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[发明专利]一种基于超导材料和缺陷光子晶体的静态压强传感器-CN202211389488.2在审
发明人：章普;胡海洋;赵苗苗 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G01L1/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于超导材料和缺陷光子晶体的静态压强传感器，包括结构可表示为D(AB)NC(BA)ND的一维缺陷光子晶体，其中N为正整数、用于表示空间周期数，A和B分别为折射率不同的媒质薄片，且媒质薄片A由超导材料HgBa2Ca2Cu3O8+δ制成，媒质薄片B由半导体材料GaAs制成，C为用于产生缺陷模的缺陷层，且C的材质和厚度与A、B的材质和厚度不完全一样，两个D分别为输入光波导和输出光波导，用于引导光入射和出射所述缺陷光子晶体，同时光波导D将外界压力传递到缺陷光子晶体上，形成静态压强。本发明基于特定材质及结构设计的缺陷光子晶体所得到的静态压强传感器能够对压强进行高精度测量。
一种基于超导材料缺陷光子晶体静态压强传感器

[实用新型]一种用于纸管生产的自动切断机-CN202222054443.1有效
发明人：程松志;胡细国;章细明;章普;章洲铭 -专利权人：湖北晨耀科技有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： B26D7/00 文献下载
摘要：本申请属于切断机技术领域，公开了一种用于纸管生产的自动切断机。包括切断机本体，切断机本体的顶端固定连接有滑动导轨，滑动导轨的顶部滑动连接有滑座，滑座的顶端设置有限位组件，限位组件包括固定杆，固定杆固定连接在滑座的顶端，固定杆的其中一端固定连接有连接块，连接块的底端固定连接有固定块，固定块的其中一端螺纹连接有螺纹杆，固定杆的其中一端滑动连接有度量尺。该实用新型，设置了限位组件，利用限位组件的设计，螺纹杆与限位孔，在力的作用下，便于螺纹杆受力进行水平移动，方便螺纹杆移动至限位孔的内部，限制住移动杆的水平移动，从而达到限位的作用，防止圆弧刀片在切割时对转动杆造成破坏。
一种用于纸管生产自动切断

[实用新型]一种纸管自动上胶装置-CN202122998819.X有效
发明人：章普 -专利权人：湖北晨耀科技有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种纸管自动上胶装置，具体涉及纸管上胶领域，包括第一主体机构，第一主体机构的一侧设有第二主体机构，第一主体机构包括支撑面板，支撑面板的顶部固定安装有储胶箱，储胶箱的底部设有抽吸泵，抽吸泵的底部连通设有多个喷胶头，第二主体机构包括套筒，套筒的内腔设有条状气囊，条状气囊的外壁呈依次等距设有多个撑杆，且多个撑杆插接在套筒的外壁上，条状气囊的一端连通设有第一通管。在遇到不同规格的纸管时，通过使充气泵使气体进入条状气囊内腔，使得条状气囊发生膨胀挤压撑杆，使得撑杆向套筒外延伸，从而对纸管的外壁进行挤压支撑，更便于实际使用。
一种纸管自动装置

[实用新型]一种通风抗菌纸管-CN202122704919.7有效
发明人：章普 -专利权人：湖北晨耀科技有限公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： B65H75/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种通风抗菌纸管，具体涉及纸管领域，包括主体机构，主体机构的两端设有围护机构，围护机构的内部转动连接有收放机构，主体机构包括外壳管，外壳管的内部设有内芯管，外壳管和内芯管之间设有多个加固型通风板，围护机构包括顶盖，顶盖的内部开设有滑槽，顶盖的外壁上设有多个承托杆，收放机构包括限位环，滑槽的内腔转动连接有滑块，滑块的内壁开设有卡槽，限位环的内部设有支承板，支承板的底部固定安装有卡条。本实用新型通过在主体机构的内部设有加固型通风板和抑菌板，同时设有保持内部通风结构的加固型通风板，使得主体机构自身内部的抗压强度增大，从而使得本实用新型的整体抗压性能变强，更便于实际使用。
一种通风抗菌纸管

