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[发明专利]磁控管用La2O3掺杂Mo阴极材料的制备方法-CN201610700338.7有效
发明人：王金淑;董丽然;张杰;田明创;周美玲;左铁镛 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2016-08-21 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01J23/05 文献下载
摘要：磁控管用La2O3掺杂Mo阴极材料的制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。钼基体中掺杂稀土活性物质La2O3，稀土活性物质添加总量为2.0‑5.0wt％，其余为钼。采用液液掺杂的溶胶凝胶法制备La2O3掺杂MoO3粉末，氧化物粉末经过还原、压型、烧结工艺制备出La2O3掺杂Mo棒。钼棒经旋煅、拉拔、退火、洗丝、绕制、定型、裁断工艺得到未碳化磁控管用La2O3掺杂Mo阴极。对阴极进行高温瞬时碳化工艺处理，得到高碳化度的磁控管用La2O3掺杂Mo丝状阴极材料。
管用 la2o3 掺杂 mo 阴极材料制备方法

[发明专利]La₂O₃、Yb₂O₃稳定ZrO₂热障涂层材料的制备方法-CN201110440025.X有效
发明人：黄永章;张顺利;朱政权;张力;王力军;罗远辉;陈松;薛红霞 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2011-12-23 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： C04B35/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种La2O3、Yb2O3稳定ZrO2热障涂层材料的制备方法，包括采用化学共沉淀法制得La2O3、Yb2O3共掺杂的ZrO2试样，然后采用先模压后冷等静压成型的方法，将试样压制成型；将压制的试样分步排胶，使试样内的添加剂完全挥发；将脱除添加剂的试样，进行真空烧结；将真空烧结的La2O3、Yb2O3共掺杂的ZrO2试样，进行退火处理，最后得到La2O3、Yb2O3稳定ZrO2热障涂层材料。本发明采用化学共沉淀法制备的粉体颗平均粒径约为2μm；具有单一的烧绿石相结构；最终获得提高了热障涂层的使用温度、抑制了涂层烧结及降低了材料热导率的La2O3、Yb2O3稳定ZrO2热障涂层材料。
la sub yb 稳定 zro 热障涂层材料制备方法

[发明专利]一种La2O3气凝胶颗粒的制备方法-CN201610523149.7有效
发明人：沈晓冬;仲亚;陆春华;崔升 -专利权人：南京工业大学;宿迁市南京工业大学新材料研究院
申请日： 2016-07-05 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： C01F17/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种La2O3气凝胶颗粒的制备方法，将水合无机镧盐、酸性催化剂、去离子水、无水乙醇和环氧丙烷按一定摩尔比均匀搅拌，碱液调节反应pH值，得到无色的澄清的La2O3溶胶溶液，再静置于一定温度环境中最后利用CO2超临界干燥法对样品进行干燥处理得到La2O3气凝胶颗粒。该制备工艺过程简单易操作，制备出的La2O3气凝胶颗粒具有均匀的纳米孔结构、比表面积高、热导率低、密度低等优点。这种既具有纳米多孔气凝胶结构又具备稀土元素氧化物的特性的La2O3气凝胶将会在高温隔热、重金属离子吸附、催化剂及催化剂载体方面有更好的应用前景。
一种 la sub 凝胶颗粒制备方法

[发明专利]La2O3改性的Al‑TiO2‑C晶粒细化剂及其制备方法及工业纯铝细化方法-CN201510431975.4有效
发明人：张瑞英;韩小伟;王晓欢;史志铭 -专利权人：内蒙古工业大学
申请日： 2015-07-22 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： C22C1/06 文献下载
摘要：本发明公开La2O3改性的Al‑TiO2‑C晶粒细化剂及其制备方法及工业纯铝细化方法，La2O3改性的Al‑TiO2‑C晶粒细化剂由Al粉、TiO2粉、C粉和La2O3粉组成。制备方法包括如下步骤(1)将Al粉、TiO2粉、C粉和La2O3粉混合，在星式球磨机上球磨0.5‑2h；(2)在万能试验机上压制出直径为Φ30的预制块，压块所用的压力为85KN；(3)预制块用铝箔包裹，挤出里面的空气保存；(4)然后将预制块在高温烧结炉中烧结；(5)随后随炉冷却，取出即为制备的La2O3改性的Al‑TiO2‑C晶粒细化剂。用此细化剂细化工业纯铝可得到相对较细小的等轴晶；析出相是TiC、Al2O3、Al3Ti相。加入稀土元素La后会生成相应的稀土相Al20Ti2La，适量的Al20Ti2La对提高Al‑TiO2‑C细化剂细化性能起到重要作用。
la sub 改性 al tio 晶粒细化及其制备方法工业

