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[发明专利]一种降低碳化硅外延基平面位错的方法-CN202310012618.9在审
发明人：殷祥凯;侯晓蕊;李天;魏汝省;李斌;王光耀;杨牧轩;潘琳茹;田蕾;张峰;张馨丹;靳霄曦 -专利权人：山西烁科晶体有限公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低碳化硅外延基平面位错的方法，属于碳化硅晶体材料技术领域；方法为：将碳化硅晶体衬底进行研磨、机械抛光工艺；之后将衬底表面覆盖一层碳膜之后进行退火处理或将衬底在氩气气氛中进行退火处理，释放厚度去除时所残留的加工应力；所述退火处理的保温时间为3‑4小时；退火后，覆盖碳膜的衬底将碳膜去除之后进行化学机械抛光；在氩气气氛中退火处理的衬底直接进行化学机械抛光；化学机械抛光之后进行外延；退火后的衬底经过外延基平面位错转化率达到100%，解决了外延后晶圆中心的基平面位错密度较高，外延过程中心基平面位错转化率低的问题。
一种降低碳化硅外延平面方法

[发明专利]一种晶圆盒形变量的检测装置及方法-CN202211107280.7有效
发明人：王光耀;李斌;魏汝省;侯晓蕊;张继光;刘英斌;张峰;张馨丹;靳霄曦 -专利权人：山西烁科晶体有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G01B11/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆盒形变量的检测装置及方法，属于半导体晶圆检测技术领域；解决现有技术中对晶圆盒形变检测准确性差、效率低的问题；解决该技术问题采用的技术方案为：包括检测平台，检测平台上设置有用于放置晶圆盒的限位基台，限位基台的两端分别装配在两个第二导轨上，垂直于第二导轨的方向上设置有第一导轨，第一导轨上设置有激光发射系统和激光光斑接收系统，通过激光发射系统和激光光斑接收系统可兼容对4inch、6inch、8inch标准晶圆盒的检测，同时可对晶圆盒各个表面的形变量进行检测；本发明应用于晶圆盒形变检测。
一种晶圆盒形变检测装置方法

[实用新型]一种新型联锁软体排压块铺设装置-CN202221174598.2有效
发明人：王胜;王鑫;姜晓源;金鑫;侯晓蕊;宋国向;包海军;李运霞;王佳乐;范世军;迟春涛 -专利权人：珠海派傲海洋工程有限公司
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： E02B3/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型联锁软体排压块铺设装置。本实用新型包括绞车一、钢丝绳一、A型架、托架和滑轮组；A型架连接于驳船尾端，绞车一固定于驳船上前端，滑轮组固定于A型架顶端，托架一端通过轴承固定于驳船尾端外沿，所述钢丝绳一的一端与绞车一固定，钢丝绳一的另一端穿过滑轮组与托架另一端连接；绞车二和绞车三对称安装在驳船上中部，绞车二和绞车三分别连接钢丝绳二和钢丝绳三的一端，所有压块在压块连接区分别首尾相连，钢丝绳二和钢丝绳三的另一端与位于尾端的压块相连。本实用新型大大提高了安全系数，减少了安装周期，降低了工作成本。
一种新型联锁软体排压块铺设装置

[实用新型]一种高性能碳化硅材料腐蚀炉-CN202220596940.1有效
发明人：殷祥凯;赵丽霞;侯晓蕊;王光耀;杨牧轩;潘琳茹;杨晋;田蕾;宋红英;田鑫龙;贾杰;韩国鑫;马宝 -专利权人：山西烁科晶体有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G01N1/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高性能碳化硅材料腐蚀炉，属于碳化硅材料生产技术领域；包括加热炉和位于加热炉炉腔内的坩埚；所述坩埚内放置有具有网孔的篮体，所述篮体内间隔设置有多层可开启的网框，所述网框内用于放置碳化硅材料；相邻两层网框之间设置有搅拌装置和温度检测装置；本实用新型实现多片碳化硅材料同步腐蚀，提高了腐蚀效率，腐蚀过程的控制精度高，本实用新型与传统的腐蚀炉相比，具有时间温度可控、高效方便、安全的特性。
一种性能碳化硅材料腐蚀

