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[发明专利]N型MOSFET-CN202111437054.0在审
发明人：翁文寅 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种N型MOSFET，包括：形成于半导体衬底表面上的栅极结构；在栅极结构的两侧的形成有嵌入式外延层，嵌入式外延层填充于凹槽中，凹槽形成在半导体衬底中；源区和漏区形成在栅极结构两侧的嵌入式外延层中
mosfet

[发明专利]N型MOSFET-CN202110196849.0在审
发明人：翁文寅 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种N型MOSFET，包括：形成于半导体衬底表面上的栅极结构；在栅极结构的两侧的形成有嵌入式外延层，嵌入式外延层填充于凹槽中，凹槽形成在半导体衬底中；源区和漏区形成在栅极结构两侧的嵌入式外延层中；N型MOSFET的工艺节点为7nm以下，栅极结构的宽度为20nm以下；嵌入式外延层由第一SiAs外延层组成或者嵌入式外延层由第二SiAs外延层和第三SiP外延层叠加而成。
mosfet

[外观设计]轮毂（N型）-CN201730681666.2有效
发明人：张辉;方新儒 -专利权人：沈阳大学
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： 12-16 文献下载
摘要：1.产品名称：轮毂（N型）。2.用途：日常汽车使用。3.设计要点：该外观设计的设计要点在于主视图。4.指定立体图为最能表明设计要点的图片。5.右视图与左视图对称，省略右视图。
俯视图右视图左视图省略轮毂仰视逆时针旋转汽车使用外观设计顺时针对称图片

[外观设计]桌架（N 型）-CN202030328921.7有效
发明人：余映传 -专利权人：广东品诚智能科技有限公司
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： 06-06 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：桌架（N 型）。2.本外观设计产品的用途：用于桌子支架。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。5.无设计要点，省略仰视图。
桌架

[外观设计]雪糕（N型）-CN202030122539.0有效
发明人：曹孝斌 -专利权人：江西康怡食品有限公司
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： 01-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：雪糕（N型）。2.本外观设计产品的用途：用于可食用的雪糕花形。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
雪糕

[外观设计]门框（N型）-CN202030272333.6有效
发明人：姜忠国 -专利权人：上海朗庆金属门窗有限公司
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： 25-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：门框（N型）。2.本外观设计产品的用途：用于固定门扇。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。
门框

[外观设计]凳子（N型）-CN202130106978.7有效
发明人：麦兴鉴 -专利权人：广东阅生活家居科技有限公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： 06-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：凳子（N型）。2.本外观设计产品的用途：家具。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
凳子

[外观设计]插头（N型）-CN202230062395.3有效
发明人：李雁梅;胡芬;谭威明;高海明 -专利权人：广东汇杰电力集团有限公司;广东汇杰数字研究院(有限合伙)
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： 13-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：插头（N型）。2.本外观设计产品的用途：用于插头。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
插头

[外观设计]门框（N型）-CN202330128575.1有效
发明人：杨佳颖 -专利权人：华美设计有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： 25-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：门框（N型）。2.本外观设计产品的用途：用于一种门的门框。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
门框

[外观设计]桨叶（N型）-CN202230716303.9有效
发明人：杨帆;李子坤 -专利权人：江苏锐拓生物科技有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： 12-06 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：桨叶（N型）。2.本外观设计产品的用途：用于将发动机的转动功率转化为推进力。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图1。
桨叶

[外观设计]鞋架（N型）-CN202230472938.9有效
发明人：陈克琪 -专利权人：陈克琪
申请日： 2022-07-23 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： 06-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：鞋架（N型）。2.本外观设计产品的用途：放置物品。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
鞋架

[发明专利]一种LED外延结构-CN202310538780.4在审
发明人：林志伟;陈凯轩;蔡建九;何剑;李敏华 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED外延结构，所述N型半导体层至少包括三个N型半导体子层，且至少两个所述N型半导体子层的N型N型掺杂浓度不一致。进一步地，在所述N型半导体层中，靠近所述衬底一侧的N型半导体子层为N型半导体底层，靠近所述有源层一侧的N型半导体子层为N型半导体顶层，其余的N型半导体子层为N型半导体中间层；则，至少一N型半导体中间层的N型掺杂浓度低于所述N型半导体底层和/或N型半导体顶层的N型掺杂浓度。使得所述N型半导体层的N型N型掺杂浓度呈高低高的阶梯式分布结构，该结构能够对高压静电起到缓冲的作用，降低了高压静电的破坏力，提升ESD性能，同时避免因有源层的N型掺杂降低而影响ESD性能。
一种 led 外延结构

[发明专利]纵向双极型晶体管及制作方法-CN202310409969.3在审
发明人：刘尧;刘筱伟;李建平;刘海彬;段花花;刘森 -专利权人：微龛（广州）半导体有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种纵向双极型晶体管及其制作方法，纵向双极型晶体管设置于P型衬底上且包括：位于所述P型衬底上部的N型埋层和P型埋层，以及位于所述N型埋层下方的N型深阱，所述N型埋层设置于所述N型深阱与所述N型外延层之间，所述P型埋层设置成包围所述N型深阱且邻接所述N型埋层。本发明通过在衬底设置N型埋层和P型埋层和N型深阱，所述P型埋层环绕所述N型深阱设置且邻接所述N型埋层，利用P型埋层分别与N型埋层和N型深阱形成的PN结阻断基区少子电流向衬底注入的通道，由此减少衬底漏电流
纵向双极型晶体管制作方法

[发明专利]基于FinFET晶体管的电流模RM或非-异或单元电路-CN201710259212.5有效
发明人：胡建平;熊阳;杨廷锋;汪佳峰 -专利权人：宁波大学
申请日： 2017-04-20 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于FinFET晶体管的电流模RM或非‑异或单元电路，第一P型FinFET管、第二P型FinFET管、第一N型FinFET管、第二N型FinFET管、第三N型FinFET管、第四N型FinFET管、第五N型FinFET管、第六N型FinFET管和第七N型FinFET管，第一P型FinFET管和第二P型FinFET管分别为低阈值P型FinFET管，第一N型FinFET管、第二N型FinFET管、第三N型FinFET管、第四N型FinFET管、第五N型FinFET管和第七N型FinFET管为低阈值N型FinFET管，第六N型FinFET管为高阈值N型FinFET管；优点是在具有正确的逻辑功能的基础上
基于 finfet 晶体管电流 rm 单元电路

[发明专利]双晶体管或非型闪存存储结构及其制备方法-CN202310186008.0在审
发明人：张有志;沈安星 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本申请提供一种双晶体管或非型闪存存储结构，包括衬底、P型阱、第一N型阱、第二N型阱、第三N型阱、有源层、多晶硅栅极结构和位线结构，衬底具有深N阱；P型阱设置于深N阱上；第一N型阱、第二N型阱以及第三N型阱间隔设置于P型阱内，且与深N型阱间隔设置，第二N型阱位于第一N型阱与第三N型阱之间；有源层设置于P型阱、第一N型阱、第二N型阱以及第三N型阱上；多晶硅栅极结构和位线结构间隔设置于有源层上，有源层、第一N型阱、第二N型阱以及多晶硅栅极形成第一晶体管，有源层、第三N型阱、第二N型阱以及位线结构形成第二晶体管，以提高存储结构的性能。
双晶闪存存储结构及其制备方法

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