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[发明专利]一种小间距密排垂直腔面发射激光器及其制备方法-CN201910394087.8有效
发明人：王俊;刘恒;谭少阳;荣宇峰 -专利权人：苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供一种小间距密排垂直腔面发射激光器及其制备方法，其中，激光器包括：衬底、外延层、制备在外延层上的Mesa台面、上电极以及下电极；Mesa台面为多个，多个Mesa台面排布于外延层的一侧表面上，任一Mesa台面形成外延层的发光点，任一Mesa台面上设置有上电极，衬底一侧表面上设置有下电极，相邻Mesa台面之间的中心间距为8～20μm，相邻Mesa台面之间的边缘间距为0.5～5μm。
一种间距垂直发射激光器及其制备方法

[发明专利]高耐压SGT器件-CN202210416084.1在审
发明人：杨飞;吴凯;张广银;徐真逸;任雨 -专利权人：南京芯长征科技有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：其第二元胞单元内元胞沟槽的两端部分别与终端内环内正对应的终端环槽连接，且第二元胞单元内元胞沟槽的端部与终端环槽的连接处形成元胞终端槽间结合部；对相互邻近的第一元胞单元与第二元胞单元，第一元胞单元内元胞沟槽与第二元胞单元内元胞沟槽间的区域宽度为mesa第一宽度；第一元胞单元内元胞沟槽的端部与正对应终端内环间的区域宽度为mesa第二宽度，且第一元胞单元内元胞沟槽端部端角与对应元胞终端槽间结合部和/或终端环槽过渡部的区域宽度均为mesa第三宽度，mesa第三宽度以及mesa第二宽度均与mesa第一宽度相一致。
耐压 sgt 器件

[发明专利]一种Linux平台图形渲染方式的检测方法-CN202210316807.0有效
发明人：温研 -专利权人：北京麟卓信息科技有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G06T15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种Linux平台图形渲染方式的检测方法，通过获取Linux平台当前已安装Mesa的版本及配置信息，获取相同版本的Mesa作为对比版本，安装对比版本并以设置启动软渲染引擎的方式运行该对比版本，采用测试工具对已安装Mesa和对比版本Mesa的运行进行测试，并监测测试时的GPU和CPU性能，通过对GPU和CPU性能的对比分析确定Linux平台的图形渲染方式，能够避免现有绕过检测手段对检测结果准确性的干扰
一种 linux 平台图形渲染方式检测方法

[发明专利]适用于高基频MESA晶片测试的装置及测试方法-CN201410481612.7有效
发明人：李坡 -专利权人：南京中电熊猫晶体科技有限公司
申请日： 2014-09-19 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： G01R23/02 文献下载
摘要：本发明是一种适用于高基频MESA晶片的测试装置及测试方法，其结构包括A、B二个金属电极（测试电极），其中B金属电极2接触并支撑水晶片的待测试MESA区域，而A金属电极1与水晶片的MESA区域之间存有一个本发明的优点：“悬浮”感应的方式来测试高基频MESA水晶片的频率，以避免传统的“接触式”测试的方法带来的水晶片破损问题，测试过程，可以最大程度的避免在测试过程中所造成的水晶片物理损坏。用CNA300型网络分析仪监控水晶片的振动频率，以测得水晶片的真实频率；可广泛应用于高基频MESA晶片的测试过程。
适用于基频 mesa 晶片测试装置方法

[发明专利]新型LED芯片的制作方法-CN201410517850.9有效
发明人：吴伟东;高俊民;成涛;王占伟;于海莲 -专利权人：山东成林光电技术有限责任公司;山东聚芯光电科技有限公司
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型LED芯片的制作方法，包括MESA光刻和NP光刻，MESA光刻为对外延片表面蒸镀ITO层后涂光刻胶再进行MESA光刻形成具有MESA图层的光刻胶层，然后对ITO层进行ITO蚀刻以及对外延片表面进行向下蚀刻；最后去除具有MESA图层的光刻胶层；NP光刻具体为在ITO层和N‑GaN层台阶上蒸镀SiO2层后涂布光刻胶，再对光刻胶层进行NP光刻形成具有NP图层的光刻胶层；然后对所述SiO2层进行蚀刻；再然后在SiO2
新型 led 芯片制作方法

