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[发明专利]一种LED外延层生长方法-CN201510737719.8在审
发明人：徐平;苗振林;卢国军 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请公开LED外延层生长方法，生长低温缓冲层GaN为：在衬底上生长低温缓冲层GaN-1，温度500℃-600℃，压力400mbar-500mbar，通入NH₃、TMGa、H₂；在缓冲层GaN-1上生长缓冲层GaN-2，温度为510℃-650℃，压力为320mbar-500mbar，通入NH₃、TMGa、H₂；在缓冲层GaN-2上生长缓冲层GaN-3，温度520℃-700℃，压力256mbar-500mbar，通入NH₃、TMGa、H₂，低温缓冲层GaN-1、GaN-2、GaN
一种 led 外延生长方法

[发明专利]具有高化学稳定性的包装的双脱水己糖醇类-CN201280038380.7无效
发明人： M·伊贝尔;H·维亚尔 -专利权人：罗盖特公司
申请日： 2012-08-03 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： A61K47/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种包装在不透气包装材料中的双脱水己糖醇，其特征在于包装内的氧气O₂的分压是0.1至10mbar，优选0.5至5mbar，并且更优选0.5至2mbar。本发明进一步涉及一种用于包装双脱水己糖醇的方法，该方法包括将所述双脱水己糖醇插入不透气包装材料中，并且然后将所述包装密封，所述方法的特征在于该方法是在一种具有0.1至10mbar、优选0.5至5mbar、并且更优选0.5至2mbar的氧分压的气氛中进行的。
具有化学稳定性包装脱水己糖醇类

[发明专利]一种LED外延层生长方法-CN201510737065.9在审
发明人：徐平;苗振林;卢国军 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请公开LED外延层生长方法，生长低温缓冲层GaN为：在衬底上生长低温缓冲层GaN-1，温度500℃-600℃，压力300mbar-600mbar，通入NH₃、TMGa、H₂；在GaN-1上生长缓冲层GaN-2，温度为400℃-480℃，压力270mbar-540mbar，通入NH₃、TMGa、H₂；在GaN-2上生长缓冲层GaN-3，温度320℃-384℃，压力243mbar-486mbar，通入流量为10000sccm-20000sccm的NH₃、50sccm-100sccm的TMGa、100L/
一种 led 外延生长方法

[发明专利]低压铸造的成型工艺-CN202310448439.X在审
发明人：王敏智;叶锦华 -专利权人：苏州安路特汽车部件有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： B22D18/04 文献下载
摘要：该成型工艺包括充型，充型的过程包括五个阶段：分别为100mbar、130mbar、200‑300mbar、200‑300mbar、500mbar。
低压铸造成型工艺

[发明专利]一种新型的羊毛与化纤混纺纱的蒸纱方法-CN201410266831.3无效
发明人：周建恒;陆卫国 -专利权人：浙江新澳纺织股份有限公司
申请日： 2014-06-16 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： D04B35/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的羊毛与化纤混纺纱的蒸纱方法，包括下述步骤：1)将蒸纱罐里的真空度抽到200mbar，向蒸纱罐里充入107℃的过热饱和蒸汽，使蒸纱罐里的温度达到85℃，此时蒸纱罐里的真空度达到了700mbar，再保温10min，蒸纱罐达到720mbar的真空度；2)再次将真空罐抽到300mbar的真空度，再次补充107℃的过饱和蒸汽，当温度达到85℃时，此时真空罐里的真空度在560mbar左右，再保温30min，最后达到蒸纱罐达到570mbar左右的真空度；3)纱线在结束蒸纱前，增加一个短暂的抽真空过程，保温5min。
一种新型羊毛化纤混纺纱方法

