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[发明专利]鳍式场效应管的鳍部以及鳍式场效应管的形成方法-CN201110436326.5有效
发明人：宋化龙 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种鳍式场效应管的鳍部形成方法以及一种鳍式场效应管形成方法，其中鳍式场效应管中鳍部形成方法，包括步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成氧化硅层，在所述氧化硅层表面形成硬掩膜层；刻蚀所述氧化硅层和硬掩膜层，形成鳍部沟槽并暴露出半导体衬底；在鳍部沟槽中填充多晶或无定形的半导体材料；在已填充多晶或无定形的半导体材料的鳍部沟槽中通过外延生长法形成鳍部；以硬掩膜层表面为终止位置进行平坦化；去除所述硬掩膜层并暴露出氧化硅层所形成的鳍部表面晶格损伤降低，鳍部以及氧化硅层内部致密无空隙而且鳍部的高度可控，提高了鳍式场效应管的性能以及可靠性，使小尺寸的半导体器件的形成工艺更为精确。
场效应以及形成方法

[发明专利]降低寄生电容的鳍式电晶管结构及其制造方法-CN202210963500.X在审
发明人：翁文寅 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种降低寄生电容的鳍式电晶管结构，包括衬底，衬底上形成有多个鳍式结构，鳍式结构两侧的源、漏区分别形成有与其相连接的导电层；鳍式结构、导电层上形成有第二层间介质层，使得每两相邻的鳍式结构及两者间的导电层间具有空隙本发明的两鳍式结构间的低K侧墙被去除形成间隙，降低了Cov电容容值，降低了寄生电容，进一步提高了芯片性能。
降低寄生电容鳍式电晶管结构及其制造方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管和制备方法-CN202080101476.8在审
发明人：许俊豪;贝尼斯坦特·弗朗西斯·莱昂内尔;侯朝昭 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种鳍式场效应晶体管和制备方法，该鳍式场效应晶体管包括：衬底，所述衬底上形成有有源区和沟道区；鳍片，形成于所述衬底上，并贯穿所述有源区和所述沟道区；其中，所述鳍片的处于所述沟道区部分的宽度，小于所述鳍片处于所述有源区部分的宽度，采用本申请提供的鳍式场效应晶体管的结构，可以在保证开关速度的情况下提高鳍式场效应晶体管的可靠性。
场效应晶体管制备方法

[实用新型]一种LED模组-CN201621129909.8有效
发明人：游文龙;邹红兵;龙能江;杨灵;廖伟 -专利权人：重庆平伟光电科技有限公司
申请日： 2016-10-17 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： F21K9/20 文献下载
摘要：本实用新型是关于一种LED模组，包括散热器、防护组件、配光透镜和灯珠，所述散热器、防护组件和配光透镜依次贴合固定；所述防护组件包括铝PCB板和防护胶圈，所述散热器包括散热鳍片和散热底座，所述散热鳍片包括倒鱼刺式散热鳍片和平板式散热鳍片，其中，所述散热底座的一面与所述铝PCB板贴合固定，所述散热底座的另一面垂直设置所述倒鱼刺式散热鳍片和平板式散热鳍片，所述倒鱼刺式散热鳍片与所述多排配光曲面凹槽对应设置。通过设置倒鱼刺式散热鳍片和平板式散热鳍片，且倒鱼刺式散热鳍片的倒鱼刺结构在有效空间极大增大散热面积，从而使得散热加快，有效提高散热效率并增加LED模组的使用寿命。
一种 led 模组

[发明专利]海洋毒素化合物及其盐类在制备HIV潜伏激活药物中的应用-CN201910588908.1在审
发明人：高祥;余雕;周强 -专利权人：厦门大学
申请日： 2019-07-02 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： A61K31/352 文献下载
摘要：本发明提供了海洋毒素化合物及其盐类在制备HIV潜伏激活药物中的应用，属于医药技术领域，所述海洋毒素化合物包括鳍藻毒素DTX‑1和/或鳍藻毒素DTX‑2；所述鳍藻毒素DTX‑1的结构式如式I所示，所述鳍藻毒素DTX‑2的结构式如式II所示；所述海洋毒素化合物为鳍藻毒素DTX‑1和/或鳍藻毒素DTX‑2，具有很强的激活潜伏HIV的作用，并且细胞毒性低，可用于制备HIV潜伏激活药物。
藻毒素海洋毒素激活制备医药技术领域细胞毒性可用式II 应用

