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[实用新型]一种墨粉盒-CN202122002250.7有效
发明人：邓建波 -专利权人：珠海市颂洋科技有限公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： G03G21/16 文献下载
摘要：一种墨粉盒，其包括盒体、送粉辊、显影辊、感光鼓和充电辊，还包括侧盖和第一导电弹性件，侧盖连接在盒体的一侧，间隔设置有第一导电介质注塑层、第二导电介质注塑层、第三导电介质注塑层和第四导电介质注塑层；第一导电弹性件分别连接第一导电介质注塑层的里端与送粉辊；第二导电介质注塑层的里端电连接显影辊；第三导电介质注塑层的里端电连接感光鼓；第四导电介质注塑层的里端电连接充电辊。本实用新型提供的墨粉盒，其结构设计巧妙，通过导电介质注塑层以及弹性电连接的设置，避免出现导电钢片变形的情况，且安装工艺简单，更是使得电连接的稳定性高，保证墨粉盒的打印质量。
一种粉盒

[发明专利]半导体器件以及用于制造其的方法-CN201910338648.2在审
发明人：金范庸 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：一种半导体层层叠体包括：第一导电层；包括高k材料的电介质层，其形成在第一导电层上；第二导电层，其形成在电介质层上；以及界面控制层，其被形成在电介质层与第二导电层之间，并且包括泄漏阻止材料、掺杂剂材料、高带隙材料和高功函数材料
电介质层第二导电层第一导电层半导体层层叠体高功函数材料半导体器件掺杂剂材料高带隙材料界面控制层阻止材料高k材料泄漏申请制造

[发明专利]用于超表面调谐的热底切结构-CN202011435191.6在审
发明人： A·贾殷;Z·詹德瑞克;D·莫尔;K·A·戈麦斯;K·苏布拉马尼亚姆 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：一种有源超表面包括：布置在衬底上的多个周期性地重复的单位晶胞，所述单位晶胞中的每一个包括高指数电介质块；定位成选择性地调节施加到所述高指数电介质块的热量的热源；以及在所述高指数电介质块和所述衬底之间的界面处的绝缘底切区域
用于表面调谐切结

[发明专利]具有钙钛矿电介质的金属绝缘体金属(MIM)电容器-CN202111375500.X在审
发明人： C-C·林;S-C·常;K·奥乌兹;I-C·邓;A·森古普塔;I·A·扬;U·E·阿维奇;M·V·梅斯;A·V·佩努马季哈;A·罗伊 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：在示例中，金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器包括第一电极板和在第一电极板上的第一电容器电介质。第一电容器电介质是或包括钙钛矿高k电介质材料。第二电极板在第一电容器电介质上，并具有在第一电极板之上并与第一电极板平行的部分，并且第二电容器电介质在第二电极板上。第三电极板在第二电容器电介质上，并具有在第二电极板之上并与第二电极板平行的部分。
具有钙钛矿电介质金属绝缘体 mim 电容器

[发明专利]一种对缺陷模反射率增强的光子晶体-CN201910144323.0在审
发明人：钟东;文杰 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：一种高反射率的光子晶体，本光子晶体包括第一电介质层、第二电介质层、缺陷层和石墨烯层，缺陷层位于电子晶体的中部；第一电介质层和第二电介质层的分布规律为：缺陷层的两侧交替排列有若干第一电介质层和若干第二电介质层，且光子晶体的两外侧面均为第一电介质层，贴近缺陷层的两侧均为第二电介质层；石墨烯层嵌入在缺陷层内。
电介质层光子晶体缺陷层反射率缺陷模石墨烯层反射系数相位光电技术领域电子晶体反射光束分布规律高反射率横向位移交替排列剧烈变化石墨烯外侧面嵌入掺杂

[实用新型]一种对缺陷模反射率增强的光子晶体-CN201920245931.6有效
发明人：钟东;文杰 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：一种高反射率的光子晶体，本光子晶体包括第一电介质层、第二电介质层、缺陷层和石墨烯层，缺陷层位于电子晶体的中部；第一电介质层和第二电介质层的分布规律为：缺陷层的两侧交替排列有若干第一电介质层和若干第二电介质层，且光子晶体的两外侧面均为第一电介质层，贴近缺陷层的两侧均为第二电介质层；石墨烯层嵌入在缺陷层内。
电介质层光子晶体缺陷层反射率缺陷模本实用新型石墨烯层反射系数相位光电技术领域电子晶体反射光束分布规律高反射率横向位移交替排列剧烈变化石墨烯外侧面嵌入掺杂

[发明专利]等离子体显示面板-CN200780000613.3无效
发明人：河濑觉;森冈一裕;三舩达雄 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-02-08 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： H01J11/02 文献下载
摘要：一种PDP(1)，其不含有铅，具有满足透射率、耐绝缘性、介电常数，且抑制了着色产生的电介质层，并且显示质量高。PDP(1)将在前面玻璃基板(3)上形成有显示电极(6)、电介质层(8)和保护层(9)的前面板(2)与在基板上形成有电极、障壁和荧光体层的背面板相对配置，并将周围密封以形成放电空间。并且，PDP(1)中，显示电极(6)具备含有银的金属汇流电极(4b)、(5b)，电介质层(8)由含有覆盖金属汇流电极(4b)、(5b)的氧化铋的第1电介质层(81)和覆盖第1电介质层(81)且含有氧化铋的第2电介质层(82)构成。并且，第2电介质层(81)与第1电介质层(82)的厚度比为1.3以上、7.2以下。
等离子体显示面板