[发明专利]GaAs基InSb薄膜的分子束外延生长方法-CN200610010308.X无效
发明人：李美成;熊敏;王洪磊 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2006-07-21 - 公布日： 2007-01-03 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：为了减小GaAs与InSb较大的晶格失配，本发明先采用衬底温度600℃，Ga束流为6×10^－7mbar，As束流为1.2×10^－5mbar，在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；衬底温度320℃，In束流为6×10^－8mbar，Sb束流为2.4×10^－7mbar，生长低温InSb缓冲层；衬底温度410℃，In束流为4.5×10^－7mbar，Sb束流为2.7×10^－6mbar，生长InSb外延层。
gaas insb 薄膜分子外延生长方法

[发明专利]LED制造方法及LED、显示屏和电子设备-CN201711090555.X有效
发明人：谢荣华;曲爽;刘康仲 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本申请提供了一种LED制造方法及LED、显示屏和电子设备，其中，LED制造方法包括：在350～500度下生长GaN层，气压五到七百mBar，V/III为两千到五千，生长速率为3～15nm/分，在450～500度下生长N型GaN层，气压两百到四百mBar，V/III为六千到一万，生长速率0.5～8um/h；在四百到五百度下生长多量子阱层，气压200～400mBar，V/III为一万二到三万，生长速率0.5～3um/h；在四百到五百度条件下生长AlGaN层，气压为50～300mBar，V/III为两千到五千，生长速率0.5～2um/h；在四百到五百度下生长P型GaN层，气压两百到四百mBar，V/III为六千到一万
led 制造方法显示屏电子设备

[发明专利]新能源汽车电机壳低压铸造工艺-CN202011602769.2有效
发明人：沈鑫;曾德友;张敏 -专利权人：江苏文灿压铸有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： B22D18/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种新能源汽车电机壳低压铸造工艺，步骤如下：清洁模具，放置砂芯，合模；对保温炉铝液加压120mbar/10s，使铝液升至浇口1底部；对保温炉铝液继续加压120mbar/16s，增压至240mbar，使铝液缓慢充满模具型腔3；铝液充满模具型腔后以360mbar/10s对铝液继续增压，增压至600mbar并持续保压319±20s；保压后卸去铝液压力，铸件留模冷却290±20s，使其表面的温度降至300
新能源汽车机壳低压铸造工艺

[发明专利]一种高纯碳化硅粉料制备的方法-CN201510972096.2在审
发明人：马康夫;李斌;王英民;魏汝省;毛开礼;徐伟;王利忠;戴鑫;侯晓蕊;付芬;周立平;何超;田牧 -专利权人：中国电子科技集团公司第二研究所
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： C01B31/36 文献下载
摘要：将混合好的原料置于高纯石墨坩埚中，将石墨坩埚置于中频感应加热炉中；在未开始加热时往炉腔中注入高纯H2至800mbar，然后保持压力800mbar，并保持H2持续充入1小时；将设备抽真空，使得真空度达到5×10-6mbar，随后缓慢升温至略低于1000℃，停留一定时间，使得真空度再次达到5×10-6mbar。紧接着缓慢升温至1000℃-1200℃，进行合成反应，合成时间持续10h；在1200℃下，将高纯H2注入炉腔，保持压力在800mbar，保持1h，将高纯Ar与H2以流量比10:1注入炉腔，保持压力在800mbar
一种高纯碳化硅制备方法

[发明专利]用于制造发光的像素阵列的方法-CN201880072379.3在审
发明人： D.凯佩尔 -专利权人：艾克斯特朗欧洲公司
申请日： 2018-10-01 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：按照本发明规定，所述层(ETL、HTL、HBL、EBL、EML‑R、EML‑G、EML‑B)分别在具有至少0.001mbar的总压力的气体气氛中制造，其中，所述总压力应该至少大于0.01mbar。所述溶剂可以在总压力＜10mbar、尤其＜0.01mbar时在处理室中蒸发。
用于制造发光像素阵列方法