[发明专利]一种无漏电MESA切割道3D通孔超结构LED芯片及其制备方法-CN201810168581.8有效
发明人：李国强;张云鹏 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种无漏电MESA切割道3D通孔超结构LED芯片及其制备方法，包括在外延衬底上制备n型掺杂GaN层，InGaN/GaN多量子阱层，p型掺杂GaN层，再在LED外延片表面制备纳米Ag基反射镜，反射镜保护层、MESA开孔、绝缘层；再填充孔内的N金属电极及键合层金属；然后将LED外延层转移至Si衬底上；接着采用干湿法相结合的方法制备MESA切割道；再制备钝化层PA、P电极图案、P电极金属，形成LED本发明通过优化干、湿法刻蚀MESA切割道的厚度比值，获得切割道边缘整齐，无腐蚀液内渗，无白边，无金属侧壁攀爬及反溅且工艺稳定易控制的GaN MESA切割道，也解决了LED芯片漏电问题。
切割道制备漏电超结构反射镜衬底通孔绝缘层表面制备工艺稳定金属侧壁漏电问题湿法刻蚀保护层钝化层干湿法键合层无腐蚀再填充白边开孔攀爬金属图案整齐优化

[发明专利]一种超小型石英晶片的腐蚀刻蚀方法-CN201911270562.7在审
发明人：姜凡;高志祥 -专利权人：南京中电熊猫晶体科技有限公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明提出的是一种超小型石英晶片的腐蚀刻蚀方法，包括如下步骤：1）大片石英晶片加工；2）Mesa区域镀膜；3）Mesa区域腐蚀刻蚀；4）尺寸镀膜；5）尺寸腐蚀刻蚀；6）超小型石英晶片去金。本发明在大片石英晶片上进行加工来间接得到单片石英晶片，用Mesa镀膜和Mesa腐蚀刻蚀的精密加工技术减小中低频石英晶片的边缘效应，通过尺寸镀膜及尺寸腐蚀刻蚀间接完成超小尺寸水晶片的外形加工，从而避免引进光刻技术的巨大投资问题
一种超小型石英晶片腐蚀刻蚀方法

[发明专利]一种BH激光器MESA台面的制备方法-CN202011591704.2有效
发明人：张鹏;张永;单智发;陈阳华 -专利权人：全磊光电股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种BH激光器MESA台面的制备方法，其包括如下步骤：1）SIO2掩盖层生长，利用PEALD生长SIO2掩蔽膜；2）MESA光刻；3）SIO2掩盖层蚀刻；4）MESA腐蚀；5）二次外延。该BH激光器MESA台面的制备方法采用PEALD（等离子增强型原子层沉积）生长的SIO2膜层，为原子层面的沉积，相对PECVD生长，膜层更致密，无针孔，其膜层与基片表面粘附性极强，50~100nm膜厚就能满足二次外延的需求
一种 bh 激光器 mesa 台面制备方法

[发明专利]LED芯片封装结构及其封装方法-CN201510882777.X在审
发明人：李庆 -专利权人：聚灿光电科技股份有限公司
申请日： 2015-12-03 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED芯片封装结构及其封装方法，所述LED芯片包括衬底、N型半导体层、发光层、P型半导体层及N电极和P电极，所述LED芯片上预设有用于进行MESA光刻的MESA线，所述P型半导体层、发光层及部分N型半导体层沿MESA线刻蚀形成有N台阶，所述N台阶上设有支撑平台，所述N电极包裹所述支撑平台并与N型半导体层电性连接，所述N电极的上边缘与MESA线之间的距离大于N电极的下边缘与MESA线之间的距离，
led 芯片封装结构及其方法

[实用新型]LED芯片封装结构-CN201520997938.5有效
发明人：李庆 -专利权人：聚灿光电科技股份有限公司
申请日： 2015-12-03 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED芯片封装结构，所述LED芯片包括衬底、N型半导体层、发光层、P型半导体层及N电极和P电极，所述LED芯片上预设有用于进行MESA光刻的MESA线，所述P型半导体层、发光层及部分N型半导体层沿MESA线刻蚀形成有N台阶，所述N台阶上设有支撑平台，所述N电极包裹所述支撑平台并与N型半导体层电性连接，所述N电极的上边缘与MESA线之间的距离大于N电极的下边缘与MESA线之间的距离，
led 芯片封装结构