[发明专利]可移动调节的晶体测距检验装置-CN201910218577.2有效
发明人：靳霄曦;徐伟;魏汝省;张继光;李斌;王英民;侯晓蕊;周立平;张峰;弓吉祥 -专利权人：山西烁科晶体有限公司
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G01B5/02 文献下载
摘要：本发明公开了可移动调节的晶体测距检验装置，属于半导体加工领域；所要解决的技术问题是提供了一种结构简单，操作方便，测量准确，精度可靠，满足后续需求的可移动调节的晶体测距检验装置；解决该技术问题采用的技术方案为：可移动调节的晶体测距检验装置，包括底座，底座上设置有切割板，切割板上设置有可滑动的U型座，U型座上方设置有支撑板，支撑板与U型座相互垂直，支撑板上设置有旋转杆，旋转杆与底座相互平行，旋转杆一端与支撑板相连，另一端设置有测距控制杆，测距控制杆与旋转杆相互垂直，测距控制杆一端与旋转杆相连，另一端设置有测距表；本发明可广泛应用于半导体加工领域。
移动调节晶体测距检验装置

[实用新型]一种新型浅水简易铺管船-CN202022310025.5有效
发明人：王胜;王鑫;金鑫;侯晓蕊;宋国向;李运霞;王佳乐;包海军 -专利权人：珠海派傲海洋工程有限公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： B63B35/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型浅水简易铺管船。本实用新型的船体由两艘适应于河道的驳船组成；所述船体间连接桁架由钢管焊接而成，通过焊接或螺栓连接形式将两艘小型驳船固定在一起，船体间连接桁架下部，即两艘驳船间用于管线提升、对接和下放；所述主吊臂位于船体间连接桁架两端，用于水下管线起吊和下放；操作平台由架子工在船体间搭建主要用于焊接、检验和接头防腐。本实用新型可高效地完成河道管线的对接作业，具有工期短、费用低、效率高、不破坏水文地貌、不影响正常通航等优势。
一种新型浅水简易铺管船

[发明专利]一种双温区独立控制的碳化硅单晶生长装置和生长方法-CN202011373845.7在审
发明人：魏汝省;周立平;李斌;王英民;侯晓蕊;范云;张继光;靳霄曦;樊晓 -专利权人：山西烁科晶体有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种双温区独立控制的碳化硅单晶生长装置和生长方法，涉及晶体生长技术领域。本发明提供的碳化硅单晶生长装置，本发明采用上、下两个感应加热线圈，两个线圈分别连接第一电源和第二电源独立加热，分别连接第一线圈移动电机和第二线圈移动电机可以独立上下移动，利用上感应加热线圈和下感应加热线圈可以分别独立控制碳化硅籽晶处的温度场及碳化硅粉料处的温度场，保证生长过程中以及不同炉次之间温度及温度梯度的稳定性，提高SiC单晶生长的稳定性及重复性，解决了传统单感应线圈加热SiC单晶生长设备不能同时控制上下温度造成的温度梯度无法控制，晶体生长过程不能重复的缺点。
一种双温区独立控制碳化硅生长装置方法