[实用新型]半鳍式FET半导体器件-CN201220472095.3有效
发明人：陈向东;夏维 -专利权人：美国博通公司
申请日： 2012-09-14 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半鳍式FET半导体器件。根据一个实施方式，半鳍式FET半导体器件包括形成于半导体主体上方的栅极结构。半导体主体包括由延伸超过栅极结构第一侧的多个鳍构成的源极区以及与和栅极区的与多个鳍相对的第二侧相邻的连续漏极区。连续漏极区使半鳍式FET半导体器件具有降低的导通电阻。制造具有半鳍式FET结构的半导体器件的方法，包括：在半导体主体内指定源极和漏极区、蚀刻源极区以产生多个源极鳍，同时在蚀刻期间掩膜漏极区以提供连续漏极区，从而使得半鳍式FET结构具有降低的导通电阻。
半鳍式 fet 半导体器件

[发明专利]半导体器件、鳍式场效应晶体管及其形成方法-CN201510293006.7有效
发明人：谢欣云;周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-06-01 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件、鳍式场效应晶体管及其形成方法。所述鳍式场效应晶体管包括：半导体衬底、位于所述半导体衬底上的绝缘层、位于所述绝缘层上的鳍部，和位于所述半导体衬底上的栅极结构，所述栅极结构横跨至少一个所述鳍部，并覆盖所述鳍部的侧壁与顶部，所述绝缘层的材料为掺氮的氧化硅所述鳍式场效应晶体管中，在栅极和鳍部的下方形成绝缘层，从而在使用过程中，抑制器件短沟道效应，减少源极和漏极的漏电流，提高鳍式场效应晶体管的性能；此外以掺氮的氧化硅为所述绝缘层材料，可有效提高绝缘层的散热功效，从而提高鳍式场效应晶体管的散热功效，进而提高鳍式场效应晶体管的性能。
半导体器件场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]集成电路器件及其制造方法-CN201610177408.5有效
发明人：郑在烨;尹钟植;李化成;郑熙暾;柳齐民;车圭晚;尹钟密;金炫助 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成电路器件，其包括形成在衬底中的鳍式有源区、鳍式有源区的至少一个侧壁上的台阶绝缘层和鳍式有源区的所述至少一个侧壁上的第一高水平隔离层。鳍式有源区从衬底突出并且沿着平行于衬底的主表面的第一方向延伸，所述鳍式有源区包括具有第一导电类型的沟道区，并且包括台阶部分。台阶绝缘层接触鳍式有源区的台阶部分。台阶绝缘层位于第一高水平隔离层与鳍式有源区的所述至少一个侧壁之间。第一高水平隔离层沿着与第一方向不同的第二方向延伸。
集成电路器件及其制造方法

[发明专利]鳍部、鳍式场效应管及鳍部和鳍式场效应管的形成方法-CN201210254002.4有效
发明人：王新鹏;三重野文健;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-07-20 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种鳍部、鳍式场效应管及鳍部、鳍式场效应管的形成方法，鳍部的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底表面形成包含若干第一开口的掩膜层，所述第一开口暴露出衬底；以包含若干第一开口的掩膜层为掩模，刻蚀所述衬底，形成若干凹槽在所述凹槽内填充隔离层；沿第一开口对掩膜层进行回刻，增大第一开口的宽度，在所述掩膜层内形成若干第二开口；以掩膜层为掩模，沿第二开口刻蚀所述隔离层，使隔离层剩余预定厚度，所述剩余预定厚度的隔离层之间的衬底为第一子鳍部；刻蚀第一子鳍部上方的衬底，形成位于第一子鳍部上的第二子鳍部和位于第二子鳍部上的第三子鳍部。本发明鳍部、鳍式场效应管及其形成方法提高了鳍式场效应管的稳定性。
鳍部场效应形成方法