[发明专利]用于半导体器件的电介质层及其制造方法-CN200510006411.2有效
发明人：李钟镐;李来寅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-01-31 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括一硅酸盐界面层和一覆盖在所述硅酸盐界面层之上的高－k电介质层。所述高－k电介质层包括金属合金氧化物。
用于半导体器件电介质及其制造方法

[发明专利]高介电常数膜的精确图案化-CN200410070826.1有效
发明人：贾斯廷·K·布拉斯克;马克·L·多齐;马修·V·梅斯;约翰·巴纳科;保罗·R·马克沃斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2004-07-20 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明公开了一种高介电常数薄膜的精确图案化的方法，用于解决传统图案化技术中的结构和工艺限制。在形成与高介电常数电介质层相邻的栅极结构之后，高介电常数电介质层的一部分优选地通过暴露给氢气而被还原，以形成高介电常数电介质层的被还原部分。
介电常数精确图案

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200580045165.X无效
发明人：盖尔·格伦;广田良浩;村木雄介;中村源志;栉引理人;新藤尚树;清水昭贵;芦垣繁雄;加藤良裕 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-11-29 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明涉提供一种半导体装置的制造方法，由积层体制造所述半导体装置，所述层积体具有：半导体衬底；高电介质膜，在所述半导体衬底上形成；以及SiC系膜，在所述高电介质膜的上层形成，具有防反射功能和硬掩膜功能。本发明的半导体装置的制造方法包括：等离子体处理工序，使等离子体作用于所述SiC系膜和所述高电介质膜而进行改质；以及清洗处理工序，通过湿式清洗一次性地除去在所述等离子体处理工序中被改质的所述SiC系膜和所述高电介质膜
半导体装置制造方法

[发明专利]场效应晶体管的高-K栅极结构中的界面层再生长控制-CN200980123735.0无效
发明人：马库斯·穆勒;纪尧姆·伯卡迪;詹士民·皮特里 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2009-06-24 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种具有栅极结构的场效应晶体管，所述栅极结构包括：高-K电介质层；栅电极，位于所述高-k电介质层上；以及界面层，位于所述高-K电介质层和所述场效应晶体管的沟道区之间。一种形成场效应晶体管的栅极结构的方法包括：按照如下顺序形成栅极叠层：与所述场效应晶体管的沟道区相邻的SiO2层；所述SiO2层上的高-K电介质层；以及所述高-K电介质层上的栅电极。
场效应晶体管栅极结构中的界面再生控制

[发明专利]一种斐波那契序列电介质与石墨烯的复合结构-CN202010325086.0在审
发明人：章普 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： G02F1/355 文献下载
摘要：本发明提供了一种斐波那契序列电介质与石墨烯的复合结构，属于光电技术领域。本复合结构包括若干电介质层一、若干电介质层二和一个石墨烯层，复合结构由其一侧面至另一侧面的堆叠规律如下：电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、石墨烯层、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二；电介质层一的材料为MgF2晶体，电介质层二的材料为ZnS晶体。
一种序列电介质石墨复合结构

[实用新型]一种斐波那契序列电介质与石墨烯的复合结构-CN202020623495.4有效
发明人：章普 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： G02F1/355 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种斐波那契序列电介质与石墨烯的复合结构，属于光电技术领域。本复合结构包括若干电介质层一、若干电介质层二和一个石墨烯层，复合结构由其一侧面至另一侧面的堆叠规律如下：电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、石墨烯层、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二；电介质层一的材料为MgF2晶体，电介质层二的材料为ZnS晶体。
一种序列电介质石墨复合结构

[发明专利]一种基于三维陶瓷网络的聚合物储能电介质及制备方法-CN202210635840.X在审
发明人：李玉超;毕雪庆;邵强;王振;杨永志;战艳虎;谢倩 -专利权人：聊城大学;聊城卓群汽车部件有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明属于聚合物储能电介质领域，公开了一种基于三维陶瓷网络的聚合物复合电介质材料及其制备方法。所述聚合物电介质材料包括10~30 wt%三维陶瓷网络和70~90 wt%聚合物。三维陶瓷网络利用模板法构筑，聚合物电介质材料通过向陶瓷网络反向引入聚合物获得。所述聚合物电介质材料在较低的陶瓷含量下具有较高的介电常数、储能密度和机械强度。本发明提供的聚合物电介质材料制备工艺简单、成本低廉、可设计性强，为高储能密度聚合物电介质材料的制备提供了一种新思路，应用前景广阔。
一种基于三维陶瓷网络聚合物电介质制备方法

[发明专利]一种中红外可调谐窄带带通滤波器-CN201711139425.0有效
发明人：廖艳林;赵艳;谌正艮;章文;汪洪 -专利权人：安徽大学
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本发明涉及微纳光学器件领域，具体是一种中红外可调谐窄带带通滤波器，包括有基底，自基底向顶层，依次设置第一、二、三电介质镀层、石墨烯层、第四、五电介质镀层、光栅层、第六、七、八和九电介质镀层；其中基底、第二、五、六和八电介质镀层为低折射率材料，第一、三、四、七和九电介质镀层为高折射率材料。由于光栅层的衍射效应，产生衍射波，在电介质镀层内形成导模共振，电磁场能量主要集中在第三和第四电介质镀层内，改变石墨烯的费米能，从而改变石墨烯的折射率，实现导模共振峰位的改变，最终实现透射峰的调谐。
一种红外调谐窄带带通滤波器