瓷防护层的锰铋永磁体的制备方法-CN201810704772.1在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：苏州诺弘添恒材料科技有限公司
申请日： 2018-06-30 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01F1/059 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有陶瓷防护层的锰铋永磁体的制备方法，该方法制得的永磁材料具有优异、稳定的永磁性能，并且可以通过简单易行的制备方法获得；本发明能够保证磁体基体与Al₂O₃‑NiO复合陶瓷涂层之间的连接牢固，Al₂O₃‑NiO复合陶瓷涂层不易出现气泡和掉落，同时采用等离子喷涂技术制备Al₂O₃‑NiO复合陶瓷涂层从而可以实现磁体表面高质量防护。
制备复合陶瓷涂层陶瓷防护层永磁体锰铋等离子喷涂技术磁体表面连接牢固永磁材料永磁性掉落防护保证

[发明专利]一种具有防护层的软磁材料的制备方法-CN201810704771.7在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：苏州诺弘添恒材料科技有限公司
申请日： 2018-06-30 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H01F1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有防护层的软磁材料的制备方法，包括了混合、喷雾干燥、预烧、粉碎、喷雾造粒、压制和烧结等工艺，通过合理的配方改进，并对锰锌铁氧体以Cu、Ni掺杂；本发明能够保证磁体基体与Al₂O₃‑NiO复合陶瓷涂层之间的连接牢固，Al₂O₃‑NiO复合陶瓷涂层不易出现气泡和掉落，同时采用等离子喷涂技术制备Al₂O₃‑NiO复合陶瓷涂层从而可以实现磁体表面高质量防护。
复合陶瓷涂层制备软磁材料防护层等离子喷涂技术锰锌铁氧体磁体表面连接牢固配方改进喷雾干燥喷雾造粒烧结掉落预烧压制掺杂防护保证

[发明专利]一种NiO:Cu/TiOx异质pn结二极管-CN201510635334.0在审
发明人：李彤;王铁钢;倪晓昌 -专利权人：天津职业技术师范大学
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种NiO:Cu/TiOx异质pn结二极管，至少包括pn结和欧姆接触电极，所述pn结在Si衬底上生长p型NiO:Cu薄膜以及n型TiOx薄膜得到异质pn结。本发明利用磁控溅射工艺在Si衬底上制备NiO:Cu/TiOx异质pn结二极管，最后采用磁控溅射或热蒸发法在pn结上制作电极。
一种 nio cu tiox 异质 pn 二极管

[发明专利]一种NiO:Na/TiOx异质pn结二极管-CN201510633292.7在审
发明人：李彤;王铁钢;陈佳楣 -专利权人：天津职业技术师范大学
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种NiO:Na/TiOx异质pn结二极管，至少包括pn结和欧姆接触电极，所述pn结在Si衬底上生长p型NiO:Na薄膜以及n型TiOx薄膜得到异质pn结。本发明利用磁控溅射工艺在Si衬底上制备NiO:Na/TiOx异质pn结二极管，最后采用磁控溅射或热蒸发法在pn结上制作电极。
一种 nio na tiox 异质 pn 二极管

[发明专利]塑料基材ND滤镜及眼镜用塑料基材ND滤镜-CN202080042001.6在审
发明人：铃木亮佑 -专利权人：东海光学株式会社
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： G02B5/22 文献下载
摘要：光吸收膜包含1层以上的由NiOx(x为0以上1以下)构成的NiOx层，并且包含夹层结构部，该夹层结构部配置在至少任一层的上述NiOx层的上述基材的相反侧，是反应力层被氧化硅化合物层夹持而成的。
塑料基材 nd 滤镜眼镜

[发明专利]一种NiO复合MoO3-CN202210621376.9在审
发明人：李浩华;吴健 -专利权人：江苏大学
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明涉及氢敏传感材料的制备及应用领域，尤其涉及一种NiO复合MoO3纳米片及制备方法和应用。本发明采用钼酸铵乙酸镍分别作为钼源和镍源。通过简单的一步水热反应，得到MoO3/NiO纳米片。其作为气敏材料，5mol％NiO的复合可以实现对气敏性能的最佳改性效果，其具有最大的响应值、相对较短的响应/恢复时间、良好的选择性与相对较好的稳定性。
一种 nio 复合 moo base sub