[发明专利]一种多信道准周期光子晶体的信道控制方法-CN202110815347.1有效
发明人：章普 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种多信道准周期光子晶体的信道控制方法，属于全光通讯技术领域。多信道准周期光子晶体由若干第一电介质层和若干第二电介质层排列而成，序列号为SN的多信道准周期光子晶体中第一电介质层和第二电介质层的排列规律为：SN＝SN‑1SN‑2SN‑1，N≥3，N为多信道准周期光子晶体序列的序数；S1为第一电介质层，S2为第二电介质层；第一电介质层和第二电介质层为两种折射率不同的均匀电介质。通过改变光波在多信道准周期光子晶体上的入射角度来调控个信道的中心频率；通过增大光波在多信道准周期光子晶体上的入射角度来增加信道数数量；在入射角度不变的情况下，利用Octonacci序列光子多层透射谱的光学分形来扩展信道数量。本发明具有能够控制信道数量等优点。
一种信道周期光子晶体控制方法

[发明专利]一种基于准周期光子多层与石墨烯的复合结构-CN202110849854.7有效
发明人：章普 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G02F3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于准周期光子多层与石墨烯的复合结构，将两种折射率不同的电介质薄片层和石墨烯层依次逐层堆叠，所述电介质薄片满足Octonacci序列规则；Octonacci序列的迭代规则为：SN=SN‑1SN‑2SN‑1，复合结构为SN‑1GSN‑2GSN‑1，其中G表示石墨烯层；N2时，而S1=A，S2=B，其中N为序列的序数，A、B是两种折射率不同的均匀电介质；则：S3=BAB，S4=BABBBAB，S5=BABBBABBABBABBBAB，S6=S5S4S5，S7=S6S5S6，S8=S7S6S7，……。本发明Octonacci序列光子多层也具有光学分形的特性，且这些光学分形态对电场具有很强的局域性；特别地，Octonacci序列光子多层的共振透射模彼此之间可以独立，且间隔距离适当。这可以被用于实现多个彼此独立的光学双稳态，从而得到多值全光开关。
一种基于周期光子多层石墨复合结构

[发明专利]基于PD光子晶体与石墨烯复合结构的全光开关-CN202111224830.9在审
发明人：章普 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： G02F3/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于PD光子晶体与石墨烯复合结构的全光开关，属于全光通讯技术领域。包括若干均匀电介质薄片一、若干均匀电介质薄片二和两个石墨烯单层，均匀电介质薄片一、均匀电介质薄片二和石墨烯单层分别用H、L和G表示，复合结构表示为：HL1GL2HHHHL2GL1H，其中，L1GL2和L2GL1均为石墨烯单层嵌入均匀电介质薄片二内形成的层状结构；石墨烯正好位于局域电场最强的位置；均匀电介质薄片一和均匀电介质薄片二的厚度均为各自光学波长的四分之一。本发明具有基于光学双稳态的全光开关阈值低等优点。
基于 pd 光子晶体石墨复合结构开关

[发明专利]基于PD光子晶体与石墨烯复合结构的全光数字编码器-CN202111224959.X在审
发明人：章普 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： G02F3/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于PD光子晶体与石墨烯复合结构的全光数字编码器，属于全光通讯技术领域。包括若干均匀电介质薄片一、若干均匀电介质薄片二和两个石墨烯单层，均匀电介质薄片一、均匀电介质薄片二和石墨烯单层分别用H、L和G表示，复合结构表示为：HLH1GH2HHH2GH1LH，其中，H1GH2和H2GH1均为石墨烯单层嵌入均匀电介质薄片一内形成的层状结构；均匀电介质薄片一和均匀电介质薄片二的厚度均为各自光学波长的四分之一；两个石墨烯单层正好分别位于局域电场最强的两个位置。本发明具有编码阈值低等优点。
基于 pd 光子晶体石墨复合结构数字编码器

[发明专利]一种基于中心对称PD光子晶体的多通道滤波器-CN202111224965.5在审
发明人：章普 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于中心对称PD光子晶体的多通道滤波器，属于全光通讯技术领域。包括两个对称分布的PD光子晶体，PD光子晶体满足如下迭代规则：S0＝H，S1＝HL，S2＝HLHH，……，SN＝SN‑1SN‑2SN‑2，……，其中N(N＝0，1，2，3，……)表示序列的序号，SN表示PD光子晶体序列的第N项，H、L分别表示折射率高、低不同的两种均匀电介质薄片一和均匀电介质薄片二；均匀电介质薄片一和均匀电介质薄片二的厚度分别为各自波长的四分之一。本发明能够应用于多通道滤波器。
一种基于中心对称 pd 光子晶体通道滤波器