[发明专利]一种兽用白油的制备方法、兽用白油以及兽用疫苗-CN202211552162.7在审
发明人：吉祥 -专利权人：中海油气（泰州）石化有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C10G67/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种兽用白油的制备方法，包括以下步骤：原油经常压装置和/或减压装置后得提取物A；提取物A经第一组反应装置后得提取物B；提取物B经至少一组X反应装置提取后得兽用白油，所述X反应装置的压速比为1.8mbar.s/t‑5.4mbar.s/t，压程比为2.94×10^(‑5)mbar/℃‑10.17×10^(‑5)mbar/℃。
一种兽用白油制备方法以及疫苗

[发明专利]一种制备芳香族N-缩水甘油胺的工艺-CN201780009535.7在审
发明人：阿沙克·库马尔·辛格;普拉萧特·萨曼特;阿利夫·拉拉尼;穆凯许·卡塔利瓦尔;维许努·摩尔 -专利权人：格拉西姆工业股份有限公司
申请日： 2017-02-03 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： C07D301/27 文献下载
摘要：一种制备芳香族N‑缩水甘油胺的工艺包括以下步骤：在溶解于惰性有机溶剂中的催化剂存在下在介于200mbar到600mbar范围内的压力下，对具有至少一个芳香族氨基氢原子的胺与所述胺的每氨基氢当量为至少0.7当量的环氧氯丙烷的混合物进行加热；以及在介于200mbar到600mbar范围内的压力下向所述混合物中添加碱，以有利于对前一步骤的产物进行脱氯化氢处理从而获得所述芳香族N‑缩水甘油胺。
缩水甘油胺芳香族混合物制备惰性有机溶剂芳香族氨基环氧氯丙烷脱氯化氢氨基氢氢原子催化剂加热溶解

[发明专利]一种超纯铁素体不锈钢脱碳、脱氮的冶炼方法-CN200710062036.2有效
发明人：孙铭山;赵大同;邹勇;范光伟;张卫红;张霞;候东涛 -专利权人：山西太钢不锈钢股份有限公司
申请日： 2007-05-30 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： C21C7/04 文献下载
摘要：一种超纯铁素体不锈钢脱碳、脱氮的冶炼方法，其步骤如下：(1)将钢包放入真空罐内抽真空，气压保持在260－350mbar，打开底吹氩气；(2)真空罐内气压降至200－250mbar时吹氧脱碳；(3)当钢液中碳的含量降至0.03％－0.05％停止吹氧，真空度不大于1mbar时，沸腾时间≥20分钟；钢包底部气体搅拌强度≥13L/(min.t)；(4)加入硅铁，将吹氧阶段氧化的铬及其它金属元素还原，搅拌强度大于10L/(min.t)，真空度≤5mbar；(5)加入铝深脱氧，搅拌强度大于10L/(min.t)，真空度≤5mbar，脱氧时间5～10分钟；(6)合金微调；7)关闭底吹搅拌气体；(8)破坏真空。
一种超纯铁素体不锈钢脱碳冶炼方法

[外观设计]智能回音壁音响（Mbar）-CN202030474409.3有效
发明人：古曦 -专利权人：成都星环科技有限公司
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： 14-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：智能回音壁音响（Mbar）。2.本外观设计产品的用途：用于音频播放。
智能回音壁音响 mbar

[发明专利]电子阻挡层的生长方法及含此电子阻挡层的紫外LED外延片-CN202310876822.5在审
发明人：贾晓龙;张童;李晋闽 -专利权人：山西中科潞安半导体技术研究院有限公司
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明属于半导体外延片制备技术领域，涉及一种电子阻挡层的生长方法及含此电子阻挡层的外延片，所述电子阻挡层(6)的生长方法包括以下步骤：1)、在反应室温度为1000℃‑1200℃、反应室压力为30mbar‑200mbar的条件下生长Al组分渐变的电子阻挡层(6.1)；2)、在反应室温度为900℃‑1150℃，反应室压力为50mbar‑150mbar的条件下在所述Al组分渐变的电子阻挡层(6.1)上生长多量子垒电子阻挡层
电子阻挡生长方法紫外 led 外延

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