[实用新型]刀削式鳍片散热器-CN01231987.2无效
发明人：刘增丰 -专利权人：聚亨企业股份有限公司
申请日： 2001-08-13 - 公布日： 2002-07-17 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：一种刀削式鳍片散热器,包括一底座和设置在底座上的多数散热鳍片,其特征在于该鳍片是排列整齐呈鳍片状,且是呈弯弧状,各鳍片间距较小,且该鳍片末端与底座呈垂直而不往前倾。本实用新型的刀削式鳍片散热器的鳍片高度厚度比以及散热鳍片的间距并无习知铝挤型散热器般的限制,藉以可增加鳍片的单位数量与高厚比值,进而提升散热器的散热能力。
刀削式鳍片散热器

[发明专利]双极性晶体管装置-CN201710131856.6有效
发明人：柯明道;吴伟琳;彭政杰;姜信钦 -专利权人：晶焱科技股份有限公司
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：第一晶体管单元包含一第一掺杂井区、至少一第一鳍式结构与至少一第二鳍式结构，且第一掺杂井区为第一导电型。第一鳍式结构包含一第一闸极带与设于第一掺杂井区中的第一掺杂鳍，且第一闸极带为浮接。第二鳍式结构包含一第二闸极带与设于第一掺杂井区中的第二掺杂鳍，且第二闸极带为浮接。第一掺杂鳍、第二掺杂鳍与第一掺杂井区形成第一双载子接面晶体管，且第一掺杂鳍与第二掺杂鳍分别连接高电压端与低电压端。
极性晶体管装置

[发明专利]鳍式场效应管的形成方法-CN201410294769.9在审
发明人：虞肖鹏;何有丰;陈正领 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-06-26 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种鳍式场效应管的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面形成有若干分立的鳍部；采用沉积工艺在所述鳍部侧壁和顶部表面沉积过渡层，所述过渡层的材料中具有与鳍部材料原子相同的原子；对所述过渡层进行氧化处理，将所述过渡层材料转化为栅介质层材料，在鳍部侧壁和顶部表面形成栅介质层。本发明提供的鳍式场效应管的形成方法，减少了鳍部材料的消耗，从而提高了形成的鳍式场效应管的电学性能。
场效应形成方法

[发明专利]具静电放电保护功能的芯片-CN201310346737.4有效
发明人：陈少平 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2013-08-09 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种具静电放电保护功能的芯片，其包括有二条电源轨线、一接脚、一P型鳍式场效应晶体管、一N型鳍式场效应晶体管、二个鳍式电阻、二个二极管与一静电放电单元。上述接脚依序通过其中一鳍式电阻与P型鳍式场效应晶体管而电性连接其中一电源轨线，并依序通过另一鳍式电阻与N型鳍式场效应晶体管而电性连接另一电源轨线。上述二个鳍式场效应晶体管的控制端皆用以接收传输信号。
静电放电保护功能芯片

[发明专利]确定电路老化性能的方法和装置-CN201310684584.4有效
发明人：孙永生;郭建平;付一伟 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2013-12-12 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种确定电路老化性能的方法和装置，该方法包括：确定电路中每个鳍式场效晶体管的自发热温度；根据每个鳍式场效晶体管的自发热温度，确定每个鳍式场效晶体管的仿真温度；根据每个鳍式场效晶体管的仿真温度本发明实施例的确定电路老化性能的方法和装置，根据电路中每个鳍式场效晶体管的自发热温度确定每个鳍式场效晶体管的仿真温度，能够使每个鳍式场效晶体管的仿真温度与每个鳍式场效晶体管的实际温度相接近，从而能够使根据该仿真温度确定的电路老化性能与实际情况下的电路老化性能相符合
确定电路老化性能方法装置

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201711120019.X有效
发明人：江国诚;王志豪;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：文中描述了包含主动鳍式结构、虚设鳍式结构、磊晶层、含锗氧化层的半导体结构及其形成方法。自对准磊晶制程可通过实行含锗氧化层于鳍式场效晶体管元件的源极/漏极区域上的磊晶层表面而实现。通过实行虚拟鳍式结构以及自对准蚀刻，则可使磊晶层与邻近鳍式场效晶体管元件的金属栅极结构皆以自对准方式被分隔开。
半导体结构及其形成方法