[发明专利]基于PD光子晶体与石墨烯复合结构的光子滤波器-CN202111224974.4在审
发明人：章普 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于PD光子晶体与石墨烯复合结构的光子滤波器，属于全光通讯技术领域。包括中心对称的两个PD光子晶体形成的中心对称结构和若干石墨烯单层，PD光子晶体的迭代规则为：S0＝H，S1＝HL，S2＝HLHH，……，SN＝SN‑1SN‑2SN‑2，……，其中下标其中N(N＝0，1，2，3，……)表示序列的序号，SN表示序列的第N项，H、L分别表示折射率高、低不同的两种均匀电介质薄片一和均匀电介质薄片二；复合结构的任意相邻两层之间均嵌入有一石墨烯单层，当N＝2时，复合结构可以表示成HGLGHGHGHGHGLGH，其中G为石墨烯单层；均匀电介质薄片一和均匀电介质薄片二的厚度均为各自光学波长的四分之一。本发明具有滤波通道可调等优点。
基于 pd 光子晶体石墨复合结构滤波器

[发明专利]基于PD光子晶体与石墨烯复合结构的光逻辑器-CN202111224960.2在审
发明人：章普 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： G02F3/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于PD光子晶体与石墨烯复合结构的光逻辑器，属于全光通讯技术领域。复合结构表示为：HLGHHGHHGLH，其中H和L分别表示折射率高、低不同的均匀电介质薄片一和均匀电介质薄片二，G为石墨烯单层，均匀电介质薄片一和均匀电介质薄片二的厚度分别为各自光学波长的四分之一。本发明具有能够降低光学双稳态的阈值等优点。
基于 pd 光子晶体石墨复合结构逻辑

[实用新型]一种多信道准周期光子晶体-CN202121646798.9有效
发明人：章普 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种多信道准周期光子晶体，属于全光通信技术领域。多信道准周期光子晶体由若干第一电介质层和若干第二电介质层按规律排列而成，序列号为SN的多信道准周期光子晶体中第一电介质层和第二电介质层的排列规律为：SN＝SN‑1SN‑2SN‑1，N≥3，其中下标N为多信道准周期光子晶体序列的序数；S1为第一电介质层，S2为第二电介质层；第一电介质层和第二电介质层为两种折射率不同的均匀电介质。本光子晶体具有多信道等优点。
一种信道周期光子晶体

[发明专利]一种Octonacci序列光子多层与石墨烯的复合结构-CN202110985935.X在审
发明人：章普 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及光逻辑器领域，具体提供了一种Octonacci序列光子多层与石墨烯的复合结构Octonacci序列光子多层和石墨烯层，所述Octonacci序列光子多层为两种折射率不同的电介质薄片，所述石墨烯层位于局域电场最强的位置，本发明将两种折射率不同的电介质薄片和石墨烯依次逐层堆叠，使电介质薄片满足Octonacci序列规则，从而得到一种准周期光子多层与石墨烯的复合结构。此结构中存在多个彼此独立的光学分形态，分形态对应的电场具有局域作用，而石墨烯所处位置的局域电场最强，因此石墨烯的三阶非线性效应得到极大地增强，进而实现低阈值光学双稳态。
一种 octonacci 序列光子多层石墨复合结构

[实用新型]一种用于低阈值全光开关的双稳态准光子晶体结构-CN202020629334.6有效
发明人：章普 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： G02F3/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于低阈值全光开关的双稳态准光子晶体结构，属于光电技术领域。本双稳态准光子晶体结构包括斐波那契序列准晶体结构一、斐波那契序列准晶体结构二和一层石墨烯层，斐波那契序列准晶体结构一和斐波那契序列准晶体结构二复合在一起形成一缺陷腔，石墨烯层嵌入缺陷腔内，斐波那契序列准晶体结构一为若干电介质层一和若干电介质层二堆叠而成的多层结构，斐波那契序列准晶体结构二为若干电介质层三和若干电介质层四堆叠而成的多层结构，电介质层一和电介质层三的材料为MgF2晶体，电介质层二和电介质层四的材料为ZnS晶体，本实用新型具有能够在低阈值情况下实现双稳态等优点。
一种用于阈值开关双稳态光子晶体结构

[实用新型]一种斐波那契序列电介质与石墨烯的复合结构-CN202020623495.4有效
发明人：章普 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： G02F1/355 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种斐波那契序列电介质与石墨烯的复合结构，属于光电技术领域。本复合结构包括若干电介质层一、若干电介质层二和一个石墨烯层，复合结构由其一侧面至另一侧面的堆叠规律如下：电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、石墨烯层、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二；电介质层一的材料为MgF2晶体，电介质层二的材料为ZnS晶体。本实用新型具有提高缺陷模的反射率等优点。
一种序列电介质石墨复合结构

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