[实用新型]一种碳化硅晶锭滚圆前的粘接工装-CN202020407013.1有效
发明人：徐伟;魏汝省;李斌;王英民;毛开礼;侯晓蕊 -专利权人：山西烁科晶体有限公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： B24B5/04 文献下载
摘要：本实用新型一种碳化硅晶锭滚圆前的粘接工装，涉及碳化硅晶锭加工技术；解决在外圆磨削时碳化硅晶锭不稳定出现掉落开裂的问题；包括加热装置、粘结装置和加压装置，加热装置设置在粘结装置底部，用于对粘结装置进行加热；粘结装置的顶部设置有水平的粘结工作面，加压装置设置在粘结工作面的正上方；加压装置设置有加压气囊，通过加压气囊对粘结工作面上的碳化硅晶锭加压；使用本实用新型装置粘接碳化硅晶锭简单方便，为后续的打磨工序做好准备工作，提高打磨的质量和安全性。
一种碳化硅滚圆工装

[发明专利]一种用于单晶生长的高纯碳化硅粉体制备方法-CN202010342701.9在审
发明人：马康夫;魏汝省;李斌;王英民;赵丽霞;侯晓蕊;周立平;毛开礼;徐伟;王利忠;戴鑫;张辰宇;李刚;方芃博 -专利权人：山西烁科晶体有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： C01B32/984 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于单晶生长的高纯碳化硅粉体制备方法；属于半导体材料技术领域；技术方案是选择高纯石墨粉、高纯Si粉和聚四氟乙烯粉混合后置于加热炉中，向炉腔内注入高纯H2，保持一定时间后抽真空；加热炉升温至850‑990℃，再次注入高纯H2，保持一定时间后再次抽真空，之后再次升温至1000℃‑1200℃，进行SiC合成反应得到高纯β‑SiC粉体；继续将高纯H2、高纯Ar与高纯HCl注入炉腔，升温至1900℃‑2100℃进行转化合成反应得到高纯α‑SiC粉体；本发明通过提高环境纯度以及限定工艺参数有效提高最终碳化硅粉体的纯度，适用于高纯半绝缘碳化硅的单晶生长。
一种用于生长高纯碳化硅体制方法

[发明专利]一种超快速低损碳化硅衬底抛光液及其制备方法-CN202010116746.4在审
发明人：徐伟;魏汝省;李斌;王英民;何超;侯晓蕊;毛开礼;马康夫 -专利权人：山西烁科晶体有限公司
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及化学机械抛光技术领域，具体为一种超快速低损碳化硅衬底抛光液及其制备方法，包括添加剂和抛光基液，抛光基液包括纳米金刚石微粉、强氧化剂，稳定剂等；添加剂按包括一定重量比的石墨烯、碳化钨、硅胶和二氧化钛；将添加剂各成分研磨成0.1‑0.35μm的颗粒，将石墨烯、碳化钨和二氧化钛混合加热后加入硅胶颗粒继续研磨；之后将其加入到温度为30‑39℃的抛光基液中混合；本发明所述添加剂对抛光基液具有平衡抛光时摩擦力作用，使碳化硅衬底在高速抛光的过程中，不会因为抛光速度加快而出现划痕或粗糙度加剧的问题，实现高速抛光的同时，降低表面粗糙度，减少划痕的目的，且整个精加工过程，加工精度高、自动化程度高。
一种快速碳化硅衬底抛光及其制备方法

[实用新型]一种多线切割机工作台校正装置-CN201920365519.8有效
发明人：靳霄曦;徐伟;魏汝省;张继光;李斌;王英民;侯晓蕊;周立平;张峰;弓吉祥 -专利权人：山西烁科晶体有限公司
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多线切割机工作台校正装置，属于线切割机校正领域；所要解决的技术问题是提供了一种结构简单，使用方便，校正准确，可靠性高的多线切割机工作台校正装置；解决该技术问题采用的技术方案为：一种多线切割机工作台校正装置，包括底座，底座上设置有滑轨，滑轨上设置有测量架，测量架上设置有测量指针，测量指针数量为3，测量指针呈等腰三角形结构布置；本实用新型可广泛应用于线切割机校正领域。
多线切割机校正装置工作台校正本实用新型线切割机测量测量架指针滑轨底座等腰三角形结构应用