[发明专利]一种La₂O₃-SnO₂-Zn₂SnO₄压敏-电容双功能陶瓷材料及其制备方法-CN201310006026.2无效
发明人：梅方;李立本;臧国忠 -专利权人：河南科技大学
申请日： 2013-01-08 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： C04B35/457 文献下载
摘要：一种La2O3-SnO2-Zn2SnO4压敏-电容双功能陶瓷材料，该陶瓷材料由SnO2粉料、Zn2SnO4粉料和La2O3粉料经混合压制，并烧结制成，各组分摩尔比La2O3：SnO2：Zn2SnO4为X本发明由SnO2粉料、Zn2SnO4粉料和La2O3粉料经混合压制，并烧结制成的La2O3-SnO2-Zn2SnO4复合陶瓷，具有良好的压敏性质、超高的介电常数和低压敏电压。
一种 la sub sno zn 压敏电容功能陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种La₂O₃-SnO₂-Zn₂SnO₄压敏-电容双功能陶瓷材料及其制备方法-CN201310001149.7无效
发明人：梅方;李立本;臧国忠 -专利权人：河南科技大学
申请日： 2013-01-04 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： C04B35/457 文献下载
摘要：一种La2O3-SnO2-Zn2SnO4压敏-电容双功能陶瓷材料，该陶瓷材料由SnO2粉料、Zn2SnO4粉料和La2O3粉料经混合压制，并烧结制成，各组分摩尔比La2O3：SnO2：Zn2SnO4为X本发明由SnO2粉料、Zn2SnO4粉料和La2O3粉料经混合压制，并烧结制成的La2O3-SnO2-Zn2SnO4复合陶瓷，具有良好的压敏性质、超高的介电常数和低压敏电压。
一种 la sub sno zn 压敏电容功能陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]基于Al₂O₃/(La₂O₃)_x(Al₂O₃)_1-x/Al₂O₃结构的非易失性存储器件及其制备方法-CN201810314375.3在审
发明人：李荣;汤振杰 -专利权人：安阳师范学院
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Al2O3/(La2O3)x(Al2O3)1‑x/Al2O3结构的非易失性存储器件及其制备方法，利用原子层化学气相沉积方法在Si衬底表面顺序生长Al2O3/(La2O3)x(Al2O3)1‑x/Al2O3结构，其中靠近Si衬底的Al2O3为隧穿层，(La2O3)x(Al2O3)1‑x为存储层，靠近金属电极的Al2O3为阻挡层。
非易失性存储器件制备原子层化学衬底表面金属电极气相沉积顺序生长存储层隧穿层阻挡层衬底

[发明专利]碳化La2O3与Lu2O3复合掺杂Mo阴极材料及其制备方法-CN201610743795.4有效
发明人：王金淑;董丽然;张杰;田明创;周美玲;左铁镛 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01J23/04 文献下载
摘要：碳化La2O3与Lu2O3复合掺杂Mo阴极材料及其制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。钼基体中掺杂稀土活性物质La2O3、Lu2O3，稀土活性物质添加总量为2.0‑5.0wt％。采用溶胶凝胶法制备稀土氧化物掺杂钼粉末，采用二次还原工艺，得到La2O3、Lu2O3掺杂Mo粉，经过压型和烧结得到钼棒。钼棒经旋煅、拉拔、清洗、矫直、绕制、定型、裁断工艺处理，得到未碳化的La2O3、Lu2O3掺杂Mo阴极。对阴极进行高温瞬时碳化工艺处理，得到高碳化度的碳化阴极材料。
碳化 la sub lu 复合掺杂 mo 阴极材料及其制备方法

[发明专利]一种g-C3N4/La2O3复合材料及其制备方法和应用-CN201510083102.9在审
发明人：谈玲华;徐建华;杭祖圣;寇波;石丽丽;王均;唐啸伟 -专利权人：南京工程学院
申请日： 2015-02-15 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型g-C3N4/La2O3复合材料及其制备方法和应用，该复合材料由99:1～95:5的g-C3N4和纳米La2O3复合而成，制备步骤如下：将一定量的三聚氰胺置于马弗炉中焙烧，冷却研磨得g-C3N4粉末，将纳米La2O3置于乙醇溶液中超声分散，然后加入g-C3N4并超声分散，超声过程中不断搅拌，完成后在玛瑙研钵中慢慢研磨至物体呈糊状放入真空烘箱中烘干，在管式炉中焙烧得g-C3N4/La2O3本发明制备出的g-C3N4/La2O3复合材料对高氯酸铵的热分解具有良好的催化效果。本发明提供的制备方法，工艺简单，经济效益高，适合工业化大批量生产。
一种 c3n4 la2o3 复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种用燃烧法合成纳米La₂O₃/La₂O₂CO₃复合材料的方法-CN201010136004.4无效
发明人：储刚;张海瑞;吴钳;张静;王亚娇;张辉;郭琴;谢艳楠 -专利权人：辽宁石油化工大学
申请日： 2010-03-31 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： B01J23/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种用燃烧法合成纳米La2O3/La2O2CO3复合材料的方法，原料为La(NO3)3·6H2O(A.R)、一水合柠檬酸；以六水合硝酸镧和一水合柠檬酸分别为镧源和络合剂，加入水中，搅拌溶解，得柠檬酸-硝酸镧溶液，形成柠檬酸和镧的配合物，柠檬酸与硝酸镧的摩尔比为1～1.5∶1左右，向所述溶液滴加氨水，调节溶液的pH值在2～6之间，室温下得到溶胶，将其放入马弗炉加热到发生自蔓延燃烧并在600℃～720℃煅烧1～5小时，得到膨松粉末状产物，即纳米La2O3/La2O2CO3复合产物。通过控制原料配比、溶液pH值、煅烧温度和煅烧时间，可控制La2O3/La2O2CO3组分的比例和粒径。
一种燃烧合成纳米 la sub co 复合材料方法

