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- [发明专利]图案化的线端空间-CN201310084128.6有效
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李佳颖;谢志宏
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台湾积体电路制造股份有限公司
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2013-03-15
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2014-07-09
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H01L21/768
- 在一些实施例中,在第一HM区域之上形成第一图案化的第二硬掩模(HM)区域。在一些实施例中,在第一图案化的第二HM区域或第一HM区域中的至少一个之上形成第一牺牲HM区域和第二牺牲HM区域。在第二牺牲HM区域之上图案化光刻胶(PR),而且在PR和第二牺牲HM区域之上沉积隔离件区域。在一些实施例中,隔离件区域、PR或哥哥牺牲HM中的至少一个的至少一些被去除。相应地,第一图案化的第二硬掩模(HM)区域被图案化,由此形成了与端到端空间相关的线端空间结构。本发明还提供了一种图案化的线端空间。
- 图案空间
- [发明专利]一种降低根用芥菜中亚硝酸盐量的肥料-CN201611042894.6在审
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何振贤
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何振贤
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2016-11-24
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2017-03-15
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A01C21/00
- 本发明提供一种降低根用芥菜中亚硝酸盐量的肥料,所述的肥料用于在目标产量为25000kg/hm2生产水平条件下,除有机肥37500 kg/hm2作基肥施入外,按照氮103.5‑390.0 kg/ hm2,过磷酸钙P2O5 150kg/ hm2,硫酸钾K2O 270kg/ hm2,制成掺混肥料,按750 kg/ hm2的用量,60%用作底肥,40%用作追肥。本发明比原来传统的施肥方法施氮肥量减少28%,节省成本600元/ hm2;根用芥菜的芥块中亚硝酸盐量降低为0%;农户可增收4500元/hm2。
- 一种降低芥菜中亚硝酸盐肥料
- [发明专利]半导体装置的制造方法-CN201510860265.3有效
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张钰声;吴佳典;吴永旭
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台湾积体电路制造股份有限公司
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2015-11-30
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2019-07-19
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H01L21/768
- 一种半导体装置的制造方法,包括在材料层上方形成硬质遮罩(HM)堆叠,此HM堆叠具有第一、第二、第三及第四HM层。方法亦包括在第四HM层中形成第一沟槽、在第一沟槽中形成第一间隔垫,在第四HM层中形成第二沟槽,藉由使用第三HM层作为蚀刻终止层移除第一间隔垫的至少一部分以形成切口,移除由第一沟槽、第二沟槽及切口所曝露的第三及第二HM层的一部分以分别形成延伸的第一、第二沟槽及延伸的切口。方法亦包括在延伸的第一、第二沟槽及延伸的切口形成第二间隔垫且移除第二HM层的另一部分以形成第三沟槽。本发明使用硬质遮罩堆叠以在顶部两个HM层形成切口,避免底部HM层曝露于形成沟槽切口的蚀刻工艺。
- 半导体装置制造方法
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