[发明专利]一种碳化硅单晶抛光片衬底的最终清洗方法-CN201910824773.4在审
发明人：徐伟;魏汝省;李斌;王英民;何超;靳霄曦;毛开礼;侯晓蕊;王程;马康夫 -专利权人：山西烁科晶体有限公司
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅单晶抛光片衬底的最终清洗方法，包括以下步骤：1）氧化去除表面的有机沾污：用超纯水冲洗碳化硅单晶抛光片；在紫外光照射下，使用O
碳化硅单晶抛光片超纯水双氧水混合溶液中浸入清洗超声波振荡清洗去除冲洗表面形成钝化层氨水工艺重复性规模化生产紫外光照射金属沾污微小颗粒漂洗氢氟酸再使用衬底沾污盐酸

[实用新型]一种可移动调节的晶体测距检验装置-CN201920365505.6有效
发明人：靳霄曦;徐伟;魏汝省;张继光;李斌;王英民;侯晓蕊;周立平;张峰;弓吉祥 -专利权人：山西烁科晶体有限公司
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： G01B5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可移动调节的晶体测距检验装置，属于半导体加工领域；所要解决的技术问题是提供了一种结构简单，操作方便，测量准确，精度可靠，满足后续需求的可移动调节的晶体测距检验装置；解决该技术问题采用的技术方案为：一种可移动调节的晶体测距检验装置，包括底座，底座上设置有切割板，切割板上设置有可滑动的U型座，U型座上方设置有支撑板，支撑板与U型座相互垂直，支撑板上设置有旋转杆，旋转杆与底座相互平行，旋转杆一端与支撑板相连，另一端设置有测距控制杆，测距控制杆与旋转杆相互垂直，测距控制杆一端与旋转杆相连，另一端设置有测距表；本实用新型可广泛应用于半导体加工领域。
测距旋转杆可移动调节检验装置支撑板控制杆底座半导体加工领域本实用新型一端设置切割板垂直可滑动平行测量应用

[发明专利]多线切割机工作台校正装置-CN201910218622.4在审
发明人：靳霄曦;徐伟;魏汝省;张继光;李斌;王英民;侯晓蕊;周立平;张峰;弓吉祥 -专利权人：山西烁科晶体有限公司
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明公开了多线切割机工作台校正装置，属于线切割机校正领域；所要解决的技术问题是提供了一种结构简单，使用方便，校正准确，可靠性高的多线切割机工作台校正装置；解决该技术问题采用的技术方案为：多线切割机工作台校正装置，包括底座，底座上设置有滑轨，滑轨上设置有测量架，测量架上设置有测量指针，测量指针数量为3，测量指针呈等腰三角形结构布置；本发明可广泛应用于线切割机校正领域。
多线切割机校正装置工作台校正线切割机测量测量架指针滑轨底座等腰三角形结构应用

[发明专利]一种晶体的定向切割方法-CN201611241921.2有效
发明人：徐伟;李斌;王英民;毛开礼;周立平;侯晓蕊;何超;魏汝省;靳霄曦 -专利权人：中国电子科技集团公司第二研究所
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶体的定向切割方法，属于半导体晶体材料切割技术领域。定向切割方法包括以下步骤：将切割底座与圆柱形晶体平整放置并接触，在二者之间填充粘接剂；将切割底座与圆柱形晶体的上下左右均固定，静置，使二者粘结在一起；将粘接好的晶体放置在X射线定向仪上，进行晶体底面定向测试，以确定切割线及切割面晶向；将粘接好的晶体及切割底座装在多线切割机上，根据所述切割线及切割面晶向，调整切割角度，切割后就可以得出相应晶向的晶体切割片。本发明还涉及定位粘接装置，使得切割石墨底座与晶体紧密粘接在一起，避免粘接剂在凝固过程中造成切割石墨底座与晶体底面偏差，保证晶体切割后晶向偏差控制在6’以内。
一种晶体定向切割方法定位装置

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