[发明专利]一种发光二极管结构-CN201811204240.8在审
发明人：吕振兴;潘尧波;齐胜利;唐军;刘亚柱;张德 -专利权人：合肥彩虹蓝光科技有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管结构，包括，衬底及依序形成于衬底上的N型半导体层、量子阱层、P型半导体层及透明导电层；一Mesa凹槽；一第一电极Pad和一第二电极Pad，所述第一电极与透明导电层电连接，第二电极通过Mesa凹槽与N型半导体层接合实现电连接，发光二极管结构表面除第一电极和第二电极之外的表面均覆盖有绝缘层，其中，Mesa凹槽的尺寸小于Pad的尺寸。本发明的发光二极管结构，采用小Mesa和大Pad设计，不仅使得同尺寸发光二极管结构具有更高的亮度和更低的能耗，而且具有良好的电稳定性和热稳定；本发明的发光二极管结构可在现有的LED生产线完成流水，无需额外投入，可应用于高质量的小Mesa和大Pad的Mini LED产品的研制。
一种发光二极管结构

[发明专利]一种LED倒装芯片的制造方法-CN202211711601.4在审
发明人：齐佳鹏;李慧敏;张帆;钟伟华;林武;李景浩;李家昌 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：该制造方法，先在衬底上依次生长出N‑GaN层、多量子阱层和P‑GaN层，再依次制备、电流阻挡层和ITO层，同步光刻Mesa台阶面和切割道，再依次制备得到Mesa台阶面、切割道、电流扩展层、DBR反射层和金属电极焊盘层该制造方法将Mesa台阶面与切割道同步光刻作业，以减少曝光偏移，最大限度保留GaN层的面积及其上ITO的面积。
一种 led 倒装芯片制造方法

[发明专利]一种反极性AlGaInP基LED侧壁粗化方法-CN201310108349.2有效
发明人：左致远;陈康;夏伟 -专利权人：山东华光光电子有限公司
申请日： 2013-03-31 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种反极性AlGaInP基LED侧壁粗化方法，包括步骤如下：（1）利用现有的光刻工艺对反极性AlGaInP基LED的mesa图形外延片进行曝光与显影，在所述mesa图形外延片四周形成定周期性边缘图形；（2）利用所述含饱和Br₂去离子水对步骤（1）显影完成的所述mesa图形外延片进行腐蚀；（3）对步骤（2）腐蚀后的mesa图形外延片按照常规工艺进行清洗、去胶处理，形成与所述周期性边缘图形形状对应的粗化侧壁
一种极性 algainp led 侧壁方法

[发明专利]一种DBR倒装芯片的制造方法-CN202211711557.7在审
发明人：齐佳鹏;李慧敏;张帆;钟伟华;林武;李景浩;李家昌 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：该制造方法，先在衬底上依次生长出氮化镓基的N型半导体层、多量子阱层，以及P型半导体层，再依次制备、电流阻挡层和ITO层、Mesa台阶面，同步光刻并刻蚀Mesa切割道和ISO切割道，再依次制备得到电流扩展层该制造方法将Mesa切割道和ISO切割道一同光刻，以减少曝光偏移，最大限度保留GaN层的面积及其上ITO(透明导电层)的面积。
一种 dbr 倒装芯片制造方法

[发明专利]出光率高的LED芯片及其制作方法-CN201410826493.4在审
发明人：吴飞翔;陈立人;李庆;蔡睿彦 -专利权人：聚灿光电科技股份有限公司
申请日： 2014-12-25 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种出光率高的LED芯片及其制作方法，其中制作方法包括如下步骤：S1.提供衬底，在衬底上依次制作N型半导体层、发光层以及P型半导体层；S2.在P型半导体层上制作导电层；S3.在导电层上刻蚀mesa图形，并在形成的mesa图形区域中的边缘位置刻蚀沟槽；S4.以刻蚀形成的mesa图形为掩膜对导电层和P型半导体层进行刻蚀，并刻蚀至N型半导体层；S5.在导电层上和暴露出的N型半导体层上沉积保护层；S6.本发明的LED芯片的制作方法通过优化mesa图形区域的结构，减少了LED芯片照明时产生的侧向光，使得LED芯片发出的光集中从正向发出，提高了LED的发光效率和亮度。
出光率高 led 芯片及其制作方法

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