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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]CAKE3DNAND存储器及其形成方法-CN201410315890.5有效
发明人：邓宁;吴华强;丰伟;钱鹤;舒清明;朱一明 -专利权人：清华大学;北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2014-07-03 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种CAKE3D NAND存储器及其形成方法。本发明的方法工艺简单，形成的CAKE3D NAND存储器具有存储密度高、编程效率和擦除效率高等优点。
cake3dnand 存储器及其形成方法

[外观设计]咖啡滤杯（Arris-Cake）-CN202130199753.0有效
发明人：冯志融;龚小淘 -专利权人：广州泰盛智能科技有限公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： 07-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：咖啡滤杯（Arris‑Cake）。2.本外观设计产品的用途：用作咖啡滤杯。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
咖啡 arris cake

[发明专利]用于高选择性氮化硅蚀刻的改良调配物-CN202080059034.1在审
发明人： D·怀特;D·凯珀;S·迪梅奥 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明的组合物特别可用于3DNAND结构的蚀刻。
用于选择性氮化蚀刻改良调配

[外观设计]马克笔袋（CAKE）-CN202130561805.4有效
发明人：戴坚 -专利权人：杭州综华贸易有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： 03-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：马克笔袋（CAKE）。2.本外观设计产品的用途：用于放置马克笔。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。
马克笔 cake

[外观设计]沙发（奶盖沙发Lava Cake Sofa）-CN202230651041.2有效
发明人：洪思思 -专利权人：浙江格度智能科技有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： 06-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：沙发（奶盖沙发Lava Cake Sofa）。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于家具。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
沙发 lava cake sofa

[外观设计]床（奶盖床Lava Cake Bed）-CN202330015152.9有效
发明人：洪思思 -专利权人：浙江格度智能科技有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： 06-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：床（奶盖床Lava Cake Bed）。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于家具。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
奶盖床 lava cake bed

[发明专利]一种3DNAND闪存堆叠结构的制备方法及3DNAND闪存-CN201711167871.2在审
发明人：陈子琪;吴关平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：本发明提供了一种3D NAND闪存堆叠结构的制备方法及3D NAND闪存，所述制备方法包括如下步骤沉积衬底堆叠结构，包括提供衬底，所述衬底表面形成有多层交错堆叠的层间介质层及金属栅极层，所述金属栅极层形成于相邻的层间介质层之间
一种 dnand 闪存堆叠结构制备方法

[外观设计]建筑模型（cake）-CN202130006069.6有效
发明人：吴喆文 -专利权人：上海祥时建筑科技有限公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： 21-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：建筑模型（cake）。2.本外观设计产品的用途：用于建筑设计与规划方案。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
建筑模型 cake

[发明专利]一种耐擦写低能耗的外接计算机加速设备-CN201410527285.4在审
发明人：张维加 -专利权人：张维加
申请日： 2014-10-10 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： G06F12/08 文献下载
摘要：一种耐擦写低能耗的外接计算机加速设备，包含主控芯片及使用高擦写寿命低能耗的材料制作的存储器模块（可以采用相变存储器或3DNAND闪存，或两者的组合），通过外接数据传输接口（如USB或Thunderbolt或PCI-E）连接计算机，在相变存储器或3DNAND闪存中为计算机创建缓存文件，缓存系统与应用程序的常用文件以及预读频繁读写的零散文件，作为高速缓存。设备的算法与架构还可采用如下设计：1.对系统内存提供智能压缩与后台自动释放；2.通过对用户习惯进行长期监测，判断出系统即将使用的数据，预存在设备中；3.多通道模式，阵列模组集成多块相变存储器芯片并采用多通道主控
一种擦写能耗外接计算机加速设备

[发明专利]使用镍或钴合金制造3D NAND的方法-CN202180046309.2在审
发明人： D·苏尔;V·梅威尔莱克;M·蒂亚姆 -专利权人：麦克德米德乐思公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：本发明涉及一种使半导体衬底金属化的工艺，特别是用于制造3DNAND存储器。该金属化工艺包括用贵金属如钯来活化介电材料表面的步骤，然后是使用包含金属离子的溶液通过无电工艺沉积镍或钴合金的步骤。
使用合金制造 nand 方法

[外观设计]电子烟（DOSE CAKE）-CN201730485840.6有效
发明人：谢涛 -专利权人：谢涛
申请日： 2017-10-12 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： 27-99 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：电子烟（DOSE CAKE）。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于戒烟或替代香烟的电子烟。3．本外观设计产品的设计要点：产品外形。
电子 dose cake

[外观设计]包装盒（cake隐形眼镜）-CN202130416149.9有效
发明人：王桂云 -专利权人：上海凌云眼镜有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： 09-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：包装盒（cake隐形眼镜）。2.本外观设计产品的用途：用于盛装隐形眼镜的外包装盒使用。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。
包装 cake 隐形眼镜

[外观设计]包装盒（cake crack甜品）-CN202330168145.2有效
发明人：王艺杰 -专利权人：南京未来食研室科技有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： 09-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：包装盒（cake crack甜品）。2.本外观设计产品的用途：用于包装食品。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状、图案与色彩的结合。
包装 cake crack 甜品

[发明专利]一种提高3DNAND固态硬盘可靠性的方法及装置-CN202210583459.3在审
发明人：缪向水;董晓东;李晨光 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高3DNAND固态硬盘可靠性的方法及装置，涉及数据存储的技术领域，方法包括根据当前空闲物理页的数据保持能力对物理块进行分类，再通过根据写入数据在物理页的存储单元中的存储电荷状态，确定写入数据是低位态数据或高位态数据通过闪存转换层中的逻辑页到物理页的页映射级别算法优化，避免高位态数据存储在数据保持能力较弱的物理页中出错，从而减少长时间存储后出现大量集中性错误的概率，避免大量集中性错误使得纠错模块无法处理，提高3DNAND
一种提高 dnand 固态硬盘可靠性方法装置

[发明专利]W形垂直沟道3DNAND闪存及其形成方法-CN201410079424.1有效
发明人：吴华强;王博;钱鹤 -专利权人：清华大学
申请日： 2014-03-05 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了W形垂直沟道3DNAND闪存及其形成方法，该方法包括：提供衬底及衬垫层；在衬垫层顶部形成多个凹槽；在多个凹槽中形成多个底层管形通道牺牲层；在衬垫层之上形成绝缘层和控制栅层的叠层结构；在叠层结构中形成多个垂直刻蚀孔本发明可以得到存储器阵列位线长度可以灵活设置的W形垂直沟道3DNAND闪存，电学性能良好。
垂直沟道 dnand 闪存及其形成方法

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