[发明专利]一种二元复合La2O3、Ta2O5掺杂钼阴极材料及其制备方法-CN201610697857.2有效
发明人：王金淑;董丽然;张杰;田明创;杨韵斐;赵冰心;张大业;张权 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2016-08-21 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： H01J23/04 文献下载
摘要：一种二元复合La2O3、Ta2O5掺杂钼阴极材料及其制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。阴极基体中活性物质La2O3、Ta2O5成分的添加总量为3‑5wt％，其中Ta2O5的添加量为0.05‑0.5％；其余为Mo。干凝胶分解得到La2O3、Ta2O5掺杂MoO3粉末。氧化物混合粉末经过二次还原工艺获得的La2O3、Ta2O5掺杂钼粉。对粉体进行压制、烧结、碳化、激活、老练处理，获得具有良好发射性能的阴极材料。
一种二元复合 la sub ta 掺杂阴极材料及其制备方法

[发明专利]GaN基MOSFET及其制备方法-CN201010147721.7无效
发明人：刘治国;高立刚;汤振杰;夏奕东;殷江 -专利权人：南京大学
申请日： 2010-04-16 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及GaN基MOSFET及其制备方法，可以有效的调节(La2O3)x(SiO2)1-x薄膜与GaN衬底之间的能带补偿，减小漏电流。所述GaN基MOSFET，在GaN衬底上设有(La2O3)x(SiO2)1-x栅介质层，GaN衬底和(La2O3)x(SiO2)1-x栅介质层之间设有厚度为0.5-2nm的SiO2缓冲层。所述GaN基MOSFET的制备方法，包括如下步骤：在GaN衬底上沉积一层SiO2缓冲层，然后沉积(La2O3)x(SiO2)1-x栅介质层。
gan mosfet 及其制备方法

[发明专利]一种氧化锆基多孔复合材料及其制备方法-CN201410431296.2无效
发明人：艾建平;王士维;周国红;张海龙;覃显鹏;刘娟 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2014-08-28 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： C04B38/00 文献下载
摘要：一种氧化锆基多孔复合材料及其制备方法，所述氧化锆基多孔复合材料包含由La2O3、Y2O3和ZrO2构成的氧化锆基体、以及埋覆于氧化锆基体中的增强体纤维，其中，在氧化锆基体中，将La2O3、Y2O3以及ZrO2的摩尔比之和作为100mol%，La2O3占1-10mol%，Y2O3占0.5-5mol%，其余为ZrO2；增强体纤维占所述氧化锆基多孔复合材料的10-45wt%。
一种氧化锆基多复合材料及其制备方法

[发明专利]液态烃热中和重整的催化剂和方法-CN201480035568.5有效
发明人： F·I·奥-姆哈施;S·阿莫德;R·C·庞特斯比藤考特;M·J·B·卡都索;V·P·德索扎 -专利权人：沙特阿拉伯石油公司;巴西石油公司;法赫德国王石油矿产大学
申请日： 2014-06-26 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： C01B3/40 文献下载
摘要：本发明涉及用于石油基液态烃燃料的热中和重整的四组分催化剂(Ni‑Ce2O3‑Pt‑La2O3；K促进剂)和七组分催化剂(Ni，La2O3，Ce2O3，Pt，ZrO2，Rh和Re)以及铝酸镁载体。
液态中和重整催化剂方法

[发明专利]玻璃、压制成型用玻璃材料、光学元件坯件及光学元件-CN201510867240.6有效
发明人：桑谷俊伍 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2015-12-01 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： C03C3/068 文献下载
摘要：一种玻璃，其中，在以氧化物为基准的玻璃组成中，SiO2的含量相对于B2O3、SiO2及P2O5的合计含量的质量比为0.050～0.250，Gd2O3的含量相对于La2O3、Gd2O3、Y2O3、Yb2O3及Lu2O3的合计含量的质量比不足0.360，B2O3、SiO2及P2O5的合计含量相对于La2O3、Gd2O3、Y2O3、Yb2O3、Lu2O3及ZrO2的合计含量的质量比为0.405以上且不足0.460，Ta2O5的含量相对于La2O3、Gd2O3、Y2O3、Yb2O3、Lu2O3和ZrO2的合计含量的质量比不足0.030，Nb2O5、TiO2、WO3及Bi2O3的合计含量相对于La2O3、Gd2O3、Y2O3、Yb2O3、Lu2O3及ZrO2的合计含量的质量比不足0.013，Gd2O3的含量超过8.0质量％，La2O3的含量为38～48质量％，Nb2O5的含量不足1.0质量％，折射率nd的范围为1.78
玻璃压制成型材